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公开(公告)号：CN114212826A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111397586.6
申请日：2021-11-23
Abstract: 本发明公开了一种Mo金属掺杂MnO2电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域。本发明是以乙炔黑、高锰酸钾、浓硫酸、钼酸钠为原材料，首先将原材料配制成混合反应液、其次进行水热反应、抽滤、干燥，从而使高锰酸钾加热分解形成Mo金属掺杂MnO2电极材料。本发明通过简单的一步水热掺杂，得到Mo金属掺杂MnO2电极材料，其中的Mo元素在高度可逆的充放电过程中替换了部分原MnO2中Mn的位置，高价的Mo通过抑制Mn的溶解从而提高了MnO2的循环性能，改善了锰基材料锌离子电池的整体电化学性能。
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公开(公告)号：CN113793811B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111351802.3
申请日：2021-11-16
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种芯片堆叠结构的连接方法，包括：提供一基板；将至少两个芯片堆叠结构固定在所述基板上，相邻的两个芯片堆叠结构之间具有间隙，每个芯片堆叠结构包括堆叠设置的多层芯片，每层芯片包括衬底、形成于所述衬底上焊盘以及覆盖所述衬底和所述焊盘的介质层，所述间隙暴露所述焊盘的侧面；去除所述间隙侧面的部分衬底和部分介质层，使所述焊盘局部突出于所述介质层；在所述芯片堆叠结构和所述基板表面形成连接材料层，去除所述芯片堆叠结构和所述基板表面的连接材料层，形成连接层，相邻的所述焊盘通过所述连接层连接；以及，填充所述间隙，以使至少两个芯片堆叠结构连接在一起。解了决芯片面积越大，良率越低的问题。
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公开(公告)号：CN114005779A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111595678.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。所述键合系统包括：键合组件，包括：用于拾取第一待键合管芯的键合头，以及贯穿所述键合头的第一光通路；其中，所述第一光通路的第一端位于所述键合头拾取所述第一待键合管芯的拾取面；第一对准组件，用于在所述键合组件位于第一位置时，通过所述第一光通路的第二端向所述第一端发射检测光信号；所述第一对准组件，还用于接收所述检测光信号经所述第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的所述反射光信号确定所述第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定所述晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
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公开(公告)号：CN114005777A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111594630.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。键合系统包括：键合组件，包括：键合头以及贯穿键合头的第一光通路；第一对准组件，用于在键合头位于第一位置时，确定拾取面相较于水平面的偏移量；键合组件，还用于根据偏移量，驱动键合头移动至平行于水平面的第二位置；第一对准组件，还用于在键合头位于第二位置时，通过第一光通路的第二端向第一端发射检测光信号；第一对准组件，还用于接收检测光信号经第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的反射光信号确定第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
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公开(公告)号：CN113793811A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111351802.3
申请日：2021-11-16
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种芯片堆叠结构的连接方法，包括：提供一基板；将至少两个芯片堆叠结构固定在所述基板上，相邻的两个芯片堆叠结构之间具有间隙，每个芯片堆叠结构包括堆叠设置的多层芯片，每层芯片包括衬底、形成于所述衬底上焊盘以及覆盖所述衬底和所述焊盘的介质层，所述间隙暴露所述焊盘的侧面；去除所述间隙侧面的部分衬底和部分介质层，使所述焊盘局部突出于所述介质层；在所述芯片堆叠结构和所述基板表面形成连接材料层，去除所述芯片堆叠结构和所述基板表面的连接材料层，形成连接层，相邻的所述焊盘通过所述连接层连接；以及，填充所述间隙，以使至少两个芯片堆叠结构连接在一起。解了决芯片面积越大，良率越低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113634544A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110939158.5
申请日：2021-08-16
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明提供了一种晶圆清洗机构，用于对晶圆进行清洗，所述晶圆的表面贴附有承载膜，包括：绷膜环、清洗槽及清洗支架；其中，所述清洗支架用于固定所述绷膜环，所述清洗槽位于所述绷膜环下方，所述承载膜贴附于所述绷膜环上，所述晶圆位于所述绷膜环的内环面内且所述晶圆的边缘与所述绷膜环的内环面之间具有间隙，所述晶圆朝向所述清洗槽并浸入所述清洗槽内的清洗液中。本发明在所述晶圆的清洗过程中，由于所述清洗液不接触所述承载膜的表面，从而避免所述清洗液与所述承载膜发生物理化学反应导致所述晶圆受污染，并保证了所述晶圆的清洗洁净度且工艺兼容性高。
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公开(公告)号：CN119786490A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411972824.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供了一种半导体结构和形成方法，其中，半导体结构，包括：衬底、互连结构、多个第一接触插塞和导电插塞；其中，导电插塞，贯穿衬底，并通过多个第一接触插塞，连接至互连结构；其中，多个第一接触插塞中的一部分呈同心环状排布。这样，能够避免导电插塞的形成过程对互连结构和金属层间电介质造成破坏。另外，呈同心环状排布的第一接触插塞，能够避免第一接触插塞和导电插塞发生变形。
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公开(公告)号：CN119252798B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411777712.4
申请日：2024-12-04
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体的制备方法及半导体结构，其中，所述方法包括：在衬底的第一表面上形成凹槽结构；依次形成第一阻挡层和第一钝化层，第一阻挡层覆盖凹槽结构的侧壁和底部，第一钝化层覆盖第一阻挡层位于凹槽结构的底部的部分；将第一阻挡层与凹槽底部接触的表面定义为预设表面。在凹槽结构中形成掩埋式电源轨；在衬底的第二表面上形成通孔结构，通孔结构暴露出第一阻挡层的预设表面；其中，第一表面与第二表面为衬底相对设置的两个表。形成第二钝化层，第二钝化层位于通孔结构的底部并覆盖至少部分预设表面；在通孔结构中填充第二导电材料以形成导电结构；执行热处理工艺，以在导电结构与掩埋式电源轨之间形成目标界面。
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公开(公告)号：CN114203541B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202111420791.X
申请日：2021-11-26
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种将金属电极转移至二维材料上的方法，其包括：获取待转移结构，所述待转移结构包括衬底、形成于衬底上的过渡层以及形成于过渡层上的金属电极图案；对所述过渡层进行湿法刻蚀，去除未被金属电极图案覆盖的所述过渡层；通过有机柔性材料将待转移结构中的金属电极图案从所述过渡层上整体粘起并贴合至目标结构中的二维材料上；去除所述有机柔性材料，完成金属电极与二维材料的范德华接触。通过引入过渡层并结合湿法刻蚀和干法转移，使得容易实现待转移图案的整体剥离，大大提高了制备的成功率，且通过范德华力结合金属电极和二维材料，能够大大提高两者的接触性能。
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公开(公告)号：CN115236880B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210857713.4
申请日：2022-07-20
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法，其中，该太赫兹波调制器包括由下而上依次设置的衬底层、碲化锗相变材料层和覆盖层；衬底层和覆盖层均采用对太赫兹波透明的材料制成；碲化锗相变材料层，其上施加有纳秒级别的瞬时能量，用于根据施加的瞬时能量大小非易失性且可逆的改变碲化锗的相态，从而实现透射太赫兹波在不同调制状态间可逆的转化。本发明利用碲化锗的相变原理及不同相态碲化锗的光学性能在较宽的频率范围内都有着极大的对比度，通过在碲化锗上施加瞬时能量，改变其相态，从而实现对较宽频率范围内的太赫兹波调制，且本发明结构简单，无需持续向碲化锗施加能量，即可维持碲化锗的状态，具有能耗低的特点。
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