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公开(公告)号：CN1184727C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02136624.1
申请日：2002-08-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明提供一种实现半导体激光器后腔面高反射涂层的膜系结构，目的是提高激光器输出功率，减小阈值电流，改善激光器各方面性能。其特征在于本发明采用既廉价又容易蒸发的金属银(Ag)做为高反射镀膜材料，以其它折射率接近1.8的氧化物介质膜，如ZrO2、SiO、Al2O3中一种作为垫底和保护膜，在激光器后腔面用电子束蒸镀方法实现了高反射涂层。经不同激光器上实施后表明，该涂层能使激光器功率提高60%，减小阈值电流20-50%，并且有良好的化学稳定性、热稳定性和牢固性，能有效保护半导体激光器后腔面。与现有的半导体激光器腔面镀膜技术相比，本发明具有膜系结构简单，实施容易，成本低，更适合于生产领域等优点。
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公开(公告)号：CN1527450A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03151154.6
申请日：2003-09-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在於高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜1、金属膜2和氧化物保护膜3组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2中的一种，相位匹配介质膜的厚度小于四分之一波长，金属膜为铝、金、银中的一种。激光器腔面镀膜所用夹具由三部分组成：叠放激光器解理条的基片为铁质圆片，可移动定位片为磁铁，以及夹持解理条的夹片。其特征在于用磁铁来固定夹片从而夹持解理条，夹片采用厚度与腔长相近的单晶硅解理片。本发明的膜系结构简单，成本低廉，使激光器的功率平均提高70％，阈值电流降低25％左右，镀膜夹具易于操作，适合于进行规模化生产。
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公开(公告)号：CN1400698A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02136624.1
申请日：2002-08-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明提供一种实现半导体激光器后腔面高反射涂层的膜系结构，目的是提高激光器输出功率，减小阈值电流，改善激光器各方面性能。其特征在于本发明采用既廉价又容易蒸发的金属银(Ag)做为高反射镀膜材料，以其它折射率接近1.8的氧化物介质膜，如ZrO2、SiO、Al2O3中一种作为垫底和保护膜，在激光器后腔面用电子束蒸镀方法实现了高反射涂层。经不同激光器上实施后表明，该涂层能使激光器功率提高60％，减小阈值电流20－50％，并且有良好的化学稳定性、热稳定性和牢固性，能有效保护半导体激光器后腔面。与现有的半导体激光器腔面镀膜技术相比，本发明具有膜系结构简单，实施容易，成本低，更适合于生产领域等优点。
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公开(公告)号：CN1395291A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02112311.X
申请日：2002-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及射频等离子体分子束外延生长GaN的双缓冲层工艺，属于晶体外延生长领域。其特征在于：(1)经Ga原子清洗及氮化处理的蓝宝石衬底温度降低至450℃～550℃范围；(2)开启Ga束源炉快门，进行较低温度的缓冲层结晶成核生长，时间2分钟，约10nm；(3)关闭Ga束源炉快门，衬底温度升高至900℃，进行高温热退火；热退火时间5分钟。然后将衬底温度降至650℃～800℃范围；(4)再次开启Ga束源炉快门，进行较高温度的缓冲层准二维生长，生长时间3分钟，约15nm；(5)关闭Ga束源炉快门，升高衬底温度以进行外延层GaN的生长。与传统单缓冲层相比，表面平整度明显提高；ω扫描的半峰值进一步降低，有利于外延层的二维成长；外延层的位错密度也明显下降。
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公开(公告)号：CN103794644B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410072323.1
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；制备特征在于：（1）将InP（100）衬底送入气态源分子束外延系统GSMBE的预处理室，于300‑350℃除气；（2）将上述衬底传递至GSMBE的生长室，生长前的衬底表面解析，解析是在As气氛下加热至解析温度，去除表面氧化层，然后将PH3于1000℃进行裂解，得到P2用作Ps源，调节气源炉PH3压力PV为450～700Torr；（3）衬底在P气氛的保护下进行生长前的表面解吸，衬底温度于400℃下进行外延生长，生长时衬底以每分钟5转的速度旋转，以保证外延材料的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103794644A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410072323.1
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/737 , H01L21/2056 , H01L29/205 , H01L29/66318
Abstract: 本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；制备特征在于：（1）将InP（100）衬底送入气态源分子束外延系统GSMBE的预处理室，于300-350℃除气；（2）将上述衬底传递至GSMBE的生长室，生长前的衬底表面解析，解析是在As气氛下加热至解析温度，去除表面氧化层，然后将PH3于1000℃进行裂解，得到P2用作Ps源，调节气源炉PH3压力PV为450～700Torr；（3）衬底在P气氛的保护下进行生长前的表面解吸，衬底温度于400℃下进行外延生长，生长时衬底以每分钟5转的速度旋转，以保证外延材料的均匀性。
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公开(公告)号：CN102468836A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010532695.X
申请日：2010-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种射频单刀多掷开关及用于毫米波全息成像的开关阵列。该射频单刀多掷开关包括：开关芯片、射频匹配电路和直流偏置匹配电路；其开关芯片由PIN开关二极管串联组成多条开关通路；通过直流偏置控制PIN开关二极管的截止与导通，从而控制各条开关通路的截止与导通。该开关阵列由多个所述射频单刀多掷开关通过两级级联方式组成。本发明利用半导体固态器件实现单刀多掷开关，并采用外匹配方式设计，将其用于毫米波全息成像的开关阵列，与常规的开关阵列相比，具有加工难度小、成本低、性能可靠、体积较小及重量轻的优点。同时，通过灵活选用不同的开关可组成各种规模的开关阵列，满足各种成像系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN101220466B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710172321.X
申请日：2007-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/34 , C23C14/32 , C23C14/34 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓(GaN)纳米线的方法，其特征在于采用了金属钨(W)作为催化剂。在热退火制备GaN纳米线的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后在N2气氛下经热退火后就形成了GaN纳米线。金属钨薄膜的引入，作用是生长GaN纳米线的催化剂，在高温下金属W会发生团聚同时下层的GaN会分解使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，同时分生成的金属Ga和N原子在金属W催化剂的作用下又合成细长的GaN纳米线。这种方法简单易行，仅需要沉积或溅射一层薄薄的金属W层，适合于科学实验和批量生产时采用。
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公开(公告)号：CN101488475A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046376.5
申请日：2009-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/311 , C01G15/00
Abstract: 本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，然后将其刻蚀成多孔状，接着往多孔GaN孔中沉积一层介质SiO2或SiNx薄层，这样就在GaN模板上得到了带有钝化层超大纳米孔径的结构，经过清洗后，最后把这个多孔衬底置于HVPE反应腔内生长GaN厚膜。本发明提供的方法避免了光刻制作掩膜的复杂工艺，而且将孔隙尺寸缩小到纳米量级，金属Al和SiO2层均可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备。
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公开(公告)号：CN100491973C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610117006.2
申请日：2006-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种单片双芯或多芯半导体激光气体传感器，其特征在于它由封装于同一管壳热沉上的制作于同一单片衬底上的激光器芯组成的单片双芯或多芯激光器、用于热沉温度控制的热电控温电路、时分驱动电路、用于吸收和参比光信号探测的光电探测器、放大及时分解调电路、以及比较电路和显示输出电路组成。本发明利用目标气体对吸收激光器产生的特定波长激光的吸收特性进行气体浓度测量，也利用目标气体对参比激光器产生的相近特定波长激光的透过特性作为参比信号以抵消其他损耗和波动的影响。此传感器的核心是单片双芯或多芯半导体激光器和一只光电探测器，易于一体化、小型化和集成化；是一种普适的采用半导体激光的气体传感器，通用性强。
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