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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113921707B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202111074140.X
申请日：2021-09-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明提供了一种二位相变存储器的阻值测量方法，属于微电子存储器领域，二位相变存储器包括：异质堆叠模块、电极和隔离模块，异质堆叠模块为Ge‑Ga‑Sb和Ge‑Sb‑Te交替堆叠构建；在加热或电脉冲的作用下，异质堆叠模块存在四种阻值；第一种阻值为未加热或未施加电脉冲时的阻值；第二种阻值为Ge‑Sb‑Te发生结晶时的阻值；第三种阻值为Ge‑Ga‑Sb发生结晶时的阻值；第四种阻值为Ge‑Ga‑Sb发生晶粒变大且相分离形成Sb富集区域时的阻值；本发明不仅增加了相变存储器的存储容量，而且是相较于现有多值相变存储器而言更适配于二进制计算机的二位存储器，同时还具有更加简单的制造工艺。
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公开(公告)号：CN114005932A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111183070.1
申请日：2021-10-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种基于相变材料的可控超表面结构及其制备方法，该结构从下至上依次包括：衬底、底电极层、透明绝缘层和顶电极层；透明绝缘层中设置有超表面单元和多个微电极柱，超表面单元的上、下表面均连接微电极柱，或者超表面单元的上、下表面中任意一面连接微电极柱，另一面连接底电极层或顶电极层；各微电极柱的一端连接超表面单元，另一端连接底电极层或顶电极层；在不同脉冲电流作用下，超表面单元能够发生不同程度的可逆的相变，使得可控超表面结构的电磁波透过率发生变化。本发明通过精确控制施加的电流来精确地控制超表面结构中相变材料的相变程度，从而实现对基于该超表面的器件光学性能的精确调制功能。
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公开(公告)号：CN114005932B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111183070.1
申请日：2021-10-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种基于相变材料的可控超表面结构及其制备方法，该结构从下至上依次包括：衬底、底电极层、透明绝缘层和顶电极层；透明绝缘层中设置有超表面单元和多个微电极柱，超表面单元的上、下表面均连接微电极柱，或者超表面单元的上、下表面中任意一面连接微电极柱，另一面连接底电极层或顶电极层；各微电极柱的一端连接超表面单元，另一端连接底电极层或顶电极层；在不同脉冲电流作用下，超表面单元能够发生不同程度的可逆的相变，使得可控超表面结构的电磁波透过率发生变化。本发明通过精确控制施加的电流来精确地控制超表面结构中相变材料的相变程度，从而实现对基于该超表面的器件光学性能的精确调制功能。
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公开(公告)号：CN115835770A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211482089.0
申请日：2022-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，更具体地，涉及一种Sb‑Te‑C相变存储材料及其制备方法和应用。本发明Sb‑Te‑C相变存储材料，其化学组成通式为(SbiTej)100‑xCx，其中x，i和j均表示原子百分比，0＜x≤30，0＜i≤50，50≤j＜100，i+j＝100。与未掺杂C的Sb‑Te相变材料相比，本发明提供的Sb‑Te‑C相变薄膜材料电阻随温度变化曲线随着C浓度的增加逐渐趋向于缓变，具有应用于人工神经网络与类脑计算的潜力；且所述Sb‑Te‑C相变材料的电阻窗口以及电阻绝对值增大，意味着存储数据的区分程度增大，操作功耗降低；另外所述Sb‑Te‑C相变材料的相变温度得到较大提升，热稳定性增强，数据保持力增强。
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公开(公告)号：CN113921707A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111074140.X
申请日：2021-09-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于异质堆叠的二位相变存储器及其阻值测量方法，属于微电子存储器领域，二位相变存储器包括：异质堆叠模块、电极和隔离模块，异质堆叠模块为Ge‑Ga‑Sb和Ge‑Sb‑Te交替堆叠构建；在加热或电脉冲的作用下，异质堆叠模块存在四种阻值；第一种阻值为未加热或未施加电脉冲时的阻值；第二种阻值为Ge‑Sb‑Te发生结晶时的阻值；第三种阻值为Ge‑Ga‑Sb发生结晶时的阻值；第四种阻值为Ge‑Ga‑Sb发生晶粒变大且相分离形成Sb富集区域时的阻值；本发明不仅增加了相变存储器的存储容量，而且是相较于现有多值相变存储器而言更适配于二进制计算机的二位存储器，同时还具有更加简单的制造工艺。
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