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公开(公告)号：CN1265519C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN03151154.6
申请日：2003-09-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/028
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在于高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜(1)、金属膜(2)和氧化物保护膜(3)组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2中的一种，相位匹配介质膜的厚度小于四分之一波长，金属膜为铝、金、银中的一种。激光器腔面镀膜所用夹具由三部分组成：叠放激光器解理条的基片为铁质圆片，可移动定位片为磁铁，以及夹持解理条的夹片。其特征在于用磁铁来固定夹片从而夹持解理条，夹片采用厚度与腔长相近的单晶硅解理片。本发明的膜系结构简单，成本低廉，使激光器的功率平均提高70%，阈值电流降低25%左右，镀膜夹具易于操作，适合于进行规模化生产。
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公开(公告)号：CN1172376C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN01139288.6
申请日：2001-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Si/Si1-XGeX/SiO2/Si或Si1-XGeX/SiO2/Si的Si1-XGeX-OI结构，前者Ge组分恒定，一般小于30%；后者由递变Ge组分的Si1-XGeX缓冲层和Ge组分固定的Si1-XGeX层组成一种以外延和离子注入和键合技术，并利用特定的热处理工艺实现应变异质结结构的应变反转，从而得到高性能异质结MOSFET、MODFET等器件所需要的双轴张应变Si层。先在处理后的单晶Si衬底上外延一层Si1-XGeX薄层，注入H+离子或He+离子，注入能量为10keV～1MeV，剂量为1016～1017/cm2，形成气泡空腔层，利用键合工艺将另一片衬底材料于氧化硅片键合，在300～600℃下热处理，是键合片从气泡层处裂开，最后在800～1000℃、N2或Ar气氛中退火，加强键合，具有工艺简单、重复性和均匀性好的特点，且与常规硅集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号：CN1527450A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03151154.6
申请日：2003-09-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在於高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜1、金属膜2和氧化物保护膜3组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2中的一种，相位匹配介质膜的厚度小于四分之一波长，金属膜为铝、金、银中的一种。激光器腔面镀膜所用夹具由三部分组成：叠放激光器解理条的基片为铁质圆片，可移动定位片为磁铁，以及夹持解理条的夹片。其特征在于用磁铁来固定夹片从而夹持解理条，夹片采用厚度与腔长相近的单晶硅解理片。本发明的膜系结构简单，成本低廉，使激光器的功率平均提高70％，阈值电流降低25％左右，镀膜夹具易于操作，适合于进行规模化生产。
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公开(公告)号：CN1359158A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01139288.6
申请日：2001-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Si/SiGe/SiO2/Si或SiGe/SiO2/Si的SiGe－OI结构,前者Ge组分恒定,一般小于30%;后者由递变Ge组分的SiGe缓冲层和Ge组分固定的SiGe层组成一种以外延和离子注入和键合技术,并利用特定的热处理工艺实现应变异质结结构的应变反转,从而得到高性能异质结MOSFET、MODFET等器件所需要的双轴张应变Si层。先在处理后的单晶Si衬底上外延一层SiGe薄层,注入H+离子或He+离子,注入能量为10keV～1MeV,剂量为1016～1017/cm2,形成气泡空腔层,利用键合工艺将另一片衬底材料于氧化硅片键合,在300～600℃下热处理,是键合片从气泡层处裂开,最后在800～1000℃、N2或Ar气氛中退火,加强键合,具有工艺简单、重复性和均匀性好的特点,且与常规硅集成电路工艺兼容。
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