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公开(公告)号：CN115021705A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210742047.X
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种高频声波谐振器及应用其的滤波器。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、底电极、压电薄膜和叉指换能器；该叉指换能器包括第一汇流条和多个间隔设置的第一电极；该多个第一电极的同一侧与该第一汇流条连接；该多个第一电极中相邻的第一电极的中心之间的间隔距离与目标模式的频率之积小于该支撑衬底的声速；该目标模式为该高频声波谐振器在纵向电场作用下激发的高阶模式；本申请提供的该声波谐振器建立在异质集成衬底上，具有结构简单且压电薄膜强度高，仍能够保证声波谐振器的品质的特点。
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公开(公告)号：CN111262127B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010079728.3
申请日：2020-02-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅基InGaAs激光器衬底的制备方法，包括：S1：在供体衬底上赝晶生长InxGa1‑xAs外延层薄膜；S2：外延层薄膜远离供体衬底的一面为注入面，自注入面向外延层进行离子注入和在注入面表面沉积第一金属层，注入的离子在外延层内形成剥离层；S3：在支撑衬底表面沉积第二金属层；S4：通过将第一金属层和第二金属层键合使得支撑衬底、第二金属层、第一金属层、外延层和供体衬底依次连接形成整体；S5：将键合后的整体进行退火处理，沿剥离层将供体衬底剥离，外延层转移至支撑衬底上形成硅基InGaAs衬底；本发明还提供一种衬底及激光器；本发明能够突破现有二元化合物晶格常数对激光器的限制，扩大生长在衬底上的激光器在材料选择和结构设计的自由度。
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公开(公告)号：CN114530421A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210063101.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8258 , H01L27/092
Abstract: 本申请实施例所公开的一种器件的制备方法及其结构，包括对第二衬底进行离子注入，在第二衬底的内部形成缺陷层，得到待键合结构，将待键合结构和第一衬底进行键合，得到异质衬底，将第三衬底与异质衬底进行键合，得到异质复合衬底；异质复合衬底包括待刻蚀区域、待生长区域和待制备区域；待刻蚀区域、待生长区域和待制备区域依次连接设置，在待刻蚀区域制备调制掺杂场效应晶体管结构，且在待生长区域制备隔离结构，且在待制备区域制备互补金属氧化物半导体结构，将调制掺杂场效应晶体管结构与互补金属氧化物半导体结构连接，得到器件。本申请可以兼容调制掺杂场效应晶体管和互补金属氧化物半导体，可以减小热应力。
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公开(公告)号：CN114337583A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111466558.5
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明提供了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜、叉指换能器和两个反射栅单元；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；从而使得当该谐振器处于工作模式时，可以在压电薄膜区域形成准驻波。且该叉指换能器包括叉指电极区域，叉指电极区域包括叉指电极对，后续可以通过对叉指电极的尺寸进行调节，从而使使每对叉指电极对的菲涅尔区可以包括整个谐振器，实现抑制衍射效应的效果，提高了该器件的品质因数。
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公开(公告)号：CN110601674B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910925098.4
申请日：2019-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/10
Abstract: 本发明提供一种高频声波谐振器及其制备方法，高频声波谐振器至少包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上表面的图案化介质层；位于所述图案化介质层表面的压电膜；位于所述压电膜表面的图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法，通过在压电膜下方形成图案化介质层，可极大减少压电膜中传播的高频声波能量向衬底泄露，从而形成高频谐振，并使高频声波谐振器保持较高的Q值，并且由于图案与介质材料的可调整性，使得高频声波谐振器综合性能可以根据实际情况进行参数选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114137660A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111437447.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种混合集成光量子芯片的制备方法及其结构，其中制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构，待刻蚀结构包括量子点层，待转移结构包括待转移区域，进而对待刻蚀结构进行刻蚀处理，使得在量子点层形成波导结构，之后利用聚合物拾取波导结构，并转移至待转移结构的待转移区域上，得到光量子芯片。基于本申请实施例利用聚合物拾取波导结构，并转移至待转移结构的待转移区域上，得到光量子芯片，可以提高耦合效率，减小芯片的体积。
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公开(公告)号：CN113904645A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111249926.0
申请日：2021-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上形成碳化硅单晶薄膜层；对碳化硅单晶薄膜层减薄，以使碳化硅单晶薄膜层形成超薄碳化硅单晶薄膜层；在超薄碳化硅单晶薄膜层上制作氮化铝薄膜，以使超薄碳化硅单晶薄膜层与氮化铝薄膜形成复合压电器件层；在复合压电器件层上制作上电极，上电极设置在氮化铝薄膜上。在支撑衬底上通过离子束剥离和键合的方法形成碳化硅单晶薄膜层，得到与AlN更匹配的SiC作为外延模板，大大提高了外延AlN薄膜的晶体质量，从而提高器件性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN112635323B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011477988.2
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/02
Abstract: 本申请公开了一种SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法，包括获取SiC晶圆；在所述SiC晶圆的Si面上形成SiO2保护层；对所述SiC晶圆进行不同能量的多次氢离子注入；去除所述SiO2保护层；对所述SiC晶圆进行退火处理；在所述SiC晶圆的Si面上形成氮化镓薄膜；在所述氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件。本申请的SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法通过在SiC衬底中引入富氢层对SiC衬底进行改性，实现利用产业成熟、低成本的高掺杂SiC衬底代替传统昂贵的高纯半绝缘SiC衬底作为氮化镓薄膜外延生长的优良支撑材料，可以在提高器件性能的同时大大降低器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN112272015B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202011240566.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，包括：底电极、压电膜结构及顶电极；其中，压电膜结构包括至少两层叠置的压电膜，相邻两层压电膜之间具有不同的欧拉角；当在压电膜结构中激发厚度剪切波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电向量均满足模长且相邻两层压电膜的压电向量位于不同象限；当在压电膜结构中激发厚度伸缩波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电系数e33的绝对值均大于0.5C/m2，且相邻两层压电膜的压电系数e33符号相反。通过本发明提供的声波谐振器，解决了现有技术中通过降低压电膜厚度来提高声波谐振器工作频率所导致的器件机械结构稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN111864046B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010603835.1
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L37/02 , H01L21/683 , H01L23/544 , G01J5/12
Abstract: 本申请提供一种热释电红外探测器的制备方法，包括：提供热释电衬底和支撑衬底；对热释电衬底进行第一预处理，在热释电衬底内构造损伤层，在热释电衬底表面形成第一电极；对支撑衬底进行第二预处理，在支撑衬底上形成锚点；将热释电衬底和支撑衬底进行键合，形成第一电极分别位于对应的锚点内的键合整体；将热释电衬底自损伤层处剥离，保留位于支撑衬底上的热释电薄膜；在热释电薄膜上沉积第二金属层并图形化处理形成第二电极；对形成有第二电极的键合整体进行封装处理，得到热释电红外探测器；本申请提供的制备方法简单，无需增加临时键合过渡层等材料；且热释电衬底与支撑衬底之间键合连接稳固；并且还能够提高热释电红外探测器的响应率。
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