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公开(公告)号：CN115185083B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210823727.4
申请日：2022-07-14
Applicant: 东南大学
IPC: G02B27/01 , G06T3/4092 , G06T19/00
Abstract: 本发明公开了一种AR头戴显示器自适应刷新率和分辨率渲染方法。由于无线、有线信号传输带宽和CPU、GPU算力的限制，高刷新率和高分辨率不能同时满足。本方法结合显示技术和人眼特性，在有限的带宽下，根据环境光的特性自动调整头戴显示器的刷新率和分辨率，使设备的显示效果在有限的带宽下，达到观看的最佳体验。本方法不仅能够提升显示效果，并且无需借助其他昂贵设备仪器或设备升级，降低设备成本。
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公开(公告)号：CN114964480A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210678756.6
申请日：2022-06-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种眩光测试仪校准装置及其校准方法，其包括：利用光谱辐射亮度计测量眩光源和背景光亮度值，使用几何测量仪器测量空间位置量值，根据不同眩光值的原理计算眩光值，通过对比校准的方式实现对眩光测试仪的校准。本发明的眩光源和背景光覆盖古斯位置指数表和整个视场空间的范围，通过调节电源输出电压和电流的大小分别控制眩光源亮度和背景光亮度，测量出两者的亮度值和几何位置参数，可以实现不同场景下眩光值的模拟。本发明对眩光测试仪器的研发和升级，以及眩光测试值的量值溯源和统一具有重要支撑，同时对提升照明设计质量，保护人们视觉健康具有积极意义。
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公开(公告)号：CN112768521B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201911001601.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。本发明解决了LDMOS的体二极管在反向恢复期间，因寄生NPN开启导致的反向恢复失效问题，并且不需要设置沟槽隔离结构。
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公开(公告)号：CN119967860A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311473834.X
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；N型的第一阱区，设于衬底内；第一阱区内设有沿第一方向依次排布的第一分区、隔断区和第二分区；P型的第一掺杂区和P型的第二掺杂区，第一掺杂区位于第一分区，第二掺杂区位于第二分区；P型的源区和P型的漏区，设于衬底内，且分别位于第一掺杂区沿第二方向的两侧；第一方向为导电沟道的宽度方向，第二方向为导电沟道的长度方向。本申请能够抑制开启状态下输出电流的迅速增大，从而改善器件输出电流的稳定性以及提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119153487A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310713119.2
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅半导体元器件，包括：衬底；掩埋介质层，设于所述衬底上；第一电极；第二电极；漂移区，设于所述掩埋介质层上；所述漂移区的上表面形成落差结构，所述落差结构包括靠近所述第一电极的第一侧、靠近所述第二电极的第二侧、以及所述第一侧与第二侧之间的过渡区，所述第二侧的上表面高于所述第一侧的下表面，从而使所述漂移区在所述第二侧的厚度大于在所述第一侧的厚度；其中，所述第一电极和第二电极被配置为：在所述元器件被施加反向偏压时，第二电极施加的电压大于第一电极施加的电压。本发明可以将器件的击穿点控制在高压端的下方，使得漂移区能够完全耗尽，在不增加埋氧层厚度的前提下依然可以提高器件的击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117995534B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202211333545.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及半导体器件，所述隔离变压器包括：下线圈；主介质层，覆盖所述下线圈；氮氧化硅层，位于所述主介质层上；上线圈，位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上线圈之间设置氮氧化硅层，在确保器件耐压的同时，能够减小高压区域对低压区域的影响，提升器件总体的寿命。
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公开(公告)号：CN116705609A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210181654.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。
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公开(公告)号：CN116705609B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202210181654.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H10D30/01 , H10D30/65 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。
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公开(公告)号：CN118538755A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310153162.8
申请日：2023-02-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L27/085
Abstract: 本申请涉及一种氮化镓半导体器件及其制备方法。该氮化镓半导体器件包括：基底；第一氮化镓层，设于所述基底上；第一介质层，设于所述第一氮化镓层上；第一栅极，设于所述第一介质层上。本申请提供的氮化镓半导体器件及其制备方法，通过在第一栅极和第一氮化镓层之间设置第一介质层，这样，一方面，第一介质层和第一氮化镓层由于极化效应产生高浓度的二维电子气可以消耗第一栅极所在区域的空穴，从而提高器件的阈值电压；另一方面，相较于未设置第一介质层的氮化镓半导体器件，在保证器件增强型的前提下，本申请可以使第一栅极下方的第一氮化镓层的厚度更厚，进而减小器件的导通电阻，提高器件的输出电流。
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公开(公告)号：CN116202620A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310220382.8
申请日：2023-03-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种表征空间光环境亮度的方法。通过设计和建立不同典型的光环境空间及其光源类型和主要物体表面材质等，利用亮度计算中所涉及到的各种物理参数和计算方法，根据各种参数之间的关系推导亮度计算方程，并且对亮度计算方程提出计算方法。通过人眼视觉感知分析光线在空间中与物体表面的交互的过程，从光源的光线出发，经过物体表面发生多次反射、折射最终到达人眼的物理过程，并结合亮度计算方程，将建立好的光环境空间明暗感知的亮度计算方法，利用软件程序平台优化实现。因此，本发明提出的方法将有助于光环境设计人员更好设计出舒适合理的光环境，同时有助于科研人员进一步研究人眼视觉亮度与光环境之间的关系。
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