公开(公告)号：CN119256389A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202280096400.X

申请日：2022-06-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  木村壮一郎 ,  世小弓 ,  小田岛畅洋 ,  真崎祐次 ,  岳本昇 ,  小林真

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明的蚀刻方法包括：(a)提供基片的步骤，其中，基片包括第一膜和第一膜上的具有开口的第二膜，第一膜包含金属元素和非金属元素；和(b)经由开口对第一膜进行蚀刻的步骤。(b)包括：(i)通过供给高频电功率的脉冲，利用从包含含卤素气体的第一处理气体生成的第一等离子体，经由开口对第一膜进行蚀刻的步骤；(ii)利用从第二处理气体生成的第二等离子体，对通过(i)形成的凹部的侧壁进行改性的步骤；(iii)反复进行(i)和(ii)的步骤。

公开(公告)号：CN119234297A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041714.4

申请日：2023-05-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  木村壮一郎 ,  世小弓 ,  小田岛畅洋 ,  真崎祐次 ,  岳本昇 ,  小林真 ,  山崎翔太

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/532

Abstract: 蚀刻方法包括：工序a，提供基片，基片包括第一膜和在第一膜上具有开口的第二膜，第一膜包含金属元素和非金属元素；工序b，在与开口对应地形成于第一膜的凹部的侧壁上形成保护膜；和工序c，与工序b同时或在工序b之后，利用从包含含卤素气体的处理气体生成的等离子体，经由开口对第一膜进行蚀刻。