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公开(公告)号：CN112366235A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201910677507.3
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器及其制备方法，波导型锗基光电探测器包括：锗基光电探测器；硅波导结构，连接于所述锗基光电探测器的第一端；硅波导分布式布拉格反射镜，连接于所述锗基光电探测器的第二端。与传统波导型探测器相比，本发明通过在锗光电探测器后端引入硅波导分布式布拉格反射镜结构，使光线经反射再次进入锗光电探测器，可实现更高效的光吸收效率，从而可以有效减小探测器的长度，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备。
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公开(公告)号：CN112259618A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910600099.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/0312 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于晶圆键合技术的集成锗光电探测器及制备方法，制备方法包括：在硅波导层中制备下接触层；2)形成介质层，并于介质层中形成锗光电探测器集成窗口；3)于集成窗口内及介质层上形成非晶材料层，并形成非晶材料层的平坦表面，非晶材料层为非晶硅层或者非晶锗材料层；4)键合锗材料衬底及所述非晶材料层，并减薄锗材料衬底；5)固相外延形成单晶硅层或单晶锗材料层；6)形成锗吸收区及上接触层；7)制备下电极及上电极。本发明通过将具有单晶结构的锗材料衬底与硅直接键合方式集成，可以获得质量更高的锗材料以及锗/硅异质结构，有利于锗光电探测器暗电流等特性的优化。
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公开(公告)号：CN111785616A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910273253.9
申请日：2019-04-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/0288
Abstract: 本发明提供了一种基于离子注入与退火方法的选区锗铅合金的制备方法。包括如下步骤：在衬底表面沉积基底介质层；在基底介质层中刻蚀开孔，露出所述衬底表面的外延生长区域；在所述外延生长区域内外延生长锗单晶层；采用离子注入方法在所述锗单晶层中注入铅离子；以及对注入有铅离子的锗单晶层进行退火，形成锗铅合金。根据本申请，在Ge外延层中注入Pb离子，可以有效调整Pd的含量，这为硅基光源的实现提供了新的材料选择；此外，所述GePb合金的制备方法是采用与CMOS完全兼容的离子注入方法引入Pb元素，结合退火，实现特定区域的GePb合金的制备，不仅工艺简单，而且与CMOS工艺的兼容性较好，有利于GePb合金在硅基器件中的应用。
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公开(公告)号：CN110943095A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811110509.6
申请日：2018-09-21
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供一种硅基单片红外像素传感器及其制造方法，该硅基单片红外像素传感器包括：硅基衬底11；位于硅基衬底11上的缓冲层12；以及位于缓冲层12上的红外探测器13和晶体管14，其中，红外探测器13和晶体管14均采用锗锡(GeSn)材料。根据本申请，红外探测器和晶体管都采用锗锡(GeSn)材料制备，因此，能够结合锗锡(GeSn)材料在红外波段的高响应特性和锗锡(GeSn)材料晶体管的高迁移率特性，并且，能够在标准CMOS工艺下，将光电探测器和晶体管集成在一个硅衬底中以形成单片红外像素传感器。
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公开(公告)号：CN110749955A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810810996.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光波模式转换装置及其制造方法。所述光波模式转换装置，包括同层设置的第一波导和第二波导，且所述第一波导的折射率大于所述第二波导；所述第二波导朝向所述第一波导的端部具有开口，所述开口的直径沿所述第二波导指向所述第一波导的方向逐渐增大，且所述第一波导的光耦合端面与所述开口对齐设置。本发明不仅降低了光学器件的工艺复杂度，而且提高了两种波导之间的耦合效率，实现了两种波导之间的低损耗互连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110727046A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201810776259.3
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供的三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造方法，包括如下步骤：提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；将所述正面与一载体晶圆键合；形成球形焊点于所述背面；自所述背面刻蚀所述器件晶圆，形成贯穿所述器件晶圆的光耦合端面。本发明在简化三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造工艺的同时，改善了光耦合端面的质量，降低了三维集成光互连芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN112242343B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201910646559.4
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面；3)沉积非晶硅层于硅衬底表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶形成覆盖于硅衬底及介质层表面的单晶硅层，以形成单晶硅局域SOI衬底，于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
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公开(公告)号：CN112017973B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910462224.7
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/52 , H01L31/0203 , H01L25/16 , G02B6/42
Abstract: 本发明提供一种硅光模块的封装方法及硅光模块，其优点在于，采用晶圆级扇出形封装方法制备硅光模块，其能够提高硅光模块的带宽、提高集成度、改善散热、降低功耗、降低封装成本；同时采用该封装方法形成的硅光模块还具有用于光纤插入的凹口，其使得光纤能够与硅光模块进行光纤耦合；即本发明封装方法在提供了良好的封装工艺的同时还保证光纤能够与硅光模块进行光纤耦合。
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公开(公告)号：CN110767766B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201810836030.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种应变平衡GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述应变平衡GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及依次层叠于所述硅衬底上的Ge缓冲层和吸收层；所述吸收层，包括沿垂直于所述硅衬底的方向交替堆叠的拉应变Si1‑x‑yGexSny层与压应变Ge1‑aSna层，以达到应变平衡；其中，0
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公开(公告)号：CN112098768B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201910461940.3
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅光芯片的测试方法及设备，其将硅光晶圆固定在柔性膜上后对所述硅光晶圆进行切割，切割后得到的硅光芯片的相对位置不发生变化，再将硅光芯片及柔性膜整体移动至测试设备处进行测试，不需要多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的相对位置。本发明硅光芯片的测试方法省略了测试前多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的步骤，测试时间大大缩短，测试效率大大提高。
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