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公开(公告)号：CN118024141A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311831509.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种硅片加工研磨液循环利用的改进方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将60L纯水加入至循环搅拌桶，开启内循环抽液泵和搅拌泵。第二步：将4～6L分散剂加入循环搅拌桶，搅拌20分钟。第三步：将Al2O3和锆酸盐混合物30～40KG加入循环搅拌桶，持续搅拌。第四步：人工将硅片放置到磨片机定盘上定制的载体孔内，启动磨片机，开始研磨加工流程。第五步：在研磨加工流程开启时，同步使用过的研磨液通过进液管注入循环搅拌桶内。第六步：保持加工，直到研磨液无法满足研磨加工。第七步：加工完成后，从出液管排掉废弃的研磨液，清洗循环搅拌桶。具有结构紧凑、省时省力和操作便捷的特点。提高研磨液使用寿命及加工效率。
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公开(公告)号：CN117926407A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311847128.7
申请日：2023-12-28
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 金太薰
Abstract: 本发明涉及一种大口径单晶拉晶中偏心测定与控制方法，所属硅片加工技术领域，大口径单晶拉晶炉结构包括坩埚，所述的坩埚下端设有坩埚驱动组件，所述的坩埚侧边设有加热器，所述的坩埚上方设有籽晶提拉旋转架，所述的籽晶提拉旋转架两侧边均设有测定照相机，所述的测定照相机与籽晶提拉旋转架间设有尺寸杆，所述的尺寸杆下端设有间距测定部。在单晶生长过程中，通过偏心测定，调节坩埚的旋转轴与籽晶的旋转轴一致。实现在旋转的半径方向上均匀地改善氧浓度，从而有助于改善的单晶生长炉和生长工艺。
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公开(公告)号：CN113862784B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202111134808.5
申请日：2021-09-27
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 钱炯恺
IPC: C30B29/06 , C30B23/02 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种制备高平坦度外延片的方法和装置，包括气态硅喷雾机构和外延底盘，所述外延底盘的顶部设置有衬底硅片，本发明涉及半导体生产技术领域。该制备高平坦度外延片的方法和装置，通过设置驱动机构驱动外延底盘间接带动其上的衬底硅片低速转动，可使气态的单晶硅更均匀的附着到衬底硅片表面，形成厚度均平整的外延片，且由于在转动过程中成型，不受装置本身倾斜度的影响，外延片品质高，同时从外侧向中间喷气态单晶硅的方式，也可一定程度上抵消微小的离心力，有利于提高外延片平坦度，同时设置回流管，可将吹进防溢罩内的多余的气态硅回流到雾化箱内，进而避免溢散到外界造成材料的浪费，节约了成本。
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公开(公告)号：CN117894716A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311793460.X
申请日：2023-12-25
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 吴瑶
IPC: H01L21/67 , G06Q50/04 , G06Q10/063
Abstract: 本发明涉及一种防止未长外延产品流出到下一站的工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片加工完成后进行抛光生成抛光片。第二步：将抛光片的厚度数据全部进行检测，同时厚度数据会同步收录到MES系统中，用量测ID为MWE3TCEN表示。第三步：对抛光片进行外延加工。第四步：外延加工完成后，进行外延片整体厚度的全部检查测试，检测后的数据会同步收录到MES系统中，用量测ID为MSP3_W001表示。第五步：通过测量到的MSP3_W001数值与MWE3TCEN数值相减，得到产品外延增加的厚度值，通过厚度值的变化将未长外延的产品识别出来。有效防止未长外延的产品流出到下一站，避免因未识别的异常导致最终器件零良率的问题。
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公开(公告)号：CN117888092A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311700002.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 赵祥峰
IPC: C23C16/52 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种降低硅片APCVD正背面污迹的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：APCVD成膜控制3个喷嘴气体流量。1#喷嘴、2#喷嘴和3#喷嘴的气体流量为N2H1流量10slm，N2H2流量10slm，N2（O2）流量17 slm，N2（SiO4）流量17slm，O2流量640sccm，SiH4流量80sccm。第二步：APCVD成膜控制对应预热区的温度。温区对应预热区右侧的温度为720度，预热区中部的温度为715度，预热区左侧的温度为720度，主加热区右侧的温度为685度，主加热区中部三个位置的温度分别为675度、595度和500度，主加热区左侧的温度为685度。对薄片改善沉积条件，优化沉积时的腔内压力，使硅片杜绝出现正背面污迹。减少偏薄硅片的正背面污迹情况。减少硅烷和氧气的用料，使SiO2完全沉积在背封面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117841053A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311679288.5
申请日：2023-12-08
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 张丹
Abstract: 本发明公开了一种硅片抛光布的裁布工具及精准控制方法，本发明涉及硅片抛光布裁布工具技术领域。该硅片抛光布的裁布工具通过设置刀杆和固定在刀杆底部的陶瓷刀，通过利用陶瓷刀片代替传统的不锈钢刀片来进行背膜与抛光布的揭开工作，从而避免了生锈的情况发生，且由于陶瓷刀片伸出刀杆长度为0.3毫米至0.5毫米之间，伸出距离较短，不会出现采用美工刀导致刀片伸长距离较长而容易造成抛光布损坏的情况，通过在刀杆的外侧转动设置一个防护罩，从而能够在不使用工具时将防护罩罩设在陶瓷刀片的外围，故而能够对陶瓷刀片进行保护，降低陶瓷刀片损坏的概率。
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公开(公告)号：CN117825484A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311759578.0
申请日：2023-12-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种检测硅片片盒内金属含量的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：用3%～10%硝酸浸泡洁净PFA容量瓶。第二步：用超纯水清洗PFA容量瓶。第三步：用500ml PFA容量瓶配置4～5%氢氟酸+4～5%双氧水溶液。第四步：用100mlPFA容量瓶配置2%的氢氟酸+2%双氧水混合液。第五步：ICP‑MS检测100mlPFA容量瓶中金属含量并记录，记为前值。第六步：待测晶圆包装盒接超纯水。第七步：将2%的氢氟酸+2%双氧水混合液倒入晶圆包装盒清洗后的超纯水内。第八步：清洗过晶圆包装盒后的溶液用ICP‑MS测试溶液中金属含量并记录，记为后值。第九步：取两次金属含量测试的差值，即为晶圆出货包装盒内金属含量。能够更灵敏地检出各金属含量，从而能够检测到更低含量的金属。
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公开(公告)号：CN117825483A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311759574.2
申请日：2023-12-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种检测硅片体内铜含量的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：用超纯水清洗各类容器和配置混合溶液。第二步：清洗待测硅片表面。第三步：将待测硅片置于电热板上加热。第四步：停止加热，待温度冷却至室温后，硅片表面进行萃取，萃取过程中通过氮气枪吹扫萃取液。第五步：使用ICP‑MS测试空白样品，以确认仪器状态正常，最后使用ICP‑MS测试样品溶液中的Cu含量。方便管控硅片生产和加工过程中的Cu污染，促进良率的提高。通过酸混合溶液除去样品表明的金属杂质和氧化膜，避免了不必要的金属污染引入，更真实准确的测定硅片样品体内的金属含量。
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公开(公告)号：CN117747527A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311573180.8
申请日：2023-11-23
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了解决退火产品背面印记的柔性机械手臂结构，包括：驱动平台，配置于机体或地面上，该驱动平台上部安装机械手，驱动平台实现对机械手的空间驱动；调整架，安装于机械手外侧，呈对称式形成对硅片底部的托举，该调整架内侧配置连接管路，连接管路延伸至调整架朝向硅片底部的一侧；气泵组件，固定于驱动平台外侧并可拆卸连通连接管路，实现对连接管路的供气。本发明通过柔性机械手，能够在使用的过程中对硅片进行保护，而在进行硅片转移的过程中，对硅片进行托举，从而避免硅片背面出现印记，且能够保证硅片的稳定性。
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公开(公告)号：CN117747519A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311573196.9
申请日：2023-11-23
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了硅片人工检查的中转载台及快检方法，包括透明放置箱，所述透明放置箱的内腔底部中间转动设置有中转轴，本发明涉及中转载台技术领域。该硅片人工检查的中转载台及快检方法，通过第一齿轮、第一限位夹板组件、第二限位夹板组件以及齿盘之间的配合，当硅片转动到前方，调节第二限位夹板组件就能翻转硅片，无需用手触摸硅片进行翻动，实现对硅片的多个角度翻转，对硅片的正面和背面进行反复观察，同时能避免硅片造成污染和划伤，通过中转轴、承载台、硅片限位机构以及齿盘之间的相互配合，能使硅片进行公转的同时还能进行自转，可以从多个角度对硅片的正面和背面进行反复观察，操作方便，提高了人工检查的效率。
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