公开(公告)号：CN119786490A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411972824.5

申请日：2024-12-30

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 何思 ,  高标 ,  万逸娴 ,  程甜甜

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供了一种半导体结构和形成方法，其中，半导体结构，包括：衬底、互连结构、多个第一接触插塞和导电插塞；其中，导电插塞，贯穿衬底，并通过多个第一接触插塞，连接至互连结构；其中，多个第一接触插塞中的一部分呈同心环状排布。这样，能够避免导电插塞的形成过程对互连结构和金属层间电介质造成破坏。另外，呈同心环状排布的第一接触插塞，能够避免第一接触插塞和导电插塞发生变形。

公开(公告)号：CN119446944A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411531369.5

申请日：2024-10-30

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 高标 ,  何思 ,  程甜甜

IPC: H01L21/603

Abstract: 本公开实施例提供一种键合装置及键合方法，所述键合装置包括键合组件，所述键合组件包括控制部和形变部；所述控制部围绕所述形变部，所述控制部用于向所述形变部施加电压以使所述形变部发生形变并带动第一键合结构发生形变。