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公开(公告)号：CN114566592A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111375817.3
申请日：2021-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本公开提供了电容器以及包括该电容器的半导体装置。一种电容器包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层可以包括：基底材料，其包括基底金属的氧化物，该基底材料具有约2至约70的介电常数；和共掺杂剂，包括3族元素和5族元素。3族元素可以包括Sc、Y、B、Al、Ga、In和/或Tl，5族元素可以包括V、Nb、Ta、N、P、As、Sb和/或Bi。
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公开(公告)号：CN104617135B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201410616370.8
申请日：2014-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/72 , H01L29/772 , H01L29/73 , H01L29/861 , H01L31/04 , H01L31/08 , H01L31/18 , H01L21/335 , H01L21/328
Abstract: 本发明提供二维材料元件和半导体器件。根据示例实施方式，二维(2D)材料元件可以包括彼此化学地接合的第一2D材料和第二2D材料。第一2D材料可以包括第一金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以包括第二金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以接合至第一2D材料的侧面。2D材料元件可以具有PN结结构。2D材料元件可以包括具有不同带隙的多种2D材料。
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公开(公告)号：CN108288625A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201711443369.X
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L27/1443 , H01L27/14609 , H01L27/156 , H01L27/307 , H01L29/122 , H01L31/028 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L51/0045 , H01L51/0579 , Y02E10/547 , H01L27/14601 , H01L27/14665
Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。
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公开(公告)号：CN106169511A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610157055.2
申请日：2016-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/06 , H01L31/101
Abstract: 示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569398B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201110230441.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。
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公开(公告)号：CN1303440C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410002286.3
申请日：2004-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C03B37/0122 , C03B2203/42 , G02B6/02357 , G02B6/02366 , G02B6/0238 , G02B6/028
Abstract: 一种光子晶体光纤(PCF)预型件，从该预型件可以制成光子晶体光纤，所述预型件包括：杆形基底，多个孔以光晶格结构纵向形成穿过所述基底；多个具有至少两个不同折射率的纵向材料层。所述材料层分别设置在所述孔中。所述光子晶体光纤预型件的折射率分布由所述材料层的设置控制。因此，可以容易地制造具有很低光学损耗、很低光学非线性和很好传输特性的光纤，并且可以获得具有根据所述晶格结构而不同的各种特性的光纤。
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公开(公告)号：CN1664629A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410077040.2
申请日：2004-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C03C25/12 , C03B37/02745 , C03B37/032 , C03B2203/20 , C03B2203/36 , C03C25/1065 , G02B6/02285
Abstract: 一种拉制光纤的方法，在方法中从光纤预制品拉制的第一光纤的外周界面上形成有不同粘度的许多涂层，在相对于第一光纤的拉制轴倾斜的方向拉制在上面形成涂层的第二光纤，形成合并扭绞的第三光纤。
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公开(公告)号：CN1550803A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410038518.0
申请日：2004-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/245 , G02B6/02395
Abstract: 一种双层涂敷的光纤和方法，所述方法包括：提供用做光传输介质的芯。包层环绕该芯，并其反射率小于所述芯的反射率。主涂敷层由环绕该包层的经UV固化的聚合物形成，次涂敷层由环绕主涂敷层的经UV固化的聚合物形成，其厚度范围为22至37.5μm，从而可获得其范围为1.0至1.63N的涂敷层剥离力以及其范围为20至29的动态应力腐蚀参数。采用湿叠湿或者湿叠干工艺形成该主涂敷层和次涂敷层。
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公开(公告)号：CN108288625B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201711443369.X
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352
Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。
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