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公开(公告)号：CN114792986B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202110095337.5
申请日：2021-01-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及供电系统给大动态负载供电变换领域，公开了一种用于匹配大动态负载变化的双向BUCK/BOOST储能电路，该电路由MOS管S1、二极管D1、MOS管S2、二极管D2、电感L和储能电容Cs组成，其中，MOS管S1的漏源极(DS)与二极管D1等效并联，MOS管S2的漏源极(DS)与二极管D2等效并联，MOS管S1的源极与MOS管S2的漏极相连，MOS管S1与MOS管S2的驱动信号互补，电感L和储能电容Cs串联后并联在MOS管S2上。本发明提供的双向BUCK/BOOST储能电路相较现有技术，可提高储能电容的能量利用率，通过单级变换实现高效率。
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公开(公告)号：CN112349656A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011038852.1
申请日：2020-09-28
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/043 , H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种系统级封装结构及其制造方法，所述结构包括：有机多层电路板、金属围框、BGA焊球、预成型焊片一、预成型焊片二和带有凸台的金属盖板；金属围框包括围框结构体和隔筋；金属围框的围框结构体和隔筋上方与带有凸台的金属盖板相匹配；BGA焊球植于有机多层电路板背面；金属围框下方使用预成型焊片一焊接于有机多层电路板正面；金属围框的隔筋上方与金属盖板的凸台使用预成型焊片二焊接，金属盖板的四周与金属围框的围框结构体上方气密焊接，使得金属盖板和有机多层电路板之间，通过金属围框分割成若干个腔体；各个腔体中的有机多层电路板正面用于安装裸管芯或封装器件。本发明提供一种低成本、高密度、小型化的系统级封装方案。
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公开(公告)号：CN112086371A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010836860.4
申请日：2020-08-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/552 , H01L23/66
摘要： 本发明公开了一种宽带射频板级互连集成方法、结构及装置，包括：步骤1，制作金属屏蔽结构；步骤2，在射频单元封装基板表面制作图形化焊盘，将所述金属屏蔽结构焊接至射频单元封装基板对应的焊盘图形区域，并预置焊点；步骤3，在射频母板表面制作图形化焊盘，该图形化焊盘与射频单元封装基板上的焊盘图形对应；步骤4，将载有金属屏蔽结构、焊点的所述射频单元封装基板与所述射频母板焊接，完成板级互连等；本发明完成宽带射频单元封装基板与射频母板的板级互连，可以改善驻波、降低传输损耗，缓解热失配，提升板级互连可靠性，满足射频、数字、接地等信号的灵活传输。
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公开(公告)号：CN107069354A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710361137.3
申请日：2017-05-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及射频连接器技术领域，公开了一种微型射频连接器。包括N层电路基材、设置在电路基材上的多个金属化接地孔和金属化信号互连孔、以及互连焊接金属层和接地焊接金属层，所述N为大于1的自然数，所述金属化接地孔和金属化信号互连孔按照同轴结构排列，同轴轴线位于金属化信号互连孔中心，最上层和最下层电路基材的外表面涂覆了接地焊接金属层和互连焊接金属层，所述互连焊接金属层位于金属化信号互连孔的两端，所述接地焊接金属层围住互连焊接金属层。本发明还公开了一种微信射频连接器的制作方法。
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公开(公告)号：CN105789071A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610189122.9
申请日：2016-03-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/603 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67121 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/7555 , H01L2224/8119 , H01L2224/818
摘要： 本发明涉及微波芯片共晶技术，本发明公开了一种用于微波芯片共晶加压的装置，具体包括基板限位器、芯片限位器和点接触压块，芯片限位器上设置芯片限位孔，所述芯片限位孔的尺寸与芯片的尺寸相匹配，用作芯片的限位；芯片的下表面通过焊片与基板的上表面相接触；所述点接触压块的底板上设置微支撑柱，微支撑柱的数量小于或者等于芯片上表面的焊盘数量，微支撑柱的位置与芯片上表面的焊盘位置镜像对称，点接触压块上的微支撑柱与芯片上表面的焊盘相接触。芯片与基板共晶时，点接触压块上只有微支撑柱与芯片表面的焊盘相接触，避免了微波芯片表面“空气桥”等特殊结构的损伤。本发明还公开了一种微波芯片共晶加压方法。
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公开(公告)号：CN112163392B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202010853694.9
申请日：2020-08-24
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： G06F30/39
摘要： 本发明涉及封装基板技术领域，公开了一种微波组件封装基板加工文件的自动生成方法、介质及设备，本发明提供的方法包括以下几个步骤：步骤1：加载封装基板的设计文件；步骤2：对设计文件中的设计元素进行识别，获取与基板类型对应的实体要素；步骤3：解析获得的实体要素信息；步骤4：根据封装基板类型写入实体要素信息，并生成加工文件。基于本方法可得到完整的加工文件；其本方法兼容当前基板工艺流程，可显著提升加工文件生成的效率及准确率，减少对人工经验的依赖。
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公开(公告)号：CN112968453B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202110095359.1
申请日：2021-01-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及供电系统给大动态负载供电变换领域，公开了一种通过BUCK储能电路匹配大动态负载变化的方法，当负载减小导致发电机或供电系统输出功率减小时，通过BUCK电路降压对储能电容充电储能,从而使供电系统的输出功率缓慢减小；在负载功率加大时,通过BOOST电路升压，使储能电容给负载供电,从而使供电系统的输出功率缓慢增大。从而使发电机不会因负载大动态的突然变化而引起震荡。最终实现发电机的供电能量平滑，减小发电系统侧的功率快速脉动，改善电源系统的电流调制问题。本发明相较现有技术，可实现储能电容能量高效利用，提升电源系统的效率，减小散热系统压力。
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公开(公告)号：CN112404786B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202011039158.1
申请日：2020-09-28
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种提升气密性软钎焊效果的结构及其焊接工艺，所述结构包括：带有凸台的围框和基板；所述基板包括基材，以及设置在基材上的焊盘和阻焊层；所述阻焊层围绕在焊盘周围，形成焊接区；所述围框通过将凸台放置于焊接区中，与基板之间形成焊料熔化填充区。本发明因围框上带有凸台，凸台两边的焊料熔化填充区中，焊料连接界面的两端有较大空间用于助焊剂排出，因此可以在连接界面形成低空洞的结构，低空洞率可以降低气密性失效概率，同时提升连接强度。通过实验，相比采用同样的焊盘，宽度为0.6mm的无凸台围框，采用完全相同的焊接工艺焊接后，焊接面空洞率降低50％，焊后剪切强度提升2倍以上。
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公开(公告)号：CN114792986A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110095337.5
申请日：2021-01-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及供电系统给大动态负载供电变换领域，公开了一种用于匹配大动态负载变化的双向BUCK/BOOST储能电路，该电路由MOS管S1、二极管D1、MOS管S2、二极管D2、电感L和储能电容Cs组成，其中，MOS管S1的漏源极(DS)与二极管D1等效并联，MOS管S2的漏源极(DS)与二极管D2等效并联，MOS管S1的源极与MOS管S2的漏极相连，MOS管S1与MOS管S2的驱动信号互补，电感L和储能电容Cs串联后并联在MOS管S2上。本发明提供的双向BUCK/BOOST储能电路相较现有技术，可提高储能电容的能量利用率，通过单级变换实现高效率。
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公开(公告)号：CN111933577B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202010679586.4
申请日：2020-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种气密封装单元局部大面积焊接板级互连集成方法。本发明所涉及的焊盘增强型气密封装单元局部大面积焊接板级互连集成方法，通过HTCC工艺完成基板上增强型焊盘的制作；通过将封装基板、复合围框、盖板采用多温度梯度焊接实现气密封装；通过锡铅焊球/焊柱和复合围框结构组合焊接的方法，完成气密封装单元与系统母板的高可靠板级互连。
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