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公开(公告)号：CN118053932A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410121889.2
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L31/0312
Abstract: 本发明提供一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件，该探测器包括：碳化硅衬底，以及在碳化硅衬底上、自下而上依次外延生长的缓冲层、倍增层、电荷层、渐变层、吸收层和接触层；渐变层的掺杂浓度自下而上依次减小，其中，吸收层的掺杂浓度低于电荷层的掺杂浓度；渐变层的最大掺杂浓度小于等于电荷层的掺杂浓度；渐变层的最小掺杂浓度大于等于吸收层的掺杂浓度。本发明通过在掺杂浓度差异较大的吸收层与电荷层之间设置渐变层，可通过渐变层的掺杂浓度渐变实现吸收层与电荷层的能带渐变，可有效减少吸收层与电荷层之间电荷累积，提高光生载流子的输运效率，降低体内漏电，降低探测器的暗电流和暗计数率，显著提升光电探测效率。
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公开(公告)号：CN118053738A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410054141.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56
Abstract: 本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在碳化硅衬底的表面生成氧化镓缓冲层；对反应室抽真空并更换为氢气气氛，并升温至第二预设温度，对氧化镓缓冲层进行第二预设时长的原位退火；对反应室抽真空，并将反应室环境更换至载气为第二载气、Ga源为第二Ga源、氧源为氧气，进行第三预设时长的外延生长，以在氧化镓缓冲层的表面生成氧化镓外延层。本申请能够获得大尺寸高质量的碳化硅基氧化镓外延片，并提高外延片的散热性能。
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公开(公告)号：CN110335898A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910717855.9
申请日：2019-08-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L21/335
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，尤其涉及一种GaN基异质结场效应晶体管及制造方法。所述晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层及分列于所述势垒层上的源极、栅极和漏极；其中，所述插入层的形成材料包括：B(Al,Ga,In)N；所述势垒层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度，且所述势垒层的禁带宽度小于所述插入层的禁带宽度。其中B(Al,Ga,In)N材质的插入层具有大的禁带宽度，能够提高势垒层和沟道层的有效导带带阶，形成更深而窄的量子阱来贮存二维电子气(2DEG)，二维电子气域性更好，从而有效改善了GaN基异质结场效应晶体管性能。
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公开(公告)号：CN109887838A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811475672.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/223 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法，包括：在衬底上生长GaN材料，并在生长所述GaN材料时通入铁元素；达到第一预设条件时停止通入所述铁元素，开始通入三甲基铟；达到第二预设条件时结束生长所述GaN材料，并停止通入所述三甲基铟。本发明通过在停止通入所述铁元素时通入三甲基铟，降低表面Fe元素的残留，加速残余Fe元素的解析，从而降低生长Fe掺杂GaN材料时关闭Fe源后GaN材料中的拖尾现象，减小关闭Fe源后Fe元素进入GaN沟道的风险，提高氮化镓器件的击穿电压，提高氮化镓器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106130501B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610608482.8
申请日：2016-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本发明包含衬底，设于衬底上的布拉格反射层、设于布拉格反射层上的导电层、压电层、上金属电极，所述导电层为Ⅲ族氮化物导电层，所述压电层为Ⅲ族氮化物压电层，Ⅲ族氮化物导电层与Ⅲ族氮化物压电层之间产生高迁移率二维电子气作为压电电荷的收集电极和疏运通道。避免了先沉积下金属电极，再在金属电极上制备压电层的过程，实现了下导电材料层和压电材料层之间的连续制备，工艺流程简单、方便，并且同为Ⅲ族氮化物的导电层上制备的压电材料晶体质量更好，压电系数更高，利用这种结构的谐振器组成的滤波器的滤波性能更好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107644813A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710826751.2
申请日：2017-09-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓外延片的钝化方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓外延层；在所述氮化镓外延层上生长势垒层；在所述势垒层上沉积铝原子；将所述氮化镓外延片暴露在空气中，以使得所述氮化镓外延片在空气中氧化形成氧化层作为钝化层。本发明能够改善材料的表面态，有效地抑制电流崩塌现象，并且钝化保护层通过在空气中自然氧化生成，不需要额外的设备，制备方法简单。
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公开(公告)号：CN104867818B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510153852.9
申请日：2015-04-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，涉及半导体器件技术领域；包括如下步骤：（1） 衬底准备：选取碳化硅衬底，对其进行标准清洗待用；（2） 初步外延生长：在碳化硅衬底上用化学气相沉积法进行初步外延生长较薄外延层；（3）原位退火：切断外延生长源，对设备反应室抽真空，在1650℃～2000℃条件下，对步骤（2）外延后的样品进行退火处理；（4） 再外延生长：对步骤（3）退火后的样品，进行再外延生长，至所需厚度。本发明能够显著减小外延层中的残余应力，有效减少衬底传播外延层中缺陷，获取缺陷密度小的高质量碳化硅外延材料。
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公开(公告)号：CN106130501A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610608482.8
申请日：2016-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H03H9/171 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/54 , H03H2003/023
Abstract: 本发明公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本发明包含衬底，设于衬底上的布拉格反射层、设于布拉格反射层上的导电层、压电层、上金属电极，所述导电层为Ⅲ族氮化物导电层，所述压电层为Ⅲ族氮化物压电层，Ⅲ族氮化物导电层与Ⅲ族氮化物压电层之间产生高迁移率二维电子气作为压电电荷的收集电极和疏运通道。避免了先沉积下金属电极，再在金属电极上制备压电层的过程，实现了下导电材料层和压电材料层之间的连续制备，工艺流程简单、方便，并且同为Ⅲ族氮化物的导电层上制备的压电材料晶体质量更好，压电系数更高，利用这种结构的谐振器组成的滤波器的滤波性能更好。
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公开(公告)号：CN113628955A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110678123.0
申请日：2021-06-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于氮化物材料制备方法技术领域，提供了一种用于氮化物外延材料的衬底预处理方法及外延材料。其中，用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，在衬底上生长外延材料之前还包括以下步骤：将衬底设置在反应室内、并将衬底升温至700℃‑1600℃；向反应室内通入MO源和载气对衬底表面进行预处理，MO源为三甲基镓、三甲基铟或三乙基镓中的一种或多种；达到预设时间后，停止通入MO源。本申请提供的用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，在生长外延材料之前，首先对衬底进行预处理，一方面可清洁衬底，另一方面可在衬底表面形成如自由基、原子、离子等微粒，这些微粒可以改善氮化物外延材料的晶体质量，进而改善器件的功率、频率特性。
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公开(公告)号：CN113628954A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110674045.7
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种SiC衬底上GaN基材料的制备方法及半导体器件，属于半导体材料制备技术领域，包括氮化物外延方法和工艺，在SiC衬底上生长BxAl1‑xN形核层；在BxAl1‑xN形核层上生长AlyGa1‑yN缓冲层；在AlyGa1‑yN缓冲层上生长GaN基材料；在GaN基材料上生长功能层。本发明提供的SiC衬底上GaN基材料的制备方法，在SiC衬底上生长BxAl1‑xN形核层和AlyGa1‑yN缓冲层，可以有效降低SiC衬底和GaN基材料间的晶格失配，提高SiC衬底上GaN基材料的晶体质量，进而提高相关器件的性能。
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