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公开(公告)号：CN105931671A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610245371.5
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
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公开(公告)号：CN102543186B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201110430447.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C5/14 , G11C5/143 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/30 , G11C16/3459 , G11C2211/5641
Abstract: 一种负电压生成器包括：直流电压生成器，其被配置成生成直流电压；参考电压生成器，其被配置成生成参考电压；振荡器，其被配置成生成振荡时钟；电荷泵，其被配置成响应于泵时钟生成负电压；以及电压检测器。该电压检测器被配置成通过比较分压电压和参考电压来检测负电压，并基于振荡时钟生成与检测的负电压相对应的泵时钟，其中该分压电压是通过对所述直流电压分压得到的。
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公开(公告)号：CN101552036B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN200910130671.9
申请日：2009-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5642 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5634
Abstract: 公开了一种具有多个串的快闪存储设备，其中每个串包括多个第一存储单元和多个第二存储单元。每个串中的多个第二存储单元中的一个第二存储单元被设置为编程状态，其余第二存储单元被设置为擦除状态。
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公开(公告)号：CN104036825A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410083667.2
申请日：2014-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了存储器控制器和包括存储器控制器的存储器系统以及一种操作方法，该方法是用于一种控制非易失性存储器的存储器设备的。该操作方法包括：响应于外部写入请求，管理指示出非易失性存储器的多条字线中的每一条的高端页编程状态的编程深度位图；以及响应于外部读取请求，基于编程深度位图的与要访问的字线相对应的信息来向非易失性存储器输出多个不同的读取命令之一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102810332A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210182593.9
申请日：2012-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 非易失性存储器装置包括在操作期间选择字线的访问电路，访问电路在操作期间选择字线、将被选字线电压施加到被选字线、将未被选字线电压施加到字线中的未被选择的字线并将虚设字线电压施加到虚设字线。当被选字线不与虚设字线相邻时，虚设字线电压是第一虚设字线电压，当被选字线与虚设字线相邻时，虚设字线电压是与第一虚设字线电压不同的第二虚设字线电压。
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公开(公告)号：CN102446553A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110293638.5
申请日：2011-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/30 , G11C16/3436
Abstract: 一种快闪存储器的字线电压生成方法包括：使用正电压生成器生成编程电压；使用负电压生成器生成与多个负数据状态相对应的多个负编程验证电压；以及使用所述正电压生成器生成与至少一个或多个状态相对应的至少一个或多个编程验证电压。生成多个负编程验证电压包括：生成第一负验证电压；放电负电压生成器的输出，使其变得高于所述第一负验证电压；以及执行负电荷泵浦操作，直到负电压生成器的输出达到第二负验证电压电平。
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公开(公告)号：CN102157204A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010622089.7
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
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公开(公告)号：CN102005248A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010269850.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金武星
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/30 , G11C16/3454 , G11C2211/5621 , G11C2211/565
Abstract: 一种非易失性存储器件(NVM)、存储器系统和装置包括被配置成执行一种在NVM的被选字线上施加负电压的方法的控制逻辑。在第一时间期间，第一高电压电平被施加到地址译码器的晶体管的沟道，并且地电压被施加到晶体管的阱。而且，在第二时间期间，第二高电压电平被施加到晶体管的沟道，并且在第二时间间隔内，第一负电压被施加到晶体管的阱。第一高电压电平高于第二高电压电平，并且施加在被选字线上的电压在第二时间间隔内为负。
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公开(公告)号：CN101630531A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910166966.1
申请日：2009-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/16
Abstract: 在一个实施例中，一种包含至少具有串联的第一和第二可编程晶体管的存储阵列的存储器的擦除方法包括：在擦除操作期间限制从第一可编程晶体管进入到第二可编程晶体管的电子流动。
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