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公开(公告)号：CN106130501A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610608482.8
申请日：2016-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H03H9/171 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/54 , H03H2003/023
Abstract: 本发明公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本发明包含衬底，设于衬底上的布拉格反射层、设于布拉格反射层上的导电层、压电层、上金属电极，所述导电层为Ⅲ族氮化物导电层，所述压电层为Ⅲ族氮化物压电层，Ⅲ族氮化物导电层与Ⅲ族氮化物压电层之间产生高迁移率二维电子气作为压电电荷的收集电极和疏运通道。避免了先沉积下金属电极，再在金属电极上制备压电层的过程，实现了下导电材料层和压电材料层之间的连续制备，工艺流程简单、方便，并且同为Ⅲ族氮化物的导电层上制备的压电材料晶体质量更好，压电系数更高，利用这种结构的谐振器组成的滤波器的滤波性能更好。
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公开(公告)号：CN103400854A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310313080.1
申请日：2013-07-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，属于半导体高频功率器件和高压器件。本发明中栅结构是由沿栅宽方向介质栅和肖特基栅交替连接组成。和常规栅结构相比，本发明主要创新是采用沿栅宽方向肖特基栅和介质栅交替出现的新型栅结构；利用介质栅降低泄露电流，同时利用肖特基栅提高栅控能力，缓解半导体器件击穿电压和频率特性的矛盾关系；同时，与常规介质栅工艺相比，本发明只需改变刻蚀栅介质的光刻版，不增加工艺步骤和成本。
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公开(公告)号：CN103311180A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310184126.4
申请日：2013-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法，涉及微波单片集成电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：（1）将有源器件形成于半导体基板的正面，无源器件形成于半导体基板的背面；（2）通过有源器件上的栅极PAD以及漏极PAD下的金属通孔将有源器件和无源器件进行电连接；（3）通过有源器件上的源极PAD与零势面的直接接触实现有源器件的源极接地；（4）对上述器件进行封装，在封装过程中需要倒装。所述方法可以将源极寄生电感值降低到最小，同时改善芯片的散热特性，降低芯片对半导体基板厚度的要求，方便加工，提高成品率。
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公开(公告)号：CN103258843A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310208689.2
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发明给出的在半绝缘衬底背面制作多孔结构，可以大幅降低肖特基二极管的寄生电容，提高肖特基二极管的截止频率，同时也可以增加肖特基二极管的散热能力，提高肖特基二极管用于倍频时的转换效率。
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公开(公告)号：CN111146294B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201911231383.2
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该肖特基二极管包括：衬底；n型氧化镓层，形成在所述衬底上，其中，所述n型氧化镓层中包括：至少一个第一热氧化区和两个第二热氧化区；阳极金属层，形成在所述n型氧化镓层上；第一热氧化区位于阳极金属层下方，第二热氧化区部分位于阳极金属层下方；阴极金属层，形成在衬底的背面；其中，至少一个第一热氧化区设有凹槽结构。上述肖特基二极管相对于现有的肖特基二极管阳极结处电场更优，耐高压特性和导通特性更好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115940818A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310009442.1
申请日：2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明提供一种太赫兹倍频电路芯片和太赫兹二倍频器。该芯片包括：衬底。对称集成于所述衬底上的第一微带探针、第二微带探针、第一倍频支路和第二倍频支路。第一肖特基二极管模块的输入端连接第一微带探针，第一肖特基二极管模块的输出端连接第一微带线的输入端。第二肖特基二极管模块的输入端连接第二微带探针，第二肖特基二极管模块的输出端连接第二微带线的输入端。连接第一微带线的输出端和第二微带线的输出端的第三微带探针。本发明能够基于半导体制造工艺将两路倍频支路制备在同一个衬底上，并通过衬底表面的微带线实现两路倍频支路功率合成，基于同一衬底制备倍频电路并实现功率合成方式，相位一致性高，功率合成效率高。
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公开(公告)号：CN115911034A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310004376.9
申请日：2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/08 , H01L21/822 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明实施例提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法，该器件包括：衬底；位于衬底上表面的绝缘氮化镓层；位于绝缘氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；两个台面结构从下向上依次为P‑氮化镓层和P+氮化镓层，且均嵌入设置在钝化层内；两个台面结构各自的下表面间隔预设距离；位于第一台面结构上表面的第一正极和位于第二台面结构上表面的第二正极；两个正极嵌入设置在钝化层内；且钝化层上与第一正极对应的位置设置有第一电极孔，钝化层上与第二正极对应的位置设置有第二电极孔。本发明通过调节两个台面结构下表面间隔的预设距离，可以调节氮化镓双向TVS器件的击穿电压，从而有利于满足低钳位电压的工作需要。
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公开(公告)号：CN112289866B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202011085010.1
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L27/08
Abstract: 本发明提供了一种大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，属于半导体器件技术领域，包括多个串联单元，串联单元的数量为偶数，每个串联单元包括多个同向串联的肖特基结；多个串联单元反向并联。本发明提供的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，利用串联电路和并联电路的原理，采用多个同向串联肖特基结进行反向并联的形式，通过增加肖特基结个数，使得倍频器可以承受更大的输入功率，从而得到更大的输出功率。
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公开(公告)号：CN110197854B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201910537186.7
申请日：2019-06-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓SBD终端结构，自下至上包括阴极金属层、N+高浓度衬底层、N‑低浓度Ga2O3外延层和阳极金属层，其中所述N‑低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小。该结构能够改善氧化镓SBD终端器件的击穿特性，进一步提高其击穿电压。
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公开(公告)号：CN111599745B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202010484913.0
申请日：2020-06-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明适用于太赫兹技术领域，提供了一种太赫兹二极管电路装配板及其制备方法，该太赫兹二极管电路装配板包括：用于装配太赫兹二极管的电路基板，还包括：多个太赫兹二极管定位桩；其中多个太赫兹二极管定位桩设置于电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧，用于固定所述太赫兹二极管。本发明通过设置在用于装配太赫兹二极管的电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧的多个太赫兹二极管定位桩，有利于太赫兹二极管装配位置的定位，可以将太赫兹二极管准确且牢固地固定到电路基板上，有利于由太赫兹二极管装配构成的最终电路性能的稳定。
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