公开(公告)号：CN114256262A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111105617.6

申请日：2021-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍秀 ,  蔡弘植 ,  金润洙 ,  金泰均 ,  曹仑廷

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：多个半导体图案，在第一方向上间隔开；多个模制绝缘层，在所述多个半导体图案之间；多个硅化物图案，接触所述多个半导体图案；以及多个第一金属导电膜，在所述多个模制绝缘层之间并连接到相应的硅化物图案，其中每个硅化物图案包括面对半导体图案的第一侧壁和面对第一金属导电膜的第二侧壁，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁在第一方向上延伸，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁是弯曲表面。

公开(公告)号：CN111362979A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201910983502.3

申请日：2019-10-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  小出幸宜 ,  真锅芳树 ,  木村将之 ,  斋藤昭夫 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F5/06 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了铝化合物以及使用该铝化合物制造半导体器件的方法。所述铝化合物可以由式1表示。[式1]

公开(公告)号：CN110349854A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910180129.8

申请日：2019-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  朴阳仙 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成半导体图案，使得半导体图案彼此竖直间隔开；以及形成金属逸出功图案以填充半导体图案之间的空间，其中，形成金属逸出功图案的步骤包括执行原子层沉积(ALD)工艺以形成合金层，并且ALD工艺包括在基底上提供包含有机铝化合物的第一前驱体以及在基底上提供包含钒-卤素化合物的第二前驱体。

公开(公告)号：CN110246750A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910171202.5

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴秦煜 ,  任台镇 ,  曹仑廷 ,  博森田 ,  泰久降幡

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64

Abstract: 公开了一种形成氧化物层的方法和制造半导体器件的方法。形成氧化物层的方法包括：在半导体衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含聚硅氧烷材料，其中，在所述聚硅氧烷材料包含的Si-H1键、Si-H2键和Si-H3键中，Si-H2键的比例为约40％至约90％；在惰性气氛中对所述第一材料层进行第一退火过程；和在氧化性气氛中对所述第一材料层进行第二退火过程。

公开(公告)号：CN108149222A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711247397.4

申请日：2017-12-01

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF有限公司

Inventor： 柳承旻 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  金铭云 ,  李相益 ,  全相勇 ,  李刚镛

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C07F7/22

CPC classification number: C07F7/2284 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供一种锡化合物、用于原子层沉积(ALD)的锡前体化合物、形成含锡材料膜的方法、及合成锡化合物的方法，所述锡化合物是由化学式(I)表示： 其中R1、R2、Q1、Q2、Q3、及Q4分别独立地为C1至C4直链烷基或支链烷基，且所述锡化合物可具有良好的热稳定性。

公开(公告)号：CN106336422A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610529169.5

申请日：2016-07-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  佐藤晴义 ,  山田直树 ,  内生藏广幸

IPC: C07F5/00 ,  H01L21/02

Abstract: 公开镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法。通过使三[二(三烷基甲硅烷基)氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应而合成含硅中间体。通过使所述含硅中间体与基于二烷基脒的化合物反应而合成镧化合物。

公开(公告)号：CN104004007A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410063617.8

申请日：2014-02-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 尹相喆 ,  樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  曹仑廷 ,  姜知那 ,  山田直树 ,  崔晶植

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/20 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/085 ,  H01G4/1272 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

Abstract: 铝化合物由下式1表示。在式1中，X为由以下式2或式3表示的官能团。