-
公开(公告)号：CN117976632B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410391553.8
申请日：2024-04-02
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/66 , H01L23/552 , H01L21/768
摘要： 本申请的实施例提供了一种射频芯片垂直互联结构及其制作方法，涉及半导体领域。所述结构包括：芯片本体，所述芯片本体上设置有直流信号热过孔结构、接地背孔结构以及射频信号垂直传输结构；其中，所述射频信号垂直传输结构包括环状接地屏蔽结构和射频信号传输结构，所述环状接地屏蔽结构与所述射频信号传输结构同轴布置且不互相接触；所述环状接地屏蔽结构包括环状接地屏蔽结构正面PAD和环状接地屏蔽结构背面PAD，所述环状接地屏蔽结构正面PAD和所述环状接地屏蔽结构背面PAD通过贯穿所述芯片本体的金属通孔连接。申请的技术方案解决了热过孔在传输射频信号时存在的插损大、频带内增益陷坑和信号泄露等技术问题。
-
公开(公告)号：CN116182705A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310107718.X
申请日：2023-02-13
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种多芯片组件射频通道内键合金丝尺寸测量方法及系统，属于集成电路封装领域，其测量系统包括：测量系统控制模块、工作平台、运动模块、视觉模块、探头及传感器模块；并基于该测量系统提出了一种测量方法，包括：步骤S1：建立键合金丝尺寸标准测量模型；步骤S2：待测量件准备及确认；步骤S3：编辑测量程序；步骤S4：执行测量程序；步骤S5：测量结果报告生成；本发明，可显著提升测量结果可信度与测量效率，有助于提高多芯片组件射频通道金丝键合生产过程质量控制能力、缩短射频通道生产周期。
-
公开(公告)号：CN113673814B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202110768896.8
申请日：2021-07-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： G06Q10/0631 , G06Q50/04 , G06F16/901
摘要： 本发明公开了一种产品生产周期预测方法及系统，该产品生产周期预测方法包括以下步骤：S1，获取目标产品信息；S2，编码产品工序；S3，生成工序拓扑图；S4，搜索关键路径；S5，计算生产周期。本发明解决了现有技术存在的不能预测种类多样、生产流程呈嵌套状态的产品生产周期等问题。
-
公开(公告)号：CN114698230B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210167855.8
申请日：2022-02-23
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及微电子散热技术领域，公开了一种内嵌微流道的印制电路板三维集成结构及其制备方法，一种内嵌微流道的印制电路板三维集成结构，包括集成有二次分流网络的低流阻印制电路板、两块及以上连接于所述集成有二次分流网络的低流阻印制电路板上表面的集成有阵列散热网络的高效散热印制电路板。本发明解决了现有技术存在的三维集成结构不能同时实现高效均匀散热和高集成密度等问题。
-
公开(公告)号：CN112349700B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202011040282.X
申请日：2020-09-28
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/552
摘要： 本发明公开了一种气密高导热LCP封装基板及多芯片系统级封装结构，所述LCP封装基板包括从表面至底面分布的n层图形化金属线路层，底面的第n层图形化金属线路层设有用于焊接BGA焊球的结构；位于相邻图形化金属线路层之间的n‑1层绝缘介质层；位于第一层图形化金属线路层和第二层图形化金属线路层之间的绝缘介质层中，且开口朝向表面的第一层图形化金属线路层的多个盲槽；所述盲槽包括普通芯片安装盲槽和大功率芯片安装盲槽；位于绝缘介质层中且与大功率芯片安装盲槽的底部相接的金属块；贯穿并连接相邻图形化金属线路层的多个盲孔。本发明实现了一种能够满足多芯片、高气密要求、高电磁屏蔽、高导热要求、高可靠互联的系统级封装要求的LCP封装基板。
-
公开(公告)号：CN115055772A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210441128.6
申请日：2022-04-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种真空共晶工艺中钎缝尺寸的控制方法，该方法包括将成型的金属引线设置于共晶基板的共晶区域；将共晶钎料放置于共晶基板的共晶区域，压覆金属引线；将共晶模组放置于共晶基板的共晶区域，压覆共晶钎料；在共晶模组上放置配重块，并将共晶基板放入真空共晶炉；在预设共晶加热曲线下执行真空共晶，以使共晶钎料在真空共晶炉内溶化后，共晶模组与金属引线形成标准的钎缝。本发明通过在共晶时将引线放入共晶区域来限制钎缝的尺寸，然后通过增加原有的压力，以使钎料在共晶炉中溶化后，芯片或者模组压住引线，形成一个标准的钎缝，进而钎料在标准缝隙里润湿达到良好的共晶效果，解决共晶压力与钎料张力难平衡的问题。
-
公开(公告)号：CN112911809B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110070684.2
申请日：2021-01-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H05K3/00
摘要： 本发明公开了一种多层印制电路板盲槽结构加工方法和装置，属于印制板生产技术领域。通过预先在上子板的下表面利用辅助胶带进行控深切割，批量制作用于盲槽填充的胶带凸块结构，在对位叠层和层压过程中一次性实现盲槽内胶带凸块的批量对位填充；并在层压切割后，对上子板和其下的胶带凸块一起去除，获得加工后的盲槽结构。本发明提供的加工方案解决了现有技术垫片手工填充过程对位困难、效率低的问题，尤其适用包含多个盲槽结构多层印制板的制造，其次通过深度控制开槽去除盲槽内块后，因和盲槽底部直接接触的胶带下表面并不具有黏性，因此盲槽底部洁净、无残胶，避免了现有技术垫片去除存在的效率低、易残胶等不足，也提高了多层板盲槽的质量。
-
公开(公告)号：CN114698230A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210167855.8
申请日：2022-02-23
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及微电子散热技术领域，公开了一种内嵌微流道的印制电路板三维集成结构及其制备方法，一种内嵌微流道的印制电路板三维集成结构，包括集成有二次分流网络的低流阻印制电路板、两块及以上连接于所述集成有二次分流网络的低流阻印制电路板上表面的集成有阵列散热网络的高效散热印制电路板。本发明解决了现有技术存在的三维集成结构不能同时实现高效均匀散热和高集成密度等问题。
-
公开(公告)号：CN112672521B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110070454.6
申请日：2021-01-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H05K3/00
摘要： 本发明公开了一种多层板盲槽结构加工方法和装置，可应用于各类盲槽加工，属于印制板生产技术领域。本发明通过在预设盲槽顶部的外层芯板上预留留筋结构，制作了用于盲槽定位和填充的芯板片，在层压过程中，利用辅助板变形作用切断了芯板片与外层芯板之间的留筋结构并将芯板片压入盲槽内，起到了现有技术垫片填充的效果，却省去了现有技术中垫片的制作和填充两个步骤。另一方面，层压过程中利用层压粘接片的溢流性能，对芯板片填充盲槽的缝隙处进行填充和封堵，后续涉及的孔壁金属化等湿法处理过程，可以对盲槽底部线路层，起到良好的保护作用，避免出现蚀刻破坏等不良问题。
-
公开(公告)号：CN113673814A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110768896.8
申请日：2021-07-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： G06Q10/06 , G06Q50/04 , G06F16/901
摘要： 本发明公开了一种产品生产周期预测方法及系统，该产品生产周期预测方法包括以下步骤：S1，获取目标产品信息；S2，编码产品工序；S3，生成工序拓扑图；S4，搜索关键路径；S5，计算生产周期。本发明解决了现有技术存在的不能预测种类多样、生产流程呈嵌套状态的产品生产周期等问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
101 条记录 (耗时 0.058 秒)
