公开(公告)号：CN105692567A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610148182.6

申请日：2016-03-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  胡瑶 ,  陈星 ,  刘涵坚 ,  王云云

IPC: C01B19/00

CPC classification number: C01B19/002 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82

Abstract: 本发明公开了一种太阳光伏电池用黄锡矿结构Cu2FeSnSe4粉末材料及其液相制备方法，包括如下步骤：将原料CuCl2·2H2O、FeCl3·6H2O、SnCl4·5H2O、硒粉按摩尔比称取后放入圆底三口烧瓶中混合，然后加入有机溶剂三乙烯四胺溶液，得到均匀的浅蓝色的溶液；通入氮气做保护气，置于恒温油浴中加热至200-230℃，并保持0.5-12小时，随后自然冷却至室温；使用无水乙醇和蒸馏水依次洗涤产品，然后过滤、干燥，得到黑色粉末。该黄锡矿结构Cu2FeSnSe4粉末材料的液相制备方法绿色无污染，反应时间短，所需温度低，操作简便，成本低廉，适合Cu2FeSnSe4粉末材料用于光伏电池吸收层产业化。

公开(公告)号：CN105332026A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510672895.8

申请日：2015-10-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  刘涵坚 ,  李红江 ,  秦云龙 ,  张哲

IPC: C25D3/58 ,  C25D5/50 ,  H01L31/032

CPC classification number: C25D3/58 ,  C25D5/50 ,  H01L31/0326

Abstract: 本发明公开了一种光伏电池用黄锡矿结构铜铁锡硫(Cu2FeSnS4)薄膜的电化学沉积制备方法，即三元共沉积制备金属预制层并通过后续硫化退火形成Cu2FeSnS4薄膜，主要通过以下过程来实现：首先，按摩尔比CuCl2·2H2O∶FeCl2·4H2O∶SnCl2·2H2O＝2∶20∶1的原则依次称取试剂，同时配以一定量的柠檬酸三钠、酒石酸、D-山梨醇、抗坏血酸，将烧杯内溶液搅拌均匀，调节PH直至沉淀完全溶解，完成电解液的配置；然后采用恒电位沉积的方式电化学沉积得到铜铁锡金属预制层；最后，用高纯氩气作保护气体，用硫粉作为硫源，对铜铁锡金属预制层进行硫化退火，得到Cu2FeSnS4薄膜。该黄锡矿结构Cu2FeSnS4薄膜材料的电化学沉积制备方法反应时间短，温度低，操作简便，成本低廉，绿色无污染，适合Cu2FeSnS4薄膜材料的大规模产业化生产。

公开(公告)号：CN101613091B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200910304873.0

申请日：2009-07-27

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  巩小亮 ,  黄迪辉

IPC: H01L21/20 ,  C01B19/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供了一种CIGS粉末、靶材、薄膜及其制备方法；所述的CIGS粉末为纯CuInxGa1-xSe2相，其中0＜x＜1；该CIGS靶材具有均一的CuInxGa1-xSe2相，由所述的CIGS粉末经冷等静压或模压成型后烧结而得；所述的CIGS薄膜的制备方法为：先由所述的CIGS靶材经磁控溅射方法沉积一层薄膜，再将该薄膜进行热处理。所得的CIGS靶材的相对密度达95％以上，成分均匀，具有均一的CuInxGa1-xSe2相，制作成本低廉且性能稳定。本发明提供的CIGS薄膜制备工艺，极大地简化了传统工艺，提高了原材料利用率和生产效率。

公开(公告)号：CN115101621A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210573101.2

申请日：2022-05-24

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘文峰 ,  周继承

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明提供一种P‑topcon电池及其制备方法，方法包括以下步骤：(1)对P型单晶硅片进行抛光；(2)在P型单晶硅片背面隧穿氧化层和多晶硅层，在P型单晶硅片正面蚀刻并制绒；(3)在P型单晶硅片正面沉积氧化铝；按任意先后顺序进行正面激光掺杂和正、背面镀钝化层和/或减反层；所述激光掺杂利用氧化铝形成图案化的p+掺杂正面场；(4)在P型单晶硅片背面印刷银浆主栅和副栅，正面和激光掺杂区域对应位置印刷银浆主栅和银浆或铝浆副栅，烧结得到P‑topcon电池。利用沉积的钝化层氧化铝作为掺杂源对需要印刷金属化的区域激光掺杂，实现该位置的重掺，无需高温硼扩+掩膜+清洗的复杂工艺，极大降低工艺复杂性以及成本。

公开(公告)号：CN113151806A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110453739.8

申请日：2021-04-26

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  吕博文

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明公开一种低压化学气相沉积炉进气装置，包括:炉体，所述炉体内设置有混气机构和反应机构；所述混气机构包括混气管；所述反应机构包括隔离板；所述隔离板一侧面与所述混气管另一端端面固接；所述炉体内设置有外管；所述外管内设置有内管；所述内管与所述外管一端均与所述隔离板另一侧面固接；所述内管与所述外管的另一端固接有后密封组件；所述外管内壁与所述内管外壁之间形成环形通道；所述隔离板侧面绕所述隔离板中心周向阵列开设有若干连通孔；所述连通孔两端分别连通所述环形通道和所述混气管内腔；所述内管外壁沿轴线方向螺旋开设有若干通气孔；若干所述通气孔孔径沿所述隔离板到所述后密封组件方向依次增大。

公开(公告)号：CN103165701B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201310085106.1

申请日：2013-03-18

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  文佳伟 ,  叶支斌 ,  易强

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/048

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种光伏电池组件，包括：基板、位于基板上的多片光伏电池片、以及设置于所述基板周边的边框；其中，所述多片光伏电池片阵列排布，且所述基板至少有一条边至所述多片光伏电池片的最短距离大于所述边框与所述基板高度差的两倍。该光伏电池组件摒弃了现有的对称性结构设计，利用对电池片布局的非对称性，从根本上去掉了电池组件表面下端的电池被灰尘遮挡的可能性，在实际安装条件下，大大提高了光伏电池组件的光电转换效率。

公开(公告)号：CN103668451A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310693532.3

申请日：2013-12-18

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  刘涵坚 ,  朱贝 ,  黄凯欣 ,  苏炯锋 ,  魏铭军 ,  李家栋

IPC: C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  F27D1/12

Abstract: 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉，包括：炉体、经过所述炉体底部的冷却水夹层、以及分别与所述冷却水夹层连通的冷却水进水口和冷却水出水口，其中，在所述冷却水进水口和冷却水出水口处分别设有三通阀用于导入或导出冷却水，并可连接外部大气，在所述炉体底部设有从外部开启的泄水阀，所述泄水阀与冷却水夹层接通。本发明的多晶硅铸锭炉在发生坩埚硅液泄漏时，可以及时将炉体夹层内的冷却水排空，从而杜绝了硅液泄漏后发生爆炸的危险。

公开(公告)号：CN101515580B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910043000.9

申请日：2009-03-31

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  石之杰 ,  郑旭强 ,  刘福 ,  黄迪辉

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具体方法为采用反应磁控溅射法。该SiCN薄膜经600℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Si3N4阻挡层相比，本发明的SiCN阻挡层薄膜材料，具有高效阻挡性能，与Si基片具有良好黏附性；同时因其较低的介电常数可明显减小RC延迟，有利于提高器件性能。

公开(公告)号：CN101295704A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810031500.6

申请日：2008-06-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  李幼真 ,  赵保星 ,  陈海波 ,  刘正 ,  陈勇民

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为1.5％～7.8％的Al、8.4％～11.5％的N和余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜的工艺，具体来说采用磁控溅射法来制备。该Ta－Al－N薄膜经900℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Ta－N或Ta/Ta－N阻挡层相比，本发明的Ta－Al－N薄膜在保持了传统阻挡层材料良好黏附性和低电阻率的同时，由于少量Al的加入，可有效提高其阻挡性能；同时少量Al的存在，使薄膜表面易于形成极薄的氧化铝薄层，有效避免了阻挡层的氧化。

公开(公告)号：CN115073011B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202210456173.9

申请日：2022-04-27

Applicant: 中南大学

Inventor： 张金玲 ,  周继承

IPC: C03C12/00 ,  C03C3/07 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22

Abstract: 一种低铅玻璃粉，按质量百分比计，包括5‑15wt％PbO、20‑50wt％TeO2、5‑20wt％Bi2O3、5‑20wt％SiO2、5‑15wt％ZnO、1‑10wt％的含银化合物、5‑10wt％的含碱金属化合物或/和含碱土金属化合物。其制备方法为：将各组分原料加热保温，然后冷却、球磨，得到低铅玻璃粉。本发明还公开了一种应用于N型晶体硅TOPCon电池的背面银浆料，包括银粉、有机载体和前述低铅玻璃粉，并公开了该背面银浆料在N型晶体硅TOPCon电池中的应用。本发明在低铅玻璃粉中添加含银化合物可以降低玻璃对多晶硅层的损伤，从而使N型晶体硅TOPCon电池获得较高的开路电压以及光电转换效率。