公开(公告)号：CN100592508C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200810031500.6

申请日：2008-06-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  李幼真 ,  赵保星 ,  陈海波 ,  刘正 ,  陈勇民

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为1.5%～7.8%的Al、8.4%～11.5%的N和余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜的工艺，具体来说采用磁控溅射法来制备。该Ta-Al-N薄膜经900℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Ta-N或Ta/Ta-N阻挡层相比，本发明的Ta-Al-N薄膜在保持了传统阻挡层材料良好黏附性和低电阻率的同时，由于少量Al的加入，可有效提高其阻挡性能；同时少量Al的存在，使薄膜表面易于形成极薄的氧化铝薄层，有效避免了阻挡层的氧化。

公开(公告)号：CN101295704A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810031500.6

申请日：2008-06-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  李幼真 ,  赵保星 ,  陈海波 ,  刘正 ,  陈勇民

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为1.5％～7.8％的Al、8.4％～11.5％的N和余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜的工艺，具体来说采用磁控溅射法来制备。该Ta－Al－N薄膜经900℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Ta－N或Ta/Ta－N阻挡层相比，本发明的Ta－Al－N薄膜在保持了传统阻挡层材料良好黏附性和低电阻率的同时，由于少量Al的加入，可有效提高其阻挡性能；同时少量Al的存在，使薄膜表面易于形成极薄的氧化铝薄层，有效避免了阻挡层的氧化。