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公开(公告)号：CN106601484B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201611134082.4
申请日：2016-12-10
Applicant: 三峡大学
IPC: H01G9/20
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明所提供的碘掺杂二氧化钛微球及其制备方法。在室温条件下，将无水乙醇，十二胺和钛酸异丙酯混合搅拌作为前驱液；其次，用碘和去离子水作为反应溶液，将前驱液滴加到反应溶液中，快速搅拌，反应12个小时。最后，离心洗涤后取沉淀加入到无水乙醇和去离子水中搅拌均匀，取TiO2反应胶体加入到反应釜内，密封、控制温度160‑250℃进行反应12h后冷至室温，离心、洗涤、加入乙基纤维素可得TiO2浆料，通过丝网印刷法制备TiO2电极，500℃烧结0.5 h即可得碘掺杂TiO2微球电极。本发明所得电极具有大的比表面积、有效的电子传输路径和高的电导率，其用于准固态染料敏化太阳能电池，电池光电转化效率可达6.38%。
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公开(公告)号：CN105702475B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201610077800.2
申请日：2016-02-03
Applicant: 三峡大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器负极材料铁酸镍及其制备方法，以钛片或不锈钢或泡沫镍为基底，尿素为沉淀剂，氯化亚铁为铁源，采用溶剂合成法制得铁酸镍材料。呈现颗粒状结构，铁酸镍均匀地沉积在钛片表面。本发明制备的铁酸镍表面颗粒状结构，能表现出高表面积和良好导电特性，具有较大的比表面积，可作为超级电容器电极。将制备的铁酸镍材料组装成三电极体系，在1M K(OH)电解液中进行电化学性能评价。在0至‑1.2V的电位区间内，有明显的氧化还原电位，而电流密度1A·g‑1时，比电容为333F/g，说明铁酸镍可以为超级电容器的负极材料。
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公开(公告)号：CN107516691A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710566633.2
申请日：2017-07-12
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/077 , H01L31/202
Abstract: 本发明公开了一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法，该方法包括以下步骤：清洗P型单晶硅片；以氢气稀释的硅烷为反应气体，P型单晶硅上表面沉积一层非晶硅薄膜；再以高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，在非晶硅薄膜表面沉积一层掺氮非晶碳薄膜；再在非晶碳薄膜表面制备一层掺铝氧化锌透明导电薄膜；进一步在掺铝氧化锌透明导电薄膜表面制备银电极；然后在P型单晶硅下表面制备含有银铝复合电极的铝背表面场，获得电池；最后将获得的电池置于充满氩气的石英炉中进行热处理，最终电池制备完成。由该方法所制备的电池工艺简单且与当前硅异质结太阳能电池工艺相兼容，电池开路电压高、成本低，光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN107492657A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710566669.0
申请日：2017-07-12
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化钴镍正负极电池的制备方法及其在碱性可循环电池上的应用。首先，以泡沫镍为基底，氯化镍和氯化钴为镍源和钴源，尿素为沉淀剂，水热法合成法得到钴-镍前驱体；再以硫化钠为硫化剂，水热法对钴-镍前驱体进行硫化，即可得到硫化钴镍/泡沫镍正极，所得材料为均匀生长在泡沫镍基底上的纳米管阵列。将上述过程中的基底换为导电碳布，其它步骤一致，即可得到硫化钴镍/导电碳布负极，硫化钴镍负极是均匀生长在导电碳布上的纳米棒阵列。将上述正负极材料与1M的KOH电解液即可组成碱性可循环电池，电位窗口为1.6V，在该电位窗口内恒流充放电时，最大能量密度和功率密度分别可以达到27.2Wh/kg和1200W/kg。
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公开(公告)号：CN105551934B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510910126.7
申请日：2015-12-10
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，步骤为：采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积非化学计量比碳化硅薄膜，硅量子点在非化学计量比碳化硅薄膜沉积过程中形成；采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜；依次上述重复，制备周期性多层膜。经过上述步骤所制备的含硅量子点碳硅基薄膜材料具有制备工艺简单、能耗小、薄膜面积大、均匀性好、缺陷态少以及载流子遂穿势垒低等优点。本发明所提供的方法在硅量子点光电器件制备与应用方面有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105386002B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510778898.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种非晶碳薄膜材料的低温制备方法，该方法包括以下步骤：（1）单晶硅片的清洗；（2）以硅烷和氨气为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅片上沉积氮化硅薄膜；（3）以甲烷为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在（2）中的氮化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜。经过上述步骤所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、沉积温度低、能耗少、成本低、碳膜均匀性好以及大面积制备等优点。
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公开(公告)号：CN106328766B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201610816792.9
申请日：2016-09-12
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种在可见光波段具有高透射特性的薄膜材料低温制备方法，该方法包括以下步骤：（1）石英片的清洗；（2）以硅烷和甲烷为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在石英片上沉积碳化硅薄膜；（3）以甲烷为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤（2）中的碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜。此发明方法通过调整和优化双层膜的折射率及厚度，从而降低薄膜对光的反射。经过上述步骤所制备的减反射膜具有工艺简单、成本低以及在可见光波段具有透射率高等优点。
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公开(公告)号：CN105931852A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610251895.5
申请日：2016-04-21
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明属于超级电容器领域，具体涉及一种表面呈毛绒状的三氧化二铁纳米管阵列材料及其制备方法。所述材料呈毛绒管状结构，且均匀地沉积在钛片或不锈钢基底表面，沉积阵列长度为2‑4μm，直径为50‑100nm。所述方法以硝酸钴为钴源，尿素作为沉淀剂，采用溶剂热合成法制得氢氧化钴纳米线阵列，在此基础上，以氢氧化钴为牺牲模板，以钛片或不锈钢为基底，通过在硝酸铁或者氯化铁溶液中浸泡，并进一步烧结制得毛绒管状三氧化二铁阵列材料。
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公开(公告)号：CN105648417A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610144655.5
申请日：2016-03-14
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)清洗单晶硅片；(2)将清洗好的硅片放入充有氧气的高温石英退火炉中进行热氧化处理，使其表面形成一层氧化硅薄膜；(3)以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积法在步骤(2)中所形成的氧化硅薄膜表面沉积非晶碳薄膜。用上述方法所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、均匀性好、电阻率低以及适合大面积制备等优点，而且此工艺与现有的半导体工艺技术相兼容，有利于非晶碳薄膜的应用。
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公开(公告)号：CN117854949A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410043554.3
申请日：2024-01-11
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了VO2(H2O)0.5/CoVO3/(NH4)0.38V2O5/NH4V10O25•8H2O复合电极的制备方法及其超级电容器应用。首先采用水热法在泡沫镍基底上制备钴基前驱体；然后利用二次水热法引入钒源和铵根，获得VO2(H2O)0.5/CoVO3/(NH4)0.38V2O5/NH4V10O25•8H2O复合电极。所得复合电极在5mA cm‑2电流密度下，容量高达6.8 F cm‑2。在60 mA/cm2的大电流密度下循环2000次后，容量保持率约为86.6%。当用于混合型超级电容器时，器件功率密度为4 mW cm‑2时，能量密度达到0.347 mWh cm‑2，且循环20000次后，容量保持率仍然高达90%。说明钴源和钒源以VO2(H2O)0.5/CoVO3/(NH4)0.38V2O5/NH4V10O25•8H2O方式组合时，获得的复合电极具有较好的超级电容器应用前景。
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