公开(公告)号：CN106571368A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610883987.5

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李雄燮 ,  崔钟允 ,  辛镇铉 ,  李东植

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02636 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7827 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：堆叠件，包括交替且重复地堆叠在基底上的绝缘层和栅电极；下半导体图案，从基底沿竖直方向突出到堆叠件中；下半导体图案的上部，具有在远离基底的方向上逐渐减小的宽度；沟道结构，竖直地贯穿堆叠件并连接到下半导体图案；以及绝缘填隙图案，在沟道结构内部，其中，绝缘填隙图案的底表面低于下半导体图案的上部的底。

公开(公告)号：CN102299137B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110176544.X

申请日：2011-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳璋铉 ,  李钟旻 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  罗宗勋 ,  李东植

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11536 ,  H01L29/66825

Abstract: 一种半导体器件，包括第一、第二和第三导电线，每一个均具有在衬底上形成并沿着第一方向延伸的各自的线部分，并且具有从所述各自的线部分的端部沿着不同于第一方向的方向延伸的各自的分支部分。中间导电线的分支部分被置于外部导电线的各自的分支部分之间，并且比外部导电线的各自的分支部分短，从而接触焊盘可以和导电线的这些分支部分整体形成。

公开(公告)号：CN102468241A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110361877.X

申请日：2011-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗宗勋 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  柳璋铉 ,  李东植 ,  朴秀振

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。

公开(公告)号：CN102299137A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110176544.X

申请日：2011-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳璋铉 ,  李钟旻 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  罗宗勋 ,  李东植

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11536 ,  H01L29/66825

Abstract: 一种半导体器件，包括第一、第二和第三导电线，每一个均具有在衬底上形成并沿着第一方向延伸的各自的线部分，并且具有从所述各自的线部分的端部沿着不同于第一方向的方向延伸的各自的分支部分。中间导电线的分支部分被置于外部导电线的各自的分支部分之间，并且比外部导电线的各自的分支部分短，从而接触焊盘可以和导电线的这些分支部分整体形成。

公开(公告)号：CN102263065A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110145035.0

申请日：2011-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰求 ,  朴泳雨 ,  俞炳瓘 ,  李东植 ,  朴尚容

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明公开非易失性存储器件及制造方法与包括其的存储模块和系统。一种非易失性存储器件包括：衬底；从衬底突出的沟道层；围绕沟道层的栅极导电层；被布置在沟道层和栅极导电层之间的栅极绝缘层；以及第一绝缘层，其与沟道层隔开，并且被布置在栅极导电层的顶部和底部上。栅极绝缘层在栅极导电层和第一绝缘层之间延伸。