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公开(公告)号：CN114256175B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202111483901.7
申请日：2021-12-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/46 , H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及微电子散热技术领域，公开了一种嵌入微流道的瓦片式TR组件及其制备方法，该瓦片式TR组件，包括盒体、嵌入所述盒体内的分流网络、设于所述盒体内的与所述分流网络连通的微流道、设于所述微流道上方的大功率芯片，所述分流网络连接有用以与盒体外部空间连通的进出液口，所述分流网络、所述微流道用以通过散热流体。本发明解决了现有技术存在的难以在满足组件电气功能的同时解决瓦片式TR组件散热问题等不足。
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公开(公告)号：CN114239389B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111484853.3
申请日：2021-12-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了涉及射频电性能仿真技术领域，公开了一种微波射频工艺IP仿真模型高保真建模方法及系统，该建模方法，包括以下步骤：S1，选定微波射频传输结构，将选定的微波射频传输结构参数化；S2，建立微波射频传输结构的电磁仿真模型,基于仿真样本数据建立预训练神经网络模型，然后求取预训练神经网络模型的伴随神经网络模型；S3，根据实物样件，建立实测神经网络模型；S4，采用预训练神经网络模型的伴随神经网络模型与实测神经网络模型对微波射频传输结构进行融合预测。本发明解决了现有技术存在的样件数量需求大、提参成本高、难以获得工艺IP仿真建模所需的精确足量的数据等问题。
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公开(公告)号：CN112420679B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011309710.4
申请日：2020-11-20
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/66
摘要： 本发明公开了一种射频模块三维堆叠结构及其制作方法，包括玻璃帽层、玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层、陶瓷封装层与射频芯片；玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层均设有通孔与互连线；玻璃帽层、玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层、陶瓷封装层自上而下依次堆叠互连；射频芯片位于硅基载体层的上表面和玻璃载体层的上表面，通过引线结构与载体层上的电路焊盘连接等；本发明通过多种材料高密度基板的组合与堆叠，实现射频模块性能更优，密度更高，并且集成工艺简单灵活，可靠性更好等。
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公开(公告)号：CN115602636A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211361073.4
申请日：2022-11-02
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/16 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种三维气密封装结构及封装方法，包括相对设置的顶部封装基板和底部封装基板，顶部封装基板与底部封装基板均设置有芯片模组；用以形成气密结构的组合围框结构，组合围框结构包括限位件和围框件，限位件与围框件的相对配合面设置有对位配合结构；设置于顶部封装基板与底部封装基板之间的微柱结构，包括微柱体与微焊球，微柱体与微焊球导通顶部封装基板与底部封装基板。本发明通精确控制围框件与微柱体结构的高度一致，满足封装内上下两面均集成芯片的互连高度以及封装气密性的要求。限位件与围框件之间的相对配合面结构，提高了顶部封装基板与底部封装基板的对位效率，避免了繁琐的高精度对位操作。
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公开(公告)号：CN113139309B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110294578.2
申请日：2021-03-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： G06F30/23 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F119/04
摘要： 本发明公开了一种封装单元BGA板级互连交变温度载荷下数值仿真方法，包括以下步骤：S1、简化并绘制带宽射频单元BGA板级互联三维几何模型；S2、对几何模型中力学行为高保真的非关键区域BAG焊点等效处理；S3、对几何模型设置求解物理场、定义边界条件和温度载荷，并赋值材料属性；S4、进行适用于应力突变条件的结构化网络控制，保证非线性求解的收敛性；S5、通过宏观‑微观多尺度单元迭代实现关键BGA焊点的精确求解；S6、对关键单元误差控制下的特征循环寿命计算。本发明克服了传统温度循环(温度冲击)试验研究评估BGA板级互连可靠性成本高、周期长的缺点，减少了可靠性设计对实物验证的依赖性。
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公开(公告)号：CN113241331B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110437642.8
申请日：2021-04-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48 , G01N25/20
摘要： 本发明公开了一种基于阵列散热的三维集成结构及其制备方法和分析方法，该三维集成结构包括从上至下依次堆叠的芯片层、转接板层、封装层和母板层。本发明构建从芯片到封装、再到系统的高效传热路径，实现该三维集成结构原位、实时热分析，从而减小整个系统的热衰减，提升电子系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN112861456B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110128699.X
申请日：2021-01-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： G06F30/3308 , G06F113/18
摘要： 本发明公开了工艺IP仿真模型封装及库管理方法及系统、存储介质，所述方法包括S1，创建模型库工程文件，将不同类别、不同仿真版本的模型信息进行统一记录；S2，创建模型类别，在根结点下创建类别结点，把所有同类模型放置同一类别结点下；S3，分类创建模型及其基本属性，在模型类别结点下创建模型，采用树形结构表示和管理，树形结构由模型结点和模型组件子结点构成；S4，创建模型组件，先通过在模型结点下添加空模板，再通过实例化对各空模板配置具体组件文件；S5，管理维护模型库，响应本地和服务器的模型库操作等；本发明实现了仿真模型组件化封装和模型库的批量管理维护，可显著提升工艺IP仿真模型的批量开发效率及管理维护能力。
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公开(公告)号：CN114256175A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111483901.7
申请日：2021-12-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/46 , H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及微电子散热技术领域，公开了一种嵌入微流道的瓦片式TR组件及其制备方法，该瓦片式TR组件，包括盒体、嵌入所述盒体内的分流网络、设于所述盒体内的与所述分流网络连通的微流道、设于所述微流道上方的大功率芯片，所述分流网络连接有用以与盒体外部空间连通的进出液口，所述分流网络、所述微流道用以通过散热流体。本发明解决了现有技术存在的难以在满足组件电气功能的同时解决瓦片式TR组件散热问题等不足。
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公开(公告)号：CN113139309A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110294578.2
申请日：2021-03-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： G06F30/23 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F119/04
摘要： 本发明公开了一种封装单元BGA板级互连交变温度载荷下数值仿真方法，包括以下步骤：S1、简化并绘制带宽射频单元BGA板级互联三维几何模型；S2、对几何模型中力学行为高保真的非关键区域BAG焊点等效处理；S3、对几何模型设置求解物理场、定义边界条件和温度载荷，并赋值材料属性；S4、进行适用于应力突变条件的结构化网络控制，保证非线性求解的收敛性；S5、通过宏观‑微观多尺度单元迭代实现关键BGA焊点的精确求解；S6、对关键单元误差控制下的特征循环寿命计算。本发明克服了传统温度循环(温度冲击)试验研究评估BGA板级互连可靠性成本高、周期长的缺点，减少了可靠性设计对实物验证的依赖性。
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公开(公告)号：CN112861456A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110128699.X
申请日：2021-01-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： G06F30/3308 , G06F113/18
摘要： 本发明公开了工艺IP仿真模型封装及库管理方法及系统、存储介质，所述方法包括S1，创建模型库工程文件，将不同类别、不同仿真版本的模型信息进行统一记录；S2，创建模型类别，在根结点下创建类别结点，把所有同类模型放置同一类别结点下；S3，分类创建模型及其基本属性，在模型类别结点下创建模型，采用树形结构表示和管理，树形结构由模型结点和模型组件子结点构成；S4，创建模型组件，先通过在模型结点下添加空模板，再通过实例化对各空模板配置具体组件文件；S5，管理维护模型库，响应本地和服务器的模型库操作等；本发明实现了仿真模型组件化封装和模型库的批量管理维护，可显著提升工艺IP仿真模型的批量开发效率及管理维护能力。
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