公开(公告)号：CN117480725A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202180094861.9

申请日：2021-06-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金谷康 ,  山本和也

IPC: H03F3/21

Abstract: 本公开的功率放大器具备：输入端子，其从外部被输入高频信号；MMIC，其经由所述输入端子被输入所述高频信号并对所述高频信号进行放大；输入匹配电路；晶体管，其经由所述输入匹配电路被输入所述MMIC放大后的所述高频信号，并对所述高频信号进行放大；输出匹配电路；输出端子，其从外部被输入所述晶体管的漏极电压，经由所述输出匹配电路被输入所述晶体管放大后的所述高频信号，并将所述高频信号向外部输出；以及漏极偏置电路基板，其将所述晶体管的漏极与所述MMIC的漏极连接，所述晶体管与所述MMIC以小于50Ω的阻抗被共轭匹配。

公开(公告)号：CN116918249A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202180094784.7

申请日：2021-03-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本和也 ,  铃木敏

IPC: H03F1/30

Abstract: 本公开所涉及的功率放大器具备：主晶体管，其将从栅极端子输入的输入信号放大并从漏极端子输出，且具有漏极电流延迟的特性，其中，漏极电流延迟的特性为：当输入信号从导通状态切换到截止状态时，漏极电流在低于输入信号成为导通状态之前的基准值之后，返回至基准值；复制晶体管，其具有与主晶体管相同的漏极电流延迟的特性，并且温度追随于主晶体管的温度而变化，输入信号的包络线信号被输入到复制晶体管的栅极端子；提取电路，其从复制晶体管的输出电压提取由漏极电流延迟所引起的延迟成分；以及加法器，其将延迟成分与施加到主晶体管的栅极偏置电压相加，以消除主晶体管的漏极电流延迟。

公开(公告)号：CN107070439B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201610946484.8

申请日：2016-11-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 今井翔平 ,  山本和也 ,  佐佐木善伸 ,  三轮真一

IPC: H03K17/16 ,  H01L27/06 ,  H01L29/737 ,  H01L29/78

Abstract: 得到一种半导体装置，其能够实现稳定性和低消耗电力这两者。耗尽型的场效应晶体管(Q1)具有栅极端子、漏极端子以及源极端子。III－V族异质结的双极晶体管(Q2)具有基极端子、与栅极端子电连接的发射极端子、以及连接于与源极端子相同的电位的集电极端子。第1电阻(Rbe)连接在基极端子和发射极端子之间。第2电阻(Rcb)连接在基极端子和集电极端子之间。

公开(公告)号：CN107070439A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610946484.8

申请日：2016-11-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 今井翔平 ,  山本和也 ,  佐佐木善伸 ,  三轮真一

IPC: H03K17/16 ,  H01L27/06 ,  H01L29/737 ,  H01L29/78

Abstract: 得到一种半导体装置，其能够实现稳定性和低消耗电力这两者。耗尽型的场效应晶体管(Q1)具有栅极端子、漏极端子以及源极端子。III－V族异质结的双极晶体管(Q2)具有基极端子、与栅极端子电连接的发射极端子、以及连接于与源极端子相同的电位的集电极端子。第1电阻(Rbe)连接在基极端子和发射极端子之间。第2电阻(Rcb)连接在基极端子和集电极端子之间。

公开(公告)号：CN104113287B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201410149400.9

申请日：2014-04-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤原茂 ,  山本和也 ,  宫下美代 ,  山部滋生 ,  小林大介

IPC: H03F1/22 ,  H03F3/20 ,  H03F3/189

CPC classification number: H03F1/3205 ,  H03F1/223 ,  H03F3/193 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/105 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/192 ,  H03F2200/195 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/207 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/405 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/465

Abstract: 本发明目的在于得到一种在不使无效电流等其他特性变化的情况下就能够调整AM‑AM特性的功率放大器。分别向偏压端子(T1、T2）供给偏压。晶体管（M1）的栅极与偏压端子（T1）连接，源极接地。晶体管（M2）的栅极与偏压端子（T2）连接，源极与晶体管（M1）的漏极连接。固定电容器（C1）和可变电阻（Rv1）串联连接在晶体管（M2）的栅极和接地点之间。

公开(公告)号：CN103812455B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310550356.8

申请日：2013-11-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫下美代 ,  山本和也 ,  北林文政 ,  间木杰 ,  福田绘理 ,  嘉藤胜也

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F1/223

Abstract: 本发明涉及共阴共栅放大器，获得能够抑制起因于布线电阻的输出功率的降低的共阴共栅放大器。晶体管Tr1a~Tr1f分别共阴共栅连接于晶体管Tr2a~Tr2f。布线（Wg1）依次连接于晶体管Tr1a~Tr1f）的栅极。并联连接的布线（Wg2、Wg3）依次连接于晶体管（Tr2a~Tr2f）的栅极。电容C1）连接在布线（Wg2）的一端与接地点之间。

公开(公告)号：CN102158182B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110052044.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本和也 ,  铃木敏 ,  浅田智之 ,  松塚隆之 ,  紫村辉之

IPC: H03F3/20

CPC classification number: H03F1/0277 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/30 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明提供一种功率放大器，当切换主功率放大器和辅助功率放大器时，能够改善输出功率的上升延迟。本发明的功率放大器在主功率放大器（10）和空载电流比主功率放大器（10）小的辅助功率放大器（20）之间切换工作。主功率放大器（10）和辅助功率放大器（20）分别具有放大RF信号的前级放大元件（12、22）、放大前级放大元件（12、22）的输出信号的后级放大元件（14、24）、驱动前级放大元件（12、22）的前级偏置电路（16、26）和驱动后级放大元件（14、24）的后级偏置电路（17、27）。主功率放大器的后级放大元件（14）和辅助功率放大器的后级放大元件（24）的间隔S1小于等于100μm。主功率放大器的后级放大元件（14）和辅助功率放大器的后级偏置电路（27）的间隔S2大于等于200μm。

公开(公告)号：CN102193063A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110040545.1

申请日：2011-02-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本和也 ,  浅田智之 ,  宫下美代

IPC: G01R31/316 ,  H03F3/24

CPC classification number: G01R31/2822 ,  G01R23/20 ,  H03F3/24 ,  H04B1/0475 ,  H04B17/103

Abstract: 本发明目的在于提供能廉价且容易地抑制失真特性劣化的检测电路与使用该检测电路的半导体装置。检测电路，是使用配置在功率放大器与天线之间的定向耦合器的耦合线路两端的信号来检测该功率放大器的失真特性劣化的电路，包括：使该耦合线路的耦合端子的电力移相及衰减的移相/衰减器；输出该移相/衰减器的输出电力与该耦合线路的隔离端子的电力的差分的单元；将该差分转换为DC信号的检波电路；以及判定该DC信号的电压电平是否比既定值高的比较电路。而且，其：在该功率放大器的失真特性劣化的该天线端处于负载状态下，该移相/衰减器使该耦合端子的电力移相以使该移相/衰减器输出的信号的相位与该隔离端子的信号的相位的相位差为180°。

公开(公告)号：CN101373953B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200810085237.9

申请日：2008-03-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本和也 ,  宫下美代

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/20 ,  H03F3/21

CPC classification number: H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451 ,  H03G1/0035

Abstract: 本发明能得到一种无功电流的控制性良好、难以受到元件偏差的影响并具有稳定的温度特性的功率放大器。射极跟随电路(Rb3～Rb6、Trb1～Trb3)将与施加到参考端子(Vref)上的参考电压相对应的电压施加到第2放大元件(Tr2)的输入端子上。在参考端子(Vref)和第1放大元件(Tr1)的输入端子之间串联连接有第1、第2电阻(Ra1、Ra2)。第1晶体管(Tra1)的集电极连接到参考端子(Vref)上，在基极上施加控制电压。在第1晶体管(Tra1)的发射极和接地点之间连接有第3电阻(Ra5)。电流反射镜电路(Tra2、Tra3)将与从第1晶体管(Tra1)的集电极输入的电流成比例的电流，从第1电阻(Ra1)和第2电阻(Ra2)的连接点抽出。

公开(公告)号：CN1612341A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410056245.2

申请日：2004-08-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宮下美代 ,  山本和也

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H03F3/45085 ,  H03F3/19

Abstract: 本发明提供一种驱动电路。在设有用于消除输出失配的滤波器的已有驱动电路中，存在着具体确定输出部的导线L5、L6的电感值的困难。为此，在具有以各个输入端与发射极跟随器的输出端连接的差动晶体管对(Q1、Q2)的驱动电路中，将上述差动晶体管对的终端端子与各焊盘(P3、P4)连接，同时将各焊盘(P3、P4)与安装基板或封装引线之间以作为电感器而发挥作用的导线(L7、L8)分别连接。还将差动晶体管对的各基板通过电阻与构成上述发射极跟随器的晶体管的发射极连接。