公开(公告)号：CN114156179A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111269452.6

申请日：2021-10-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  戴荣旺 ,  汪子文 ,  薛忠营 ,  陈猛 ,  徐洪涛 ,  李名浩

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法。本发明通过控制快速热处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN113721076A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110910092.7

申请日：2021-08-09

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  李名浩 ,  薛忠营

IPC: G01R27/02 ,  H01L21/66

Abstract: 本申请公开了一种硅片电阻率的测量方法，所述测量方法包括：选取待测量的硅片；对所述硅片进行热处理，去除所述硅片中的热施主；对所述硅片进行氧化处理，以在所述硅片上形成氧化表面；测量所述硅片的电阻率。在所述方法中首先对硅片进行氧化处理，以在所述硅片上得到氧化表面，从而在后续的放置过程中其表面变化很小，因此硅片表面测量的电阻率变化很小。

公开(公告)号：CN111876822A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010629650.8

申请日：2020-07-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 薛忠营 ,  栗展 ,  魏星 ,  李名浩 ,  魏涛 ,  刘赟

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅生长炉热屏及单晶硅生长炉，所述热屏设置在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚的上部，所述热屏包括屏壁和屏底，所述屏底具有供熔体提拉通过的窗口，所述屏底包括上层、下层和侧壁，所述侧壁连接与所述上层和所述下层之间且围成所述窗口，所述下层朝向所述熔体的液面，所述下层设为齿状结构，用于将外部热能反射到所述熔体液面时不会继续反射到单晶硅晶体侧壁；通过将屏底的下层设置为齿状结构，可以避免外部热能量被单晶硅晶体吸收，从而避免晶体表面热补偿过高，有效优化晶体纵向温度梯度，提高硅片径向的质量均匀性。

公开(公告)号：CN217922421U

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202220754553.6

申请日：2022-03-31

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  李寅锋 ,  李名浩

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本申请公开了一种拉晶装置，包括保温毡和坩埚，所述保温毡呈圆柱筒状围绕所述坩埚设置，所述保温毡的上部包括分段式保温毡，所述保温毡的下部包括开孔。根据本申请的拉晶装置，其对热场重新设计以达到控制晶体中氧含量的目的，所述保温毡能够调节坩埚底部的温度，从而调节熔体与坩埚内表面的反应速度，进而调节进入熔体中的氧，最终调节了单晶产物中的氧含量。本申请的拉晶装置可以仅仅通过改变保温毡的结构以生长满足不同氧含量要求的单晶，且成本低、调试简单。