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公开(公告)号：CN111326952A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010084707.0
申请日：2020-02-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种基于片上调控半导体激光芯片的光谱合束装置，包括半导体激光光源、变换透镜和第一光栅；半导体激光光源包括有片上调控的半导体激光阵列和准直透镜；半导体激光光源输出的激光束入射到变换透镜上，将阵列上各激光束的空间位偏移变换为角度偏差并入射到光栅上发生衍射，实现共孔径合束输出；或使变换透镜和第一光栅替换为第二光栅和第三光栅，将激光束入射到第二光栅上发生衍射，衍射后的光束再射入第三光栅上发生衍射并实现共孔径合束输出。本发明可直接在片上发光单元所出射的激光的中心波长以一定的光谱间隔进行锁定，实现了光谱锁定调控部分与光谱合成光路的解耦合，缩减了系统尺寸，增加了系统的可靠性及工程可行性。
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公开(公告)号：CN109873295A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910308289.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器，其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；DBR光栅结构设置于所述脊型区上；脊型区为脊型波导结构，锥型区为增益波导结构；外延波导具有一阶阶梯厚度，脊型区设置于外延波导较薄侧，锥型区设置于外延波导较厚侧，脊型区和所述锥型区级联。本设计的激光器较传统单纯利用锥型增益结构的激光放大方式，可以更加充分地利用锥型区增益，基于等光通量的原理，可以在模体积扩展的同时，保持了基模特性，保证了近衍射极限激光的光学质量，从而实现了亮度的大幅提升。
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公开(公告)号：CN109193344A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811277048.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种具有反波导层的半导体激光器及其制造方法，该方案包括有衬底、外延层、侧相反波导层、前腔面和后腔面；外延层设置在衬底顶面上；前腔面设置在衬底的一侧面上；所述后腔面设置在前腔面对侧的衬底侧面上；外延层上设置有凸出的条形震荡区；条形震荡区的两侧中，至少有一侧设置有反波导层；反波导层设置在外延层上。该方案可以比现有模式控制技术在震荡区两侧更好的抑制高阶模式，从而改善光束质量，提高半导体激光器的亮度。
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公开(公告)号：CN106602404A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611256072.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/125
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
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公开(公告)号：CN106025792A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610288226.5
申请日：2016-05-04
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: H01S5/06 , H01S5/06821
Abstract: 本发明提供了一种利用光谱合成改善三基色激光白光光源光谱成分的装置，该方案为半导体激光芯片阵列发出的激光依次经过快、慢轴准直镜准直，由空间变换透镜变换后，入射到光栅上合束输出至输出耦合镜，输出耦合镜将部分光线反射回到半导体激光器阵列形成波长锁定，部分光线透过输出耦合镜入射到反射镜系统，在经过光纤耦合透镜耦合注入光纤，三色激光在光纤中经过多次反射被匀化混合后输出。该方案通过光谱合成模块拓宽半导体激光芯片出射激光光谱范围，能够有效改善半导体激光阵列的光谱特性，在一定程度上抑制光谱漂移。降低装置对环境温度等的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205319505U
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201520851984.4
申请日：2015-10-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S3/0941 , H01S3/109
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体激光器直接倍频装置，该方案为半导体激光器发射出的激光束依次经过光谱合束及压窄机构、隔离器、耦合透镜、TEC温度控制模块、非线性倍频晶体和第二耦合输出镜后输出。该方案能够实现每个合束单元波长的锁定压窄和模式选择，同时将发光单元激光束空间近场和远场重叠成一束输出，极大的改善合束之后的光束质量，于是实现了高功率输出条件下实现高光束质量输出，对应的锁定光谱具有很高的谱亮度。
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公开(公告)号：CN220544460U
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202321920973.8
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体激光器用腔面镀膜的陪片，所述陪片与芯片连接的一面设有阻隔件，所述阻隔件在芯片与所述陪片连接时阻隔陪片与芯片的触碰，所述陪片沿芯片的腔长方向的长度短于待镀膜芯片，所述陪片与芯片的腔长方向垂直的边长度与待镀膜芯片相等。本实用新型既避免了芯片表面与陪片挤压带来的压痕与损伤，又解决了芯片之间膜层粘连的问题，极大地提高了半导体激光器的表面质量与可靠性。
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公开(公告)号：CN204103247U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420608420.3
申请日：2014-10-21
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种小型化紧凑型光谱合束半导体激光装置，包括半导体激光器、准直镜、转换透镜、光栅、腔镜、聚焦镜、耦合光纤，所述半导体激光器和光栅分别位于转换透镜两侧焦距f的位置，还包括若干组高反镜，半导体激光器发射的激光经过准直镜后经过一组高反镜发射后到达转换透镜，从转换透镜出来的激光再经过一组高反镜的发射到达光栅，由腔镜反射后反馈注入半导体激光器形成光谱锁定，再将合成输出光经过聚焦镜耦合进光纤；本实用新型采用反射式的负柱透镜作为转换透镜，将光路折叠起来，提高半导体激光光谱合成光路的紧凑性，从而有效减小光谱合束半导体激光装置的体积。
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公开(公告)号：CN214227348U
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202120235506.6
申请日：2021-01-28
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种多电极半导体激光器，属于激光技术领域，包括多电极半导体激光芯片和热沉；多电极半导体激光芯片包括若干个芯片区；芯片区包括芯片区正极和芯片区负极；热沉包括负极金属化层和若干个互相绝缘的正极金属化层；若干个正极金属化层与若干个芯片区的芯片区正极一一对应；若干个芯片区的芯片区负极和负极金属化层电导通；一一对应的正极金属化层和芯片区正极电导通。本实用新型的一种多电极半导体激光器，可以满足在不同电极注入大小不同的电流，不同电极对之间不会发生短路，从而实现多电极半导体激光芯片的功能，散热性能好，稳定可靠。
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公开(公告)号：CN206313285U
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201621474905.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/125
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体激光器，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
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