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公开(公告)号：CN115094521B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210744882.7
申请日：2022-06-27
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供一种硼扩散反应系统及其工艺方法，硼扩散反应系统的原料管路与进气管路相连接，通过进气管路向反应炉管内输送原料气体；抽气管设置在反应炉管的炉尾处，抽气管位于反应炉管的管轴线位置；进气管路包括第一进气管路和第二进气管路，第一进气管路和第二进气管路的出气口位于炉口处，且第一进气管路和第二进气管路的出气口在反应炉管的竖直方向中分面内上下对称分布。本发明的供气系统结合工艺方法，通过优化硼源管道设置和工艺步骤，通过多次吹扫步骤，尤其是有氧推进后回压前具有吹扫步骤，减少粘附在反应室内壁上酸性气体，降低酸性气体对反应室的污染，提高了方阻均匀性、钝化效果、电池片电性能参数和良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114464707B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210167071.5
申请日：2022-02-23
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/223 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种氢等离子体处理制备N型电池选择性发射极的方法，涉及太阳能电池技术领域。方法包括以下步骤：N型硅片在硼扩散过程中实现重掺杂；采用氢等离子体处理，通过掩膜版的方式，让暴露在氢等离子体环境中的硅片表面活性硼离子与氢离子结合形成中性稳定的硼氢对，从而降低PN结中活性B原子的掺杂浓度，形成低掺杂区域；而掩膜版下未暴露区域不反应，为高掺杂区域，从而实现选择性掺杂。本发明方法无需激光设备，不会对发射极造成损伤；且通过掩膜版的方式，能够实现重掺杂区域的尺度可控，有望实现产业化。
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公开(公告)号：CN114464707A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210167071.5
申请日：2022-02-23
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/223 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种氢等离子体处理制备N型电池选择性发射极的方法，涉及太阳能电池技术领域。方法包括以下步骤：N型硅片在硼扩散过程中实现重掺杂；采用氢等离子体处理，通过掩膜版的方式，让暴露在氢等离子体环境中的硅片表面活性硼离子与氢离子结合形成中性稳定的硼氢对，从而降低PN结中活性B原子的掺杂浓度，形成低掺杂区域；而掩膜版下未暴露区域不反应，为高掺杂区域，从而实现选择性掺杂。本发明方法无需激光设备，不会对发射极造成损伤；且通过掩膜版的方式，能够实现重掺杂区域的尺度可控，有望实现产业化。
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公开(公告)号：CN115101621A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210573101.2
申请日：2022-05-24
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供一种P‑topcon电池及其制备方法，方法包括以下步骤：(1)对P型单晶硅片进行抛光；(2)在P型单晶硅片背面隧穿氧化层和多晶硅层，在P型单晶硅片正面蚀刻并制绒；(3)在P型单晶硅片正面沉积氧化铝；按任意先后顺序进行正面激光掺杂和正、背面镀钝化层和/或减反层；所述激光掺杂利用氧化铝形成图案化的p+掺杂正面场；(4)在P型单晶硅片背面印刷银浆主栅和副栅，正面和激光掺杂区域对应位置印刷银浆主栅和银浆或铝浆副栅，烧结得到P‑topcon电池。利用沉积的钝化层氧化铝作为掺杂源对需要印刷金属化的区域激光掺杂，实现该位置的重掺，无需高温硼扩+掩膜+清洗的复杂工艺，极大降低工艺复杂性以及成本。
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公开(公告)号：CN115101621B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210573101.2
申请日：2022-05-24
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供一种P‑topcon电池及其制备方法，方法包括以下步骤：(1)对P型单晶硅片进行抛光；(2)在P型单晶硅片背面隧穿氧化层和多晶硅层，在P型单晶硅片正面蚀刻并制绒；(3)在P型单晶硅片正面沉积氧化铝；按任意先后顺序进行正面激光掺杂和正、背面镀钝化层和/或减反层；所述激光掺杂利用氧化铝形成图案化的p+掺杂正面场；(4)在P型单晶硅片背面印刷银浆主栅和副栅，正面和激光掺杂区域对应位置印刷银浆主栅和银浆或铝浆副栅，烧结得到P‑topcon电池。利用沉积的钝化层氧化铝作为掺杂源对需要印刷金属化的区域激光掺杂，实现该位置的重掺，无需高温硼扩+掩膜+清洗的复杂工艺，极大降低工艺复杂性以及成本。
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公开(公告)号：CN115094521A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210744882.7
申请日：2022-06-27
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供一种硼扩散反应系统及其工艺方法，硼扩散反应系统的原料管路与进气管路相连接，通过进气管路向反应炉管内输送原料气体；抽气管设置在反应炉管的炉尾处，抽气管位于反应炉管的管轴线位置；进气管路包括第一进气管路和第二进气管路，第一进气管路和第二进气管路的出气口位于炉口处，且第一进气管路和第二进气管路的出气口在反应炉管的竖直方向中分面内上下对称分布。本发明的供气系统结合工艺方法，通过优化硼源管道设置和工艺步骤，通过多次吹扫步骤，尤其是有氧推进后回压前具有吹扫步骤，减少粘附在反应室内壁上酸性气体，降低酸性气体对反应室的污染，提高了方阻均匀性、钝化效果、电池片电性能参数和良率。
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