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公开(公告)号：CN111983311A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010717515.9
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数测量方法，包括：建立噪声接收机的超定方程，并根据噪声接收机的超定方程得到噪声接收机的噪声相关矩阵；建立被测件级联噪声接收机的超定方程，并根据被测件级联噪声接收机的超定方程得到被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵；根据噪声接收机的噪声相关矩阵和被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵得到被测件的噪声相关矩阵，并根据被测件的噪声相关矩阵得到被测件的噪声参数。本发明能够实现对被测件的噪声参数的准确测量，提高噪声测量的精度。
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公开(公告)号：CN108107392B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201711159640.7
申请日：2017-11-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了多线TRL校准方法及终端设备，该方法包括：对TRL校准过程中的误差进行分析，建立用于求解传播常数和校准常数的误差分析模型；利用多根、冗余的传输线作为标准覆盖每一个频点，根据有效相移规则选取公共线，并将公共线与其它每个传输线组成线对，每组线对之间形成独立测量，并根据所述误差分析模型得到多组传播常数和校准常数的观测值；通过预处理方法对传输线的测量结果进行处理，并根据处理结果更新公共传输线。上述方法及终端设备，能够提高在片S参数测试准确度。
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公开(公告)号：CN110286345A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910429556.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了矢量网络分析仪在片S参数的校准方法、系统及设备，方法包括：获取矢量网络分析仪测量的第一串扰校准件的第一参数；基于第一串扰校准件的第一参数和第一串扰校准件的标定参数获得主串扰误差项；获取矢量网络分析仪基于主串扰误差项测量的第二串扰校准件的第二参数；基于第二串扰校准件的第二参数和所述第二串扰校准件的标定参数获得次串扰误差项，主串扰误差项和次串扰误差项用于校准矢量网络分析仪。通过主串扰误差项，在矢量网络分析仪测量被测件的在片S参数时进行修正，解决了测量时探针与探针之间的主要串扰误差，通过次串扰误差项，解决了主串扰误差项修正不完善引起的剩余误差，提高了在片S参数校准的准确度。
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公开(公告)号：CN106446337B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610737112.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种无源器件噪声标准值的计算方法，涉及噪声测量技术领域。该方法包括以下步骤：建立无源器件的散射参数‑噪声模型；根据所述无源器件的散射参数‑噪声模型得出所述无源器件的噪声相关矩阵；所述无源器件的噪声相关矩阵中包含无源器件的环境温度；根据所述无源器件的噪声相关矩阵获得所述无源器件的噪声参数标准值；根据所述无源器件的噪声参数标准值得出所述无源器件的噪声系数标准值。上述无源器件噪声标准值的计算方法，能够提高噪声标准值的计算准确度，提升噪声测量系统计量验证水平。
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公开(公告)号：CN106772172B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610985271.6
申请日：2016-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种在片高低温S参数TRL校准件的设计方法，涉及测量电变量或磁变量的方法技术领域。所述方法包括以下步骤：1）在片S参数校准件的设计：针对不同的校准温度，分别设计不同温度的在片S参数校准件，在片S参数校准件采用共面波导传输线结构、TRL形式，包括直通标准件T、反射标准件R、传输线标准件L；2）在片终端电阻的设计。所述方法完成了在片高低温S参数校准件的设计与制作，完成在片校准件在不同温度下的表征，实现了不同温度下在片高低温S参数测试系统的有效校准，确保在片高低温S参数测量结果准确一致，且所述方法操作简单，校准准确度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108051456A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711203341.9
申请日：2017-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种X‑CT系统用测量夹具，属于测试夹具领域。所述测量夹具包括：样品台，底面设置与扫描转台匹配的定位凹台；载片柱，下部与所述样品台固定连接，且所述载片柱的旋转轴与所述样品台的旋转轴平行，中部为柱体，上部为设置在所述柱体顶面上、与所述柱体成一体结构的透明薄板；胶片，用于粘结待测器件，设置在所述透明薄板的表面。上述技术方案中，透明薄板不会相对样品台产生相对位移，进而微小器件也不会发生位移，测量结果准确、可靠，同时透明薄板减小了对X射线的衰减，实现了用X‑CT高准确度地测量微小器件的结构，填补了微小器件测试夹具的空白。
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公开(公告)号：CN115219867B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210673374.4
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶原级半导体器件调制参数测量技术领域，尤其涉及一种矢量误差幅度测量装置和测量方法、终端及存储介质，所述装置其设有上下变频单元和信号分析仪，基于信号分析仪分析上下变频后用于加载到被测目标的信号恶化程度即频响数据，以频响数据修正矢量信号上变频以及下变频中信号恶化程度，大大减小了矢量源带来的EVM恶化的影响，提高了EVM的测量精度。在一些应用场景中，微波源包括有微波信号源和功分器，实现将信号按需要分配功率后，分别送入到上变频单元和下变频单元中，减少了系统复杂程度，采用的微波信号源数量更少，可实现太赫兹频段功放测试需求，解决现有测量设备和仪器无法测试高频待测件的难题，信号分析仪获得的分析结果更精准。
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公开(公告)号：CN115219816B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210743221.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于外接圆心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的外接圆圆心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN114252831B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202111527176.9
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本申请适用于射频/微波/毫米波测试技术领域，提供了太赫兹在片同轴验证及优化选择系统、方法及装置，该太赫兹在片同轴验证及优化选择系统，包括：矢量网络分析仪、第一衰减器、第二衰减器、第一功率分配器和第二功率分配器；该太赫兹在片同轴验证及优化选择方法包括：通过太赫兹在片同轴验证及优化选择系统，对标准件进行同轴模拟验证，确定标准件的组合；基于16项误差模型，计算组合中标准件的测量值与真实值的偏差；根据偏差和被测件的测量值，得到被测件的真实值。本申请通过对标准件的选择，确定了合适的标准件组合，在使用标准件数最小的情况下，使用精度最高的校准标准组合，提高了校准的精确度，进一步提高了太赫兹在片测量的精准度。
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公开(公告)号：CN114509607B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210005803.0
申请日：2022-01-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种功率源反射系数的测量方法及系统。该方法包括：对矢量网络分析仪的两端口进行校准，采用校准后的矢量网络分析仪测量处于不同阻抗状态的阻抗调配器的S参数；采用校准后的矢量网络分析仪测量功率探头的反射系数；基于功率源的不同输出功率和处于不同阻抗状态的阻抗调配器，从功率计上分别读取与输出功率对应的功率值；根据S参数、反射系数以及功率值求解超定方程，得到功率源的反射系数。本发明能够准确测量功率源的反射系数。
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