公开(公告)号：CN114628421A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111461364.6

申请日：2021-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊城 ,  金镇浩 ,  李允基 ,  金范锡 ,  金正生 ,  李东奎 ,  李太星

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种减少明暗现象并提高质量的图像传感器。图像传感器包括光接收区域，该光接收区域包括多个单元像素。图像传感器还包括：第一区域，具有与光接收区域的中心相邻的单元像素；以及第二区域，具有与光接收区域的中心间隔开的单元像素。在两个区域中，与多个单元像素相对应的多个滤色器设置在衬底的第一面上，以及介于多个滤色器之间的网格图案限定单元像素之间的边界。第二区域中的网格图案的宽度大于第一区域中的网格图案的宽度，从而调整图像传感器的边缘附近的光接收面积以校正明暗现象。

公开(公告)号：CN112071871A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010517848.7

申请日：2020-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范锡 ,  李宽熙 ,  李允基

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括二维地布置在衬底上的像素组，并且所述像素组中的每一个包括多个像素。图像传感器还可以包括光阻挡图案，其被设置在衬底上，并且在像素之间。像素组可以包括感测第一光的第一图像像素组、感测第二光的第二图像像素组和检测相位的自动对焦(AF)像素组。AF像素组可以包括彼此邻近的第一AF像素和第二AF像素，并且在第一AF像素和第二AF像素之间的衬底上可以没有光阻挡图案。

公开(公告)号：CN111354751A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910739677.X

申请日：2019-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  朴钟勋 ,  朴俊城

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种背侧照明(BSI)图像传感器。在一些示例实施例中，所述背侧照明(BSI)图像传感器可以包括被构造为响应于入射在基底的背侧上的光而产生电信号的像素。在一些示例实施例中，像素包括光电二极管、与光电二极管相邻的器件隔离膜、位于光电二极管上方的暗电流抑制层、位于光电二极管上方并且包括像素的区域的1％-15％的开口区域的遮光栅格、位于遮光栅格上方的遮光过滤层、位于遮光过滤层上方的平坦化层、位于平坦化层上方的透镜和/或位于光电二极管与透镜之间的抗反射膜。

公开(公告)号：CN110783352A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910640080.X

申请日：2019-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  金范锡 ,  朴钟勋 ,  朴俊城

IPC: H01L27/146

Abstract: 图像传感器包括光电转换层，该光电转换层包括多个第一光电转换元件和与第一光电转换元件相邻的多个第二光电转换元件。遮光层屏蔽第二光电转换元件并且在其中具有相应的开口，该相应的开口向第一光电转换元件中的相应第一光电转换元件提供光传输。图像传感器还包括位于光电转换层上的微透镜的阵列，每个微透镜与第一光电转换元件中的至少一个和第二光电转换元件中的至少一个重叠。

公开(公告)号：CN110069971A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201811456282.0

申请日：2018-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金笵锡 ,  李允基 ,  金正生 ,  朴钟勋 ,  朴俊城 ,  文昌碌

IPC: G06K9/00

Abstract: 提供了一种电子装置，所述电子装置可包括光电元件、位于光电元件上的屏蔽层以及位于屏蔽层上的滤色器结构。屏蔽层可限定位于光电元件之上的第一开口。滤色器结构可限定位于光电元件和第一开口之上的第二开口。滤色器结构可从面对滤色器结构的视角呈现黑暗。

公开(公告)号：CN106783898A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201610891753.5

申请日：2016-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李景镐 ,  金昇炫 ,  安赫 ,  李允基 ,  崔赫洵

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464

Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底、在衬底的第一像素区中的第一对光电转换区以及在第一对光电转换区的光电转换区之间的第一隔离结构。传感器进一步包括在衬底的邻近第一像素区的第二像素区中的第二对光电转换区、以及在第二对光电转换区的光电转换区之间且具有与第一隔离结构不同的光学性质的第二隔离结构。不同的第一颜色滤光器和第二颜色滤光器，例如绿色和红色滤光器，可以被布置在第一像素区和第二像素区中各自的像素区上。

公开(公告)号：CN102074566B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201010540893.0

申请日：2010-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  李德炯

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供了图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：衬底，具有像素区域和非像素区域，该像素区域包括多个单位像素；在非像素区域中的至少一个第一阱；在衬底的第一面上的互连结构；以及基础阱，在非像素区域中且在第一阱与衬底的第二面之间。

公开(公告)号：CN118412359A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410023653.5

申请日：2024-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠涓 ,  李允基 ,  金智恩 ,  朴巨成 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  崔现圭 ,  许在成

IPC: H01L27/146 ,  H01L25/16

Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：第一基底，包括像素区域和与像素区域相邻的外围区域，像素区域包括呈二维阵列的多个像素；第一布线层，在第一基底的下表面上；抗反射层，具有第一折射率，抗反射层在第一基底的上表面上；以及滤色器，在抗反射层上与像素区域对应并且通过无金属栅格图案彼此间隔开。

公开(公告)号：CN118173564A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311375656.7

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴相寅 ,  李允基 ,  朴惠涓

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：第一衬底，其包括像素部分，每个像素部分包括光电转换区；多个滤色器，其位于像素部分上和第一衬底的第一表面上；以及多个微透镜，其位于滤色器上。微透镜的阵列包括重复周期性结构。周期性结构包括沿第一方向彼此相邻地顺序排列的第一微透镜、第二微透镜和第三微透镜。第一微透镜和第二微透镜之间在第一方向上的第一间隔与第二微透镜和第三微透镜之间在第一方向上的第二间隔基本上相同。第一微透镜和第二微透镜之间在第一方向上的第一间距不同于第二微透镜和第三微透镜之间在第一方向上的第二间距。

公开(公告)号：CN116895667A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310343433.6

申请日：2023-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴相寅 ,  金范锡 ,  李允基 ,  朴天昊

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：第一衬底，其包括像素区，像素区中的每一个包括光电转换区；滤色器，其分别设置在像素区上，滤色器设置在第一衬底的第一表面上；以及微透镜，其分别设置在滤色器上。由微透镜限定在第一方向上重复排列的第一周期结构。第一周期结构中的每一个包括微透镜中的第一微透镜和第二微透镜。第一微透镜的尺寸、曲率、材料或形状中的至少一者不同于第二微透镜的尺寸、曲率、材料或形状中的至少一者。第一周期结构的第一排列周期等于或大于像素区的像素间距的两倍。