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公开(公告)号：CN110335219A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910645948.5
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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公开(公告)号：CN110310309A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910616002.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T7/30
Abstract: 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样上的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定的基准图像的互相关度，将与基准图像的互相关度最大的候选图像确定为选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，将选中图像对应的平移点作为新的零平移点，对本次平移配准各非零平移点进行平移和预设角度的旋转更新，获得下一次平移图样，基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件。本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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公开(公告)号：CN114993505B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210635536.5
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/125 , G01J5/07 , G01J5/02 , G01J5/061 , G01J5/48
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种实现热反射成像测温的自动重聚焦的方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的矩形区域，计算矩形区域清晰度；参考图像为温度不变时聚焦清晰的图像；基于被测件温度变化和矩形区域清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算矩形区域清晰度；当前测量图像仍包含矩形区域；通过判断当前被测件的温度、三轴纳米位移台的位移和当前矩形区域清晰度是否满足预设温度阈值条件、预设位移阈值条件和预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN114089144B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111173028.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种二极管结参数测量方法及测量系统，上述方法包括：分别对待测二极管施加三个脉冲电流，并分别测试得到待测二极管在三个脉冲电流下正向导通电压；根据预设温度、三个脉冲电流的值及三个正向导通电压，确定待测二极管在预设温度下的结参数。其中，三个脉冲电流的值呈等差数列分布。本发明对待测二极管施加脉冲电流，降低自热对二极管参数结参数的影响，同时三个脉冲电流等差数列分布，无需绘制I‑V曲线，简化了计算过程。
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公开(公告)号：CN113790818B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202110913427.0
申请日：2021-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种可见光热反射测温方法及测温设备，上述方法包括：控制待测件的温度稳定在第一预设温度，并采集待测件的反射率，作为第一反射率；控制待测件的温度升高并稳定在第二预设温度，并采集待测件的反射率，作为第二反射率；控制待测件的温度降低并稳定在第一预设温度，将待测件通电，待待测件的温度稳定后，采集通电待测件的反射率，作为第三反射率；根据第一反射率对第三反射率进行校正，得到校正后的第三反射率；根据第一反射率、第二反射率及校正后的第三反射率确定待测件的温度变化量。本发明采用不通电时的第一反射率对通电后的第三反射率进行校正，可以有效消除随机干扰，提高了测量精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112820714B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202011578776.3
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/522 , H01L49/02
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级电容标准样片及制备方法，属于半导体工艺过程监控设备校准技术领域。所述晶圆级电容标准样片，包括：晶圆片和制作在所述晶圆片上的多个芯片单元；所述芯片单元的结构中包括：多组量级不同的标称电容系列和分别与每组所述标称电容系列一一对应的开路器，所述标称电容系列包括以标称值为中心、以预设值为步进、阵列设置的多个标称电容；所述标称电容系列的容值范围为：0.5pF‑100pF。本发明所述晶圆级电容标准样片，用于PCM设备在片电容参数的整体校准，填补国内PCM设备该参数相应范围内校准领域的空白，确保PCM设备高频小电容测量数据的准确、统一，保障半导体器件工艺稳定性与产品质量。
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公开(公告)号：CN115219867A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210673374.4
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶原级半导体器件调制参数测量技术领域，尤其涉及一种矢量误差幅度测量装置和测量方法、终端及存储介质，所述装置其设有上下变频单元和信号分析仪，基于信号分析仪分析上下变频后用于加载到被测目标的信号恶化程度即频响数据，以频响数据修正矢量信号上变频以及下变频中信号恶化程度，大大减小了矢量源带来的EVM恶化的影响，提高了EVM的测量精度。在一些应用场景中，微波源包括有微波信号源和功分器，实现将信号按需要分配功率后，分别送入到上变频单元和下变频单元中，减少了系统复杂程度，采用的微波信号源数量更少，可实现太赫兹频段功放测试需求，解决现有测量设备和仪器无法测试高频待测件的难题，信号分析仪获得的分析结果更精准。
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公开(公告)号：CN114113716A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111291928.6
申请日：2021-11-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种空气共面射频微波探针及其制备方法，属于微波/毫米波在片测试技术领域，制备方法包括以下步骤：将微同轴电缆一端的外导体和介质层按预设长度剥离，得到预设长度的内导体插入端；将内导体插入端插入射频同轴连接器的中心空腔内；将射频同轴连接器安装至第一探针主体；将第二探针主体安装至第一探针主体，使得微同轴电缆按预设路径从第二探针主体伸出；将微同轴电缆的伸出端斜切至漏出内导体，得到电缆对接端；将带有辅助片的微波探针尖连接至电缆对接端；将辅助片去除，得到空气共面射频微波探针。如此可以提高工作频率，不再局限于理论研究和部分结构计算，能够将空气共面射频微波探针整个地制备出来，缩短了国内外研究差距。
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公开(公告)号：CN114102487A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111306800.2
申请日：2021-11-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于精密电装装配工艺的辅助夹具，属于微组装技术领域，包括基板、两组位移台、两组夹具组件和显微镜组件，位移台可在基板XYZ三轴方向上调节，配合其在基板上滑动，夹具组件设置在位移台上，从而可调节夹具组件夹持待装配的电子元器件的位置，通过显微镜组件的调节和其显示的图像，配合调节位移台以完成电子元器件装配动作。本发明提供的一种用于精密电装装配工艺的辅助夹具，解决了精密电装装配精准性低，组装效率低的技术问题，具有对精密电装装配过程易观察，装配精准性高，装配不易失误，提高组装效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN113932925A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111022849.5
申请日：2021-09-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明提供一种可见光热反射测温时的波长选择方法及终端。该方法包括：在预设波长范围内一波长的光源照射下，向被测件施加预设脉冲调制信号；经过第一预设时间间隔后，分别获得被测件在预设脉冲调制信号的高电平时的第一反射率和低电平时的第二反射率；在预设波长范围内多次改变光源的波长，获得每个波长对应的高电平时的第一反射率和低电平时的第二反射率；根据预设波长范围内各个波长对应的第一反射率和第二反射率，选择被测件测温时的波长。本发明能够降低可见光热反射测温时的波长选择方法的耗时，提高可见光热反射测温时的波长选择方法的效率，同时提高可见光热反射测温时的波长选择的准确性。
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