公开(公告)号：CN119256389A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202280096400.X

申请日：2022-06-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  木村壮一郎 ,  世小弓 ,  小田岛畅洋 ,  真崎祐次 ,  岳本昇 ,  小林真

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明的蚀刻方法包括：(a)提供基片的步骤，其中，基片包括第一膜和第一膜上的具有开口的第二膜，第一膜包含金属元素和非金属元素；和(b)经由开口对第一膜进行蚀刻的步骤。(b)包括：(i)通过供给高频电功率的脉冲，利用从包含含卤素气体的第一处理气体生成的第一等离子体，经由开口对第一膜进行蚀刻的步骤；(ii)利用从第二处理气体生成的第二等离子体，对通过(i)形成的凹部的侧壁进行改性的步骤；(iii)反复进行(i)和(ii)的步骤。

公开(公告)号：CN110783187B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201910660252.X

申请日：2019-07-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田端雅弘 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明能够减轻等离子体处理中对图案造成的损伤。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括开口部形成步骤、第一膜形成步骤、第二膜形成步骤和蚀刻步骤。等离子体处理装置在开口部形成步骤中，对包括基底层和形成在基底层上的第一层的处理对象基片实施蚀刻，来在第一层上形成开口部。等离子体处理装置在判断为开口部满足规定条件的情况下，在第一膜形成步骤中利用化学气相沉积在开口部的底面形成抑制剂，来形成规定的气体种不会吸附于其上的第一膜。等离子体处理装置在形成了第一膜之后，在第二膜形成步骤中通过以规定的气体种为前体气体的原子层沉积，在开口部的侧壁上形成第二膜。等离子体处理装置进而在蚀刻步骤中对开口部实施蚀刻。

公开(公告)号：CN108735597B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN201810329353.4

申请日：2018-04-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  田端雅弘

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种能够良好地进行立体的图案形成的各向异性蚀刻的技术。在一个实施方式中提供了对被处理体的蚀刻方法，被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的端面在从主面上看时露出，该方法包括：在多个凸区域各自的端面形成膜的第一步骤；和对通过第一步骤形成的膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个端面露出的第二步骤。

公开(公告)号：CN108231579B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201711326482.X

申请日：2017-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田端雅弘 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种相对于由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法，能够抑制堆积物的生成并且能够获得高选择性。一个实施方式的方法包括：在由等离子体处理装置的腔室主体提供的腔室内准备具有第一区域和第二区域的被加工物的步骤；在腔室内生成包含含氢气体的第一气体的等离子体，以使得通过氢的活性种将第一区域的一部分改性而形成改性区域的步骤；和在腔室内生成包含含氟气体的第二气体的等离子体，以使得利用氟的活性种除去改性区域的步骤。

公开(公告)号：CN113270315A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110067048.4

申请日：2021-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  新关智彦 ,  胜沼隆幸 ,  笹川大成 ,  中根由太 ,  石川慎也 ,  小野健太 ,  熊仓翔 ,  泷野裕辅 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN111627809A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010101737.8

申请日：2020-02-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  笹川大成

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是将被处理体提供到腔室内的载置台上的步骤，其中，该被处理体包括基片、形成于基片上的蚀刻对象膜和形成于蚀刻对象膜上的具有开口的掩模。步骤b)是沿掩模的膜厚方向在开口的侧壁形成具有不同厚度的膜的步骤。本发明能够修正掩模的形状。

公开(公告)号：CN111261514A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201910857745.2

申请日：2019-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  户村幕树 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。

公开(公告)号：CN110164765A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910116964.5

申请日：2019-02-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田端雅弘 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明提供一种相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域的蚀刻方法。一实施方式的蚀刻方法中，相对于含有硅和/或锗的第二区域，有选择地蚀刻含有硅和氮的第一区域。在该蚀刻方法中，使用氢等离子体，对包含第一区域的表面的第一区域的至少一部分进行改性，形成第一改性区域，使用氧等离子体，对包含第二区域的表面的第二区域的至少一部分进行改性，形成第二改性区域，使用氟等离子体，相对于第二改性区域，有选择地蚀刻第一改性区域。由此，能够相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域。

公开(公告)号：CN119923708A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380066588.8

申请日：2023-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西冢哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：对基片的含金属抗蚀剂进行湿法显影的工序(a)；和对含金属抗蚀剂进行干法显影的工序(b)。含金属抗蚀剂包括已曝光的第一区域和没有曝光的第二区域。在工序(a)中，第一区域和第二区域中的一个区域在该一个区域的厚度方向上被部分去除。在工序(b)中，上述一个区域的剩余部分被去除。

公开(公告)号：CN119816785A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063356.7

申请日：2023-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西塚哲也 ,  本田昌伸

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了在显影图案中抑制残渣的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上提供具有底膜和形成在底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜具有被曝光的第一区域和未曝光的第二区域；和(b)向腔室供给处理气体，对基板进行显影，从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序。(b)的工序包括：(b1)将基板或基板支撑部的温度控制在第一温度而进行显影的工序；和(b2)将基板或基板支撑部的温度控制在与第一温度不同的第二温度而进行显影的工序。