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公开(公告)号：CN110071064A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810061254.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种改善外延片污染印记的方法，所述方法包括：提供外延机台，所述外延机台包括基座、用于支撑所述基座的支撑架以及位于所述基座顶部的腔室；在所述基座上形成涂层；提供半导体衬底，将所述半导体衬底放入所述腔室中，在所述半导体衬底表面形成外延层，所述外延层和所述半导体衬底构成外延片，其中在形成所述外延层的过程中，所述涂层可以阻挡和/或吸附所述支撑架的污染粒子。采用本发明的方法，在半导体衬底表面形成外延层之前，在基座上形成涂层，所述涂层可以阻挡和/或吸附支撑架的污染粒子，从而减小所述支撑架区域的污染粒子浓度，进而改善所述外延片的污染印记。
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公开(公告)号：CN110071038A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810058937.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种半导体薄膜平坦度改善的方法，所述方法包括：通过对晶圆执行第一气相沉积，以在所述晶圆的表面形成外延层；以及，执行第二气相沉积，以调节位于所述晶圆的边缘区域的所述外延层的厚度，提高所述晶圆的平坦度。本发明的半导体薄膜平坦度改善的方法，针对不同的衬底均能有效改善外延层表面平坦度，进而提高半导体器件的良率和性能，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN219689845U
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202321268547.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本实用新型提供一种外延生长设备的气流调节结构，所述气流调节结构呈环形管状，且具有沿轴向延伸的环壁，所述环壁不同位置具有不同的轴向延伸高度，以调控外延生长工艺中进入半导体衬底上方的气流大小。通过气流调节结构调节外延生长工艺中半导体衬底上方局部气流，进而使外延层薄膜厚度均匀性与平坦度得到优化。本实用新型中，气流调节结构与基座是相互独立的两个装置，无需调整基座，气流调节结构制造工艺简单，加工周期通常仅需基座制造一半时间，降低了设备成本。
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公开(公告)号：CN222294262U
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202420899872.5
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶科半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种外延基座以及外延设备，外延基座包括：基座主体；基座主体包括承载台以及凹陷部，承载台设置于基座主体的边沿，承载台与凹陷部连接，形成用于承载晶片的承载面，凹陷部相对于承载台沿远离晶片的方向内凹，晶片搭设于承载台上，且晶片在外延过程中与凹陷部相接触；凹陷部设置有至少两个凹槽，凹槽沿基座主体的周向设置，且至少两个凹槽沿基座主体的径向排布。如此配置，基座主体靠近晶片的一侧具有凹凸的面貌，导致凹槽区域的温度分布改变，使晶片背面的受热和传热出现变化，从而改变晶片表面的温度，引起沉积速率的变化，以达到补偿其他硬件或气流导致的沉积速率的变化，合适的补偿能够改善晶片外延的平坦度和厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN217077861U
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202220841965.3
申请日：2022-04-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种外延基座及外延设备，外延基座的第一面设置有用于装载晶圆的承载槽，承载槽的底壁包括第一接触部以及环绕第一接触部的第二接触部，第一接触部相对晶圆内凹于第二接触部，且第一接触部在执行外延工艺时与晶圆接触；第一接触部上设置有多个呈环状分布的第一凸点或第一凹坑，和/或，外延基座的第二面上设置有多个呈环状分布的第二凸点或第二凹坑。在本实用新型中，通过在外延基座的第一面设置第一凸点或第一凹坑，和/或在第二面设置第二凸点或第二凹坑，利用第一凸点及第二凹坑以提高晶圆对应区域的温度，或者利用第一凹坑及第二凸点以降低晶圆对应区域的温度，从而提高外延工艺时外延层的厚度及电阻率的均匀性。
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