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公开(公告)号：CN1193421C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN03115426.3
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种形成半导体衬底的方法，它是一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征在于将图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离(STI)工艺结合起来；在形成STI的过程中完成图形化SOI材料的制备。主要工艺步骤包括依次包括在半导体衬底中光刻出将形成的SOI区域及其四周的沟槽；离子注入；高温退火；填充沟槽，CMP抛光，腐蚀Si3N4掩模等。本发明的方法消除了常规图形化SOI材料中体硅与掩埋绝缘层之间过渡区的应力，改善了图形化SOI材料的质量；同时减少了器件STI隔离的工艺步骤。
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公开(公告)号：CN1173386C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN02110920.6
申请日：2002-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/108
Abstract: 本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法，其特征在于，(1)再在30-210 keV能量下氧离子，注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择，使制备的SOI结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低；(2)注入完成后，退火气氛是高纯氩气中含有一定浓度高纯氧气。600℃保持30分钟，1000℃保持1小时，在1300～1350℃经过5～10小时保温；(3)退火降温制度是1200℃以上降温速率为15℃/min，1200～1000℃为20℃/min，1000～700℃为30℃/min。注入剂量与能量配匹关系为D＝(0.025～0.035)×E+(0.25～0.35)，用本发明提供的方法制备材料顶层硅缺陷密度低、埋层针孔密度小，从而提高了低剂量SIMOX材料质量和产量。
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公开(公告)号：CN1383189A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02110920.6
申请日：2002-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/108
Abstract: 本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法,其特征在于,(1)再在30－210keV能量下氧离子,注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择,使制备的SOI结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低;(2)注入完成后,退火气氛是高纯氩气中含有一定浓度高纯氧气。600℃保持30分钟,1000℃保持1小时,在1300～1350℃经过5～10小时保温;(3)退火降温制度是1200℃以上降温速率为15℃/min,1200～1000℃为20℃/min,1000～700℃为30℃/min。注入剂量与能量配匹关系为D=(0.025～0.035)×E+(0.25～0.35),用本发明提供的方法制备材料顶层硅缺陷密度低、埋层针空密度小,从而提高了低剂量SIMOX材料质量和产量。
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公开(公告)号：CN110767769A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911035035.8
申请日：2019-10-29
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , G01J1/44 , G01J1/42
Abstract: 本文公布了一种探测单元、超宽带光探测器及探测方法，探测单元包括NbS3晶体片和两个电极，两个所述电极分别设置在所述NbS3晶体片的长度方向两端，且分别与所述NbS3晶体片形成欧姆接触。超宽带光探测器包括上述的探测单元，以及用于采集所述探测单元上电势差数据的探测电路，两个所述电极分别与所述探测电路电连接。其探测方法主要包括：固定探测器、照射探测器和采集探测电路数据。本文涉及一种探测单元、超宽带光探测器及探测方法，可克服探测带宽窄的问题，其探测的带宽能从紫外覆盖到太赫兹波段，具有超宽探测带宽，并且其还具有高速灵敏的优点。
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公开(公告)号：CN119757269A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411742052.6
申请日：2024-11-29
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01N21/3586 , G01J3/42 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 公开了一种多元太赫兹信息探测方法和装置。其利用距离太赫兹光源预定距离的太赫兹探测器获取两组空间强度分布信息：一组是直接采集的待测太赫兹光的空间强度分布，另一组是太赫兹光经过具有不同相位调控特征的微结构阵列调控后的空间强度分布。通过预先训练的神经网络，根据这两组空间强度分布信息重构得到待测太赫兹光的相位信息、光谱信息和偏振信息。本公开通过微结构阵列的相位调控和神经网络的信息重构，实现了多维信息的同时探测，避免了复杂的光学系统设计；采用双神经网络分别针对不同物理机制进行重构，提高了探测精度；具有毫秒级的快速探测能力，满足实际应用需求；系统结构简单，易于实现，具有良好的扩展性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109494293B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201811631501.4
申请日：2018-12-28
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
Abstract: 公开了一种太赫兹探测器及其制造方法，该太赫兹探测器包括基底；以及至少一个探测单元，每个所述探测单元均包括：沟道材料，所述沟道材料设置在所述基底上，两个电极，两个所述电极分别与所述沟道材料的纵向方向的两端欧姆接触，和三维石墨烯，所述三维石墨烯与所述沟道材料直接或间接地热接触。本公开所提出的探测器通过将三维石墨烯作为吸收体，解决了沟道材料对太赫兹波吸收不足的问题，从而有效地提高了探测器的响应灵敏度。
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公开(公告)号：CN109581530A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811631709.6
申请日：2018-12-28
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01V8/20
Abstract: 公开了一种便携式太赫兹安检设备，包括：承载主体；太赫兹发射装置，设置在承载主体上，并包括太赫兹信号源以及与太赫兹信号源连接用于发送太赫兹波的发射单元；太赫兹探测器，设置在承载主体上，用于接收经被检测对象反射的太赫兹波；数据采集及处理系统，设置在承载主体上，并与太赫兹探测器连接以接收来自太赫兹探测器的对于被检测对象的扫描数据并生成太赫兹图像；以及显示装置，与数据采集及处理系统连接，用于接收和显示来自数据采集及处理系统的太赫兹图像。该便携式太赫兹安检设备不需要配备机械扫描系统，因而可以大幅缩减太赫兹安检设备的体积和重量，以使得安检人员可以手动移动该设备来完成对成像区域的扫描。
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公开(公告)号：CN106865675A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710188779.8
申请日：2017-03-27
Applicant: 中国矿业大学(北京) , 清华大学 , 启东市巨龙石油化工装备有限公司
IPC: C02F1/26 , C02F9/10 , C02F101/34
Abstract: 本发明提供了一种含酚废水的萃取脱酚方法，包括以下步骤：将含酚废水在20‑35℃的温度下采用萃取剂进行多级逆流萃取，得到萃取相和萃余相，萃取剂为环酮类，含酚废水的PH值为6‑7。本发明的萃取脱酚方法对含酚废水中酚类的脱除率达到96.5％以上，可以回收更多的酚类；同时，对酚类中多元酚的脱除率显著，废水中残留酚类浓度大大降低，有利于后续的生化处理，提高生化出水的水质，并使废水回用处理的难度大大降低；对设备的操作条件改动小，有利于快速应用至萃取脱酚流程中。
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公开(公告)号：CN113810789A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110914895.X
申请日：2021-08-10
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种电力设备工况多参数分布式智能感知节点。本发明包括信号接口三端子组件、分压电阻、电压采样电阻、电流采样电阻、放大器、单刀双掷开关、可编程增益放大器、模数转换器和FPGA电路，通过信号接口三端子组件所包含的A、B、C三个端子，分别接入电压输出型及电流输出型传感器/变送器，并实现对其的自适应采集和高分辨力测量，通过信号分析处理和边缘计算实现对目标参数的智能感知。本发明的节点可分布式地就近布置于传感器/变送器附近且多个节点串联起来即可自动构建电力设备工况多参数分布式智能感知系统，部署方便灵活且线缆少，不需要主机柜，可有效提升系统感知能力和稳定性，并降低成本和维护难度。
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公开(公告)号：CN113175991A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110298258.4
申请日：2021-03-19
Applicant: 清华大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本文公开一种探测装置和实现太赫兹波探测的方法，本发明实施例探测装置包括：构成电磁谐振阵列的两个以上探测单元，探测单元包括：沟道、正金属电极、负金属电极和电磁谐振结构；其中，正金属电极和负金属电极欧姆接触于沟道的两端，且仅通过沟道电连接；电磁谐振结构用于产生电磁谐振。本发明实施例基于构成电磁谐振阵列的两个以上探测单元实现了探测单元的阵列排布设计，通过阵列排布的探测单元提升了太赫兹波探测的灵敏度。
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