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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109193344A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811277048.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种具有反波导层的半导体激光器及其制造方法，该方案包括有衬底、外延层、侧相反波导层、前腔面和后腔面；外延层设置在衬底顶面上；前腔面设置在衬底的一侧面上；所述后腔面设置在前腔面对侧的衬底侧面上；外延层上设置有凸出的条形震荡区；条形震荡区的两侧中，至少有一侧设置有反波导层；反波导层设置在外延层上。该方案可以比现有模式控制技术在震荡区两侧更好的抑制高阶模式，从而改善光束质量，提高半导体激光器的亮度。
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公开(公告)号：CN106602404A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611256072.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/125
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
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公开(公告)号：CN220544460U
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202321920973.8
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体激光器用腔面镀膜的陪片，所述陪片与芯片连接的一面设有阻隔件，所述阻隔件在芯片与所述陪片连接时阻隔陪片与芯片的触碰，所述陪片沿芯片的腔长方向的长度短于待镀膜芯片，所述陪片与芯片的腔长方向垂直的边长度与待镀膜芯片相等。本实用新型既避免了芯片表面与陪片挤压带来的压痕与损伤，又解决了芯片之间膜层粘连的问题，极大地提高了半导体激光器的表面质量与可靠性。
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公开(公告)号：CN204290036U
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201420855365.8
申请日：2014-12-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种高亮度锥形半导体激光器的技术方案，该方案包括有基底、脊形主震荡区、侧向周期波导限制结构、锥形增益放大区、前腔面和后腔面；前腔面设置在基底的一侧面；后腔面设置在前腔面对侧的基底侧面上；脊形主震荡区设置在靠近后腔面的基底中部；锥形增益放大区设置在靠近前腔面的基底上；锥形增益放大区与脊形主震荡区接连；脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构。该方案采用脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构，能够有效抑制高阶模，使脊形主震荡区在较大的脊条宽度和刻蚀深度下仍然保持基模输出，实现锥形半导体激光器的高亮度激光输出。
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公开(公告)号：CN206313285U
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201621474905.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/125
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体激光器，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
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