显影液组合物及其制造方法、和抗蚀图形的形成方法

    公开(公告)号:CN101133366A

    公开(公告)日:2008-02-27

    申请号:CN200680006791.2

    申请日:2006-04-07

    CPC classification number: G03F7/322

    Abstract: 本发明提供一种可以形成良好的厚膜抗蚀图形、且起泡少的显影液组合物。该显影液组合物,其是用于在支承体上形成厚膜抗蚀图形的显影液组合物,其中,含有作为主剂的有机季铵盐基、用下述通式(I)表示的阴离子型表面活性剂、和从硅酮系消泡剂、醇系消泡剂及非离子表面活性剂系消泡剂中选择的消泡剂。(I)式中的R1是碳数为5~18的烷基或烷氧基,a是1或2;R2、R3是独立的磺酸铵基、磺酸取代铵基或下述通式(II)表示的基团,b是0或1~3的整数;c是1~3的整数。(II)式中M是金属原子。

    用于抗蚀剂的显影剂组合物以及用于形成抗蚀剂图案的方法

    公开(公告)号:CN1809791A

    公开(公告)日:2006-07-26

    申请号:CN200480017491.5

    申请日:2004-06-22

    CPC classification number: G03F7/322

    Abstract: 一种用于抗蚀剂的显影剂组合物,其具有高的溶解速率(高显影灵敏度)。所述用于抗蚀剂的显影剂组合物是这样的一种用于抗蚀剂的显影剂组合物,其包括作为主要组分的有机季铵碱和表面活性剂,所述表面活性剂含有通式(I)表示的阴离子表面活性剂,其中R1和R2中的至少一个表示含5~18个碳原子的烷基或烷氧基,并且任何剩余的基团都表示氢原子,或者表示含5~18个碳原子的烷基或烷氧基,并且R3、R4和R5中的至少一个表示通式(II)所示的基团:-SO3M…(II),其中M表示金属原子,而且任何剩余的基团都表示氢原子或上述通式(II)所示的基团。

    抗蚀剂用显影剂组合物和形成抗蚀图案的方法

    公开(公告)号:CN1802609B

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:CN200480015871.5

    申请日:2004-06-10

    CPC classification number: G03F7/322

    Abstract: 提供一种抗蚀剂用显影剂组合物,该组合物可以改善抗蚀图案的尺寸控制性。抗蚀剂用显影剂组合物包含作为主要组分的有机季铵碱,所述显影剂组合物还包含由下面的通式(I)表示的阴离子表面活性剂和SO42-,且SO42-的含量为0.01至1质量%。在式(I)中,R1和R2中的至少一个表示含有5至18个碳原子的烷基或烷氧基,且另一个表示氢原子、或含有5至18个碳原子的烷基或烷氧基,并且R3、R4和R5中的至少一个表示磺酸铵基或磺酸取代的铵基,并且其余表示氢原子、磺酸铵基或磺酸取代的铵基。

    光刻胶膜卷材及其制造方法

    公开(公告)号:CN101203807B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200680021965.2

    申请日:2006-05-26

    CPC classification number: G03F7/161

    Abstract: 本发明提供光刻胶膜卷材及其制造方法,该光刻胶膜卷材在感光性树脂层具有流动性且柔软的情况下可以防止冷流,在感光性树脂层硬的情况下可以抑制切断时产生碎片。光刻胶膜卷材中,按照感光性树脂层(2)的宽度小于支持膜(1a)的宽度的形式进行涂布,并且按照感光性树脂层(2)的宽度小于保护膜(1b)的宽度的形式进行粘接。

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