显影液组合物及其制造方法、和抗蚀图形的形成方法

    公开(公告)号:CN101133366B

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN200680006791.2

    申请日:2006-04-07

    CPC classification number: G03F7/322

    Abstract: 本发明提供一种可以形成良好的厚膜抗蚀图形、且起泡少的显影液组合物。该显影液组合物,其是用于在支承体上形成厚膜抗蚀图形的显影液组合物,其中,含有作为主剂的有机季铵盐基、用下述通式(I)表示的阴离子型表面活性剂、和从硅酮系消泡剂、醇系消泡剂及非离子表面活性剂系消泡剂中选择的消泡剂。(I)式中的R1是碳数为5~18的烷基或烷氧基,a是1或2;R2、R3是独立的磺酸铵基、磺酸取代铵基或下述通式(II)表示的基团,b是0或1~3的整数;c是1~3的整数。—SO3M···(II)(II)式中M是金属原子。

    光刻用显影液及抗蚀图案形成方法

    公开(公告)号:CN106019862B

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN201610186764.3

    申请日:2016-03-29

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种抑制迁移或基板、布线的表面氧化的效果优异的光刻用显影液及抗蚀图案形成方法。本发明的解决手段为一种光刻用显影液,所述光刻用显影液含有(A)下述通式(1)表示的咪唑化合物和(B)水及/或有机溶剂。式(1)中,R1为氢原子或烷基,R2为可以具有取代基的芳香族基,R3为可以具有取代基的亚烷基,R4各自独立地为卤素原子、羟基、巯基、硫醚基、甲硅烷基、硅烷醇基、硝基、亚硝基、磺酸盐/酯基、膦基、氧膦基、膦酸盐/酯基、或有机基团,n为0~3的整数。

    蚀刻组合物及传导膜的制造方法

    公开(公告)号:CN106256872B

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201610431454.3

    申请日:2016-06-16

    Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及传导膜的制造方法。本发明的课题在于提供可抑制基板表面的铜等的腐蚀的蚀刻组合物、及使用该蚀刻组合物的传导膜的制造方法。本发明的蚀刻组合物含有氧化剂、水、及下述通式(1a)表示的腐蚀抑制剂。式(1a)中,R各自独立地表示氢原子或1价的有机基团,R2表示可以具有取代基的芳香族基,R4各自独立地表示卤素原子、羟基、巯基、硫醚基、甲硅烷基、硅烷醇基、硝基、亚硝基、磺酸盐/酯基、膦基、氧膦基、膦酸盐/酯基、或有机基团,n表示0~3的整数。上述R可以与另一个R或R2键合而形成环状结构。

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