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公开(公告)号：CN115236880A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210857713.4
申请日：2022-07-20
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法，其中，该太赫兹波调制器包括由下而上依次设置的衬底层、碲化锗相变材料层和覆盖层；衬底层和覆盖层均采用对太赫兹波透明的材料制成；碲化锗相变材料层，其上施加有纳秒级别的瞬时能量，用于根据施加的瞬时能量大小非易失性且可逆的改变碲化锗的相态，从而实现透射太赫兹波在不同调制状态间可逆的转化。本发明利用碲化锗的相变原理及不同相态碲化锗的光学性能在较宽的频率范围内都有着极大的对比度，通过在碲化锗上施加瞬时能量，改变其相态，从而实现对较宽频率范围内的太赫兹波调制，且本发明结构简单，无需持续向碲化锗施加能量，即可维持碲化锗的状态，具有能耗低的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115236880B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210857713.4
申请日：2022-07-20
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法，其中，该太赫兹波调制器包括由下而上依次设置的衬底层、碲化锗相变材料层和覆盖层；衬底层和覆盖层均采用对太赫兹波透明的材料制成；碲化锗相变材料层，其上施加有纳秒级别的瞬时能量，用于根据施加的瞬时能量大小非易失性且可逆的改变碲化锗的相态，从而实现透射太赫兹波在不同调制状态间可逆的转化。本发明利用碲化锗的相变原理及不同相态碲化锗的光学性能在较宽的频率范围内都有着极大的对比度，通过在碲化锗上施加瞬时能量，改变其相态，从而实现对较宽频率范围内的太赫兹波调制，且本发明结构简单，无需持续向碲化锗施加能量，即可维持碲化锗的状态，具有能耗低的特点。
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公开(公告)号：CN114005932B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111183070.1
申请日：2021-10-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种基于相变材料的可控超表面结构及其制备方法，该结构从下至上依次包括：衬底、底电极层、透明绝缘层和顶电极层；透明绝缘层中设置有超表面单元和多个微电极柱，超表面单元的上、下表面均连接微电极柱，或者超表面单元的上、下表面中任意一面连接微电极柱，另一面连接底电极层或顶电极层；各微电极柱的一端连接超表面单元，另一端连接底电极层或顶电极层；在不同脉冲电流作用下，超表面单元能够发生不同程度的可逆的相变，使得可控超表面结构的电磁波透过率发生变化。本发明通过精确控制施加的电流来精确地控制超表面结构中相变材料的相变程度，从而实现对基于该超表面的器件光学性能的精确调制功能。
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公开(公告)号：CN113206193B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110436345.1
申请日：2021-04-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于相变原理的忆阻器及其制备方法，属于微电子技术领域；其中，忆阻器包括：由下至上的基底、底电极、第一限制层、介质层、第二限制层以及顶电极；第一限制层和第二限制层的材料均包括二维原子晶体材料；介质层的材料包括相变材料；第一限制层和第二限制层用于对介质层的相变范围进行限制；二维原子晶体材料中的二维原子晶体具有较高的结构稳定性，在介质层两侧制备限制层能够为介质层在垂直方向上施加较大的应力，对介质层的相变范围进行限制，大大提高了忆阻器的稳定性以及各种阻态下的保持时间，能够使得相变材料的亚稳态状态更加稳定，成为稳态，进而使器件拥有更好的稳定阻态。
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公开(公告)号：CN114005932A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111183070.1
申请日：2021-10-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种基于相变材料的可控超表面结构及其制备方法，该结构从下至上依次包括：衬底、底电极层、透明绝缘层和顶电极层；透明绝缘层中设置有超表面单元和多个微电极柱，超表面单元的上、下表面均连接微电极柱，或者超表面单元的上、下表面中任意一面连接微电极柱，另一面连接底电极层或顶电极层；各微电极柱的一端连接超表面单元，另一端连接底电极层或顶电极层；在不同脉冲电流作用下，超表面单元能够发生不同程度的可逆的相变，使得可控超表面结构的电磁波透过率发生变化。本发明通过精确控制施加的电流来精确地控制超表面结构中相变材料的相变程度，从而实现对基于该超表面的器件光学性能的精确调制功能。
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公开(公告)号：CN113206193A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110436345.1
申请日：2021-04-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于相变原理的忆阻器及其制备方法，属于微电子技术领域；其中，忆阻器包括：由下至上的基底、底电极、第一限制层、介质层、第二限制层以及顶电极；第一限制层和第二限制层的材料均包括二维原子晶体材料；介质层的材料包括相变材料；第一限制层和第二限制层用于对介质层的相变范围进行限制；二维原子晶体材料中的二维原子晶体具有较高的结构稳定性，在介质层两侧制备限制层能够为介质层在垂直方向上施加较大的应力，对介质层的相变范围进行限制，大大提高了忆阻器的稳定性以及各种阻态下的保持时间，能够使得相变材料的亚稳态状态更加稳定，成为稳态，进而使器件拥有更好的稳定阻态。
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