公开(公告)号：CN110246750B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN201910171202.5

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴秦煜 ,  任台镇 ,  曹仑廷 ,  博森田 ,  泰久降幡

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64

Abstract: 公开了一种形成氧化物层的方法和制造半导体器件的方法。形成氧化物层的方法包括：在半导体衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含聚硅氧烷材料，其中，在所述聚硅氧烷材料包含的Si‑H1键、Si‑H2键和Si‑H3键中，Si‑H2键的比例为约40％至约90％；在惰性气氛中对所述第一材料层进行第一退火过程；和在氧化性气氛中对所述第一材料层进行第二退火过程。

公开(公告)号：CN110246750A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910171202.5

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴秦煜 ,  任台镇 ,  曹仑廷 ,  博森田 ,  泰久降幡

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64

Abstract: 公开了一种形成氧化物层的方法和制造半导体器件的方法。形成氧化物层的方法包括：在半导体衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含聚硅氧烷材料，其中，在所述聚硅氧烷材料包含的Si-H1键、Si-H2键和Si-H3键中，Si-H2键的比例为约40％至约90％；在惰性气氛中对所述第一材料层进行第一退火过程；和在氧化性气氛中对所述第一材料层进行第二退火过程。