-
公开(公告)号：CN106248649A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610622357.2
申请日：2016-08-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/65
CPC classification number: G01N21/658
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯的表面增强拉曼基底及其制备方法，所述基底为表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底，金属颗粒修饰于多孔结构石墨烯表面。制备方法包括：(1)制备表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底；(2)将金属颗粒分散覆盖于多孔结构的石墨烯表面。本发明既具备石墨烯的亲生物活性又结合了金属增强效应，其中石墨烯的多孔结构有助于吸附更多待检测分子，石墨烯上的金属颗粒有助于产生增强电磁场，放大待检测分子的拉曼信号，有利于对分子的检测；制备方法简单，成本低，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103900870B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410075073.7
申请日：2014-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法，包括：在金属催化衬底和石墨烯膜的结合体上涂一层有机胶体，然后放入腐蚀液中，得到有机胶体层和石墨烯膜的结合体；将上述有机胶体层和石墨烯膜的结合体放入去离子水中漂洗然后静置，观察，无褶皱则为完整的石墨烯膜。本发明重复性高、简单易行，可以准确表征规模化生产的石墨烯连续膜的完整性；本发明能够从宏观上准确判断大面积石墨烯膜的完整性而不需要借助光学显微镜、扫描电子显微镜等表征手段。
-
公开(公告)号：CN103353437B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310236946.3
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/00
Abstract: 本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入密闭腔体中，抽真空后通入惰性气体，然后加热，再通入与石墨烯反应的气体，待反应结束后停止加热，停止通入反应气体，保持惰性气体保护，最后降至室温，置于光学镜下观察即可。本发明的观察方法重复性高、简单易行；本发明通过选择性刻蚀的方法，使CVD石墨烯表面褶皱附近的石墨烯大量去除，从而通过低放大倍数的光学显微镜就可以观察到纳米级褶皱的分布情况。
-
公开(公告)号：CN104807810A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410032320.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/75
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优先氧化形成氧化条纹；3）依据所述铜衬底表面氧化条纹的分布情况判断所述铜衬底的表面晶向。本发明的判定方法重复性高、简单易行，成本较低，可以方便了解用于化学气相沉积法生长石墨烯的多晶铜衬底的表面晶向分布状况。
-
公开(公告)号：CN104030274A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410231250.6
申请日：2014-05-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法，其特征在于包括先在金属衬底和石墨烯的结合体上沉积一层金属，在金属上表面涂一层有机胶体，然后放到腐蚀液中，得到有机胶体、金属层和石墨烯层的结合体，再将三者的结合体转移到目标衬底上并去除有机胶体，将得到的金属和石墨烯的结合体再次放到腐蚀液中，待金属层被去除，即得到转移好的石墨烯。与传统的湿法腐蚀化学转移方法相比，本方法在旋涂有机胶体之前在石墨烯表面沉积一层金属，阻挡石墨烯和有机胶体的直接接触，有效地避免了转移后有机胶体在石墨烯表面的残留。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103848416A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210501642.0
申请日：2012-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种修饰石墨烯薄膜的方法，先利用在石墨烯薄膜的晶畴边界和缺陷处暴露的金属衬底对金属离子溶液中的金属离子进行还原，生成金属纳米粒子，对石墨烯薄膜实现选择性掺杂修饰；再通过腐蚀和转移工艺对掺杂修饰好的石墨烯薄膜实现转移。本发明利用石墨烯薄膜生长的金属衬底材料作为还原剂对溶液中的金属离子进行还原，而不需要引入新的还原剂，在实现了选择性掺杂修饰石墨烯薄膜的同时，避免了金属纳米粒子在完整石墨烯薄膜表面的沉积。本发明重复性高、简单易行，可以大批量修饰石墨烯薄膜；本发明能够准确标定石墨烯连续膜中单晶畴的形状和尺寸，并能通过改变金属离子溶液浓度及其与金属衬底的接触时间定性提高石墨烯薄膜的电学性能。
-
公开(公告)号：CN103352249A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310236892.0
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种增大化学气相沉积石墨烯单晶晶畴尺寸的方法，包括：将衬底置入独立腔室中，加热使衬底温度达到500-1600℃；然后在惰性气体保护下通入含碳气体，在0.1-760torr下反应，反应结束后降至室温，即可。本发明简单易操作，本发明的方法可以使相同衬底上制备的多晶石墨烯单晶晶畴尺寸增大数倍甚至10倍以上，重复性高并且不影响其他生长参数对石墨烯生长的控制。
-
公开(公告)号：CN106884153B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201510934979.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化层；以及步骤3），去所述铜除衬底表面的氧化层，得到清洁的铜衬底表面。本发明通过氧化石墨烯生长用铜衬底，使得衬底表面层氧化并从衬底脱落，获得适宜高质量石墨烯制备的清洁铜表面，该方法获得的铜衬底可明显降低成核密度，减少石墨烯中的缺陷。本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合工业化应用的批量化处理。
-
公开(公告)号：CN108570710A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810468715.8
申请日：2018-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种铜晶须的制备方法，包括：1）提供铜基材，将所述铜基材置于硫源溶液中进行硫化反应，以在所述铜基材表面形成铜的硫化物；2）对表面具有铜的硫化物的所述铜基材进行清洗及干燥处理；3）对表面具有铜的硫化物的所述铜基材置于还原气氛中进行还原反应，以在所述铜基材表面生长形成铜晶须。本发明的制备方法重复性高、简单易行，适用于铜晶须的规模批量制备。本发明可以通过控制铜硫化反应的程度以及还原反应的程度来控制铜晶须的生长速度和尺寸。本发明利用不同的铜基材，可实现铜线、铜板、铜粉等上晶须的生长，增强或拓展基材的性能。
-
公开(公告)号：CN106884153A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510934979.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/02 , C23C16/26 , C30B25/186 , C30B29/02
Abstract: 本发明提供一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化层；以及步骤3），去所述铜除衬底表面的氧化层，得到清洁的铜衬底表面。本发明通过氧化石墨烯生长用铜衬底，使得衬底表面层氧化并从衬底脱落，获得适宜高质量石墨烯制备的清洁铜表面，该方法获得的铜衬底可明显降低成核密度，减少石墨烯中的缺陷。本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合工业化应用的批量化处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.047 seconds)
