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公开(公告)号：CN113624358B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202110803448.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种用于光热反射显微热成像的三维位移补偿方法及控制装置。该方法包括：获取被测件位于待补偿位置时的采集图像，及被测件位于参考位置时的参考图像；根据参考图像计算得到第一傅里叶变换，根据采集图像计算得到第二傅里叶变换；根据第一傅里叶变换和第二傅里叶变换，确定光热反射显微热成像装置中光学子系统的点扩散函数的峰值点坐标和拟合直径；根据峰值点坐标、拟合直径和光热反射显微热成像装置中光学子系统的成像参数，计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，以对被测件进行三维位移补偿。本发明能够同时计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，进而提高位移补偿的工作效率。
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公开(公告)号：CN112526425B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011133324.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种基于热阻标准件的热阻测量仪器校准方法及装置，该方法包括：控制热阻标准件处于预设温度下，向热阻标准件输入预设测试电流，并测量热阻标准件的第一结电压，根据预设温度和第一结电压确定热阻标准件的校温曲线；向热阻标准件输入预设工作电流，待热阻标准件的结温稳定后，测量热阻标准件的第二结电压；基于校温曲线以及第二结电压，确定热阻标准件在预设工作电流下的结温，并根据结温确定热阻标准件的标准热阻值；根据标准热阻值对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准，能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN112097949B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010797316.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种光热反射测温方法及装置，所述方法包括：控制被测件处于预设初始温度，采集被测件此时的反射率，得到第一反射率；控制被测件的温度升高ΔT0，在被测件温度改变的同时向被测件通入电流，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第二反射率；控制通电被测件的温度降低ΔT0，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第三反射率；基于第一反射率、第二反射率和第三反射率确定被测件的温度变化量。本发明能够一次性测量被测件的温度变化量，节省电流周期性变化时等待被测件温度稳定所需的时间，提高测量效率。
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公开(公告)号：CN113962876A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110832665.9
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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公开(公告)号：CN110335219B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910645948.5
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112820715A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011579083.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种校准用晶圆级在片电阻标准样片及制备方法，属于半导体工艺过程监控设备校准技术领域。所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，包括：晶圆片和制作在所述晶圆片上的多个芯片单元；所述芯片单元的结构中包括：多组不同量级的标称电阻系列和分别与每组所述标称电阻系列一一对应的短路器，所述标称电阻系列包括以标称值为中心、以预设值为步进、阵列设置的多个标称电阻；所述标称电阻系列的阻值范围为：0.1Ω‑10kΩ。本发明所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，用于PCM设备在片电阻参数的整体校准，填补国内PCM设备该参数相应范围内校准领域的空白，确保PCM设备小电阻测量数据的准确、一致，保障半导体器件工艺稳定性与产品质量。
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公开(公告)号：CN112097949A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010797316.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种光热反射测温方法及装置，所述方法包括：控制被测件处于预设初始温度，采集被测件此时的反射率，得到第一反射率；控制被测件的温度升高ΔT0，在被测件温度改变的同时向被测件通入电流，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第二反射率；控制通电被测件的温度降低ΔT0，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第三反射率；基于第一反射率、第二反射率和第三反射率确定被测件的温度变化量。本发明能够一次性测量被测件的温度变化量，节省电流周期性变化时等待被测件温度稳定所需的时间，提高测量效率。
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公开(公告)号：CN106526322A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610956483.1
申请日：2016-10-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/02
CPC classification number: G01R27/025
Abstract: 本发明公开了一种可溯源的在片高值电阻测量系统，属于测试和测量技术领域。可溯源的在片高值电阻测量系统包括高值电阻测量仪器、探针系统，高值电阻测量仪器和探针系统通过线缆连接，探针系统包括探针一组和探针二组，所述高值电阻测量仪器与探针一组连接或与探针二组连接。其溯源方法为，高值电阻测量仪器通过线缆与探针一组连接，标准高值电阻通过线缆与探针二组连接；在片直通对接线连接探针一组和探针二组。本发明的测量系统能够提供可溯源的在片高值电阻参数测试数据，使得在片高值电阻测试数据的准确性可验证，不同系统的测试数据之间可比较。其溯源方法可以实现参数溯源并提供关于测试数据的不确定度信息。
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公开(公告)号：CN113962877B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110832668.2
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T5/80
Abstract: 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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公开(公告)号：CN116087620A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310123457.0
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种片内热阻测试方法、装置、终端及存储介质，本发明方法首先根据多个电流以及与所述多个电流相对应的多个电极温升，构建电极的温升曲线；然后，根据热波的穿透特性以及所述温升曲线，确定目标电流，其中，所述目标电流产生的热波穿透所述功能层以及所述衬底层并抵达所述衬底层与所述粘结层的边界；最后，根据目标温升确定所述芯片的片内热阻，其中，所述目标温升根据所述目标电流以及所述温升曲线确定。本发明方法能够实现芯片本身热阻测准确测试，从而评估芯片散热性能，指导芯片热设计工作开展。
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