公开(公告)号：CN101613091B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200910304873.0

申请日：2009-07-27

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  巩小亮 ,  黄迪辉

IPC: H01L21/20 ,  C01B19/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供了一种CIGS粉末、靶材、薄膜及其制备方法；所述的CIGS粉末为纯CuInxGa1-xSe2相，其中0＜x＜1；该CIGS靶材具有均一的CuInxGa1-xSe2相，由所述的CIGS粉末经冷等静压或模压成型后烧结而得；所述的CIGS薄膜的制备方法为：先由所述的CIGS靶材经磁控溅射方法沉积一层薄膜，再将该薄膜进行热处理。所得的CIGS靶材的相对密度达95％以上，成分均匀，具有均一的CuInxGa1-xSe2相，制作成本低廉且性能稳定。本发明提供的CIGS薄膜制备工艺，极大地简化了传统工艺，提高了原材料利用率和生产效率。

公开(公告)号：CN101613091A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910304873.0

申请日：2009-07-27

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  巩小亮 ,  黄迪辉

IPC: C01B19/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供了一种CIGS粉末、靶材、薄膜及其制备方法；所述的CIGS粉末为纯CuInxGa1－xSe2相，其中0＜x＜1；该CIGS靶材具有均一的CuInxGa1－xSe2相，由所述的CIGS粉末经冷等静压或模压成型后烧结而得；所述的CIGS薄膜的制备方法为：先由所述的CIGS靶材经磁控溅射方法沉积一层薄膜，再将该薄膜进行热处理。所得的CIGS靶材的相对密度达95％以上，成分均匀，具有均一的CuInxGa1－xSe2相，制作成本低廉且性能稳定。本发明提供的CIGS薄膜制备工艺，极大地简化了传统工艺，提高了原材料利用率和生产效率。

公开(公告)号：CN102205950B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201110094854.7

申请日：2011-04-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  李绍文 ,  巩小亮 ,  黄迪辉

IPC: C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0336

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种黄铜矿结构CIS粉末材料及其液相制备方法，该方法采用以有机混合溶剂或有机单一溶剂为载体，在常压下用液相回流法合成CIS粉末(CuInS2粉末或CuInSe2粉末)。该黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法反应时间短，所需温度低，操作简便，成本低，适合CIS系粉末的产业化。

公开(公告)号：CN102205950A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110094854.7

申请日：2011-04-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  李绍文 ,  巩小亮 ,  黄迪辉

IPC: C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0336

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种黄铜矿结构CIS粉末材料及其液相制备方法，该方法采用以有机混合溶剂或有机单一溶剂为载体，在常压下用液相回流法合成CIS粉末(CuInS2粉末或CuInSe2粉末)。该黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法反应时间短，所需温度低，操作简便，成本低，适合CIS系粉末的产业化。