公开(公告)号：CN112786628A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202010824114.3

申请日：2020-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  郑泰燮 ,  金永灿

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；光电转换区域，其设置在衬底中；以及偏振器，其设置在衬底的第一表面。偏振器包括：下结构，其包括至少一个沟槽，所述至少一个沟槽从衬底的第一表面朝向光电转换区域凹陷；以及多个上图案，其设置在下结构上，并且在与第一表面平行的第一方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：CN111741238A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010522206.6

申请日：2018-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟勋 ,  金范锡 ,  金正生 ,  章敏 ,  郑泰燮 ,  郑赫镇 ,  琴东旻 ,  文昌碌

IPC: H04N5/369 ,  H04N1/028 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了包括阻光图案的光学传感器以及包括该光学传感器的电子设备。光学传感器可以包括多个光电转换区域、在所述多个光电转换区域上的多个透镜、以及在所述多个光电转换区域与所述多个透镜之间延伸的阻光层。阻光层可以包括在所述多个光电转换区域中的第一光电转换区域与所述多个透镜中的第一透镜之间的开口。光学传感器可以配置为与显示面板组装，使得所述多个透镜设置在阻光层与显示面板之间。

公开(公告)号：CN110970452A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910710726.7

申请日：2019-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  金永灿 ,  文昌碌 ,  权容铉 ,  郑泰燮

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 一种3D图像传感器包括深度像素和与深度像素相邻的至少两个偏振像素。深度像素包括在基板中的电荷产生区域。深度像素配置为基于检测从物体反射的光来生成与3D场景中的从3D图像传感器起的物体的深度相关联的深度信息。每个偏振像素包括在基板中的光电二极管和在基板上在光入射方向上的偏振器。偏振像素配置为基于检测从物体反射的光而生成与3D场景中的物体的表面形状相关联的形状信息。偏振像素和深度像素共同地限定单位像素。各偏振器与不同的偏振方向相关联。

公开(公告)号：CN101740589A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910174950.5

申请日：2009-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正采 ,  郑泰燮

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14625 ,  G01J3/0208 ,  G01J3/0216 ,  G01J3/0259 ,  G01J3/0297 ,  G01J3/465 ,  G01J3/513 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14629 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明提供一种图像传感器及图像传感器的制造方法，该图像传感器包括：多个光电转换单元，形成在半导体基板中限定的有源区域内；以及多个光导，具有将来自外部光源的入射光引导到半导体基板上的结构，并且该多个光电转换单元、该光导具有不同的宽度。

公开(公告)号：CN101677106A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200910173854.9

申请日：2009-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李景镐 ,  郑光一 ,  安正卓 ,  金利泰 ,  文敬植 ,  金范锡 ,  奇永培 ,  李东永 ,  郑泰燮 ,  李康仙

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H04N3/15 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种像素单元、一种包括所述像素单元的图像传感器、一种包括所述像素单元的系统及一种形成像素单元的方法。所述像素单元包括基底、外延层和在外延层中的光电转换装置。外延层具有凸出形状的掺杂浓度曲线，并包括堆叠在基底上的多个层。光电转换装置不包括沿垂直方向电势恒定的中性区域。因此，包括所述像素单元的图像传感器具有高量子化效率，并且减小了光电转换装置之间的串扰。

公开(公告)号：CN112118404B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202010277632.8

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  金永燦 ,  郑泰燮 ,  权容铉 ,  林茂燮

IPC: H04N25/705

Abstract: 一种深度传感器包括：第一像素，包括多个第一光电晶体管，每第一光电晶体管接收第一光电栅极信号；第二像素，包括多个第二光电晶体管，每个第二光电晶体管接收第二光电栅极信号；第三像素，包括多个第三光电晶体管，每个第三光电晶体管接收第三光电栅极信号；第四像素，包括多个第四光电晶体管，每个第四光电晶体管接收第四光电栅极信号；以及光电转换元件，由多个第一至第四光电晶体管中的第一至第四光电晶体管共享。

公开(公告)号：CN115589541A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210775029.1

申请日：2022-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵鼎镇 ,  李景镐 ,  郑泰燮

IPC: H04N25/46 ,  H04N25/59 ,  H04N25/63

Abstract: 一种操作图像传感器的方法，包括：通过光电二极管累积第一电荷；将具有第一电压电平的第一传输门信号应用于传输晶体管；通过复位晶体管对与复位晶体管和传输晶体管连接的浮动扩散节点执行第一复位操作；在第一复位操作期间，将第一传输门信号的第一电压电平改变为高于第一电压电平的第二电压电平；将第一传输门信号的第二电压电平改变为高于第二电压电平的第三电压电平；以及，将第一传输门信号的第三电压电平改变为第二电压电平。

公开(公告)号：CN115207010A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210371330.6

申请日：2022-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿熙 ,  李景镐 ,  白承起 ,  郑胜基 ,  郑泰燮

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；光电二极管层，位于半导体衬底里；传输栅极，位于光电二极管层上，传输栅极位于半导体衬底的第一表面上；第一沟槽，从在传输栅极的一侧的半导体衬底的第一表面凹进；第一杂质注入区，位于第一沟槽的底表面的至少一部分上，第一杂质注入区不在第一沟槽的侧壁上；以及透镜，位于半导体衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN114827495A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210100929.6

申请日：2022-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泰燮 ,  李景镐

IPC: H04N5/361 ,  H04N5/374

Abstract: 提供了一种图像传感器、像素和图像传感器的操作方法。该图像传感器包括：像素阵列，包括多个像素和被配置为驱动所述像素阵列的行驱动器，其中所述多个像素中的每一个包括至少一个光电二极管、传输晶体管、选择晶体管、器件隔离结构和体区域，并且所述行驱动器被配置为在驱动第一像素的同时调整施加至所述器件隔离结构的负电压和施加至所述体区域的体控制电压的预设时段、大小和施加时序中的每一个。

公开(公告)号：CN114388544A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111176548.8

申请日：2021-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李卿德 ,  薛斗植 ,  李景镐 ,  郑泰燮 ,  藤田雅人

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括光入射在其上的第一侧以及与第一侧相对的第二侧；像素隔离图案，形成在基底内部，并且限定多个单元像素；第一光电转换区域和第二光电转换区域，沿着第一方向布置在所述多个单元像素中的每个单元像素内部；以及区域隔离图案，从像素隔离图案在与第一方向交叉的第二方向上突出，并且在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间限定隔离区域。隔离区域在第一侧上沿第二方向的第一宽度大于隔离区域在第二侧上沿第二方向的第二宽度的1.1倍。