公开(公告)号：CN105655306A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610135199.8

申请日：2016-03-10

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 陈烨 ,  姚礼军

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/492

CPC classification number: H01L2224/40137 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/492

Abstract: 一种集成在散热基板上的双面焊接单面散热功率模块，它主要包括散热基板、绝缘基板、绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分、硅凝胶、功率端子、铜片、信号端子、塑料外壳、铝线；绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分一面通过软铅焊焊接在绝缘基板导电铜层上；另一面各绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分之间、各绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分与绝缘基板相应的导电层之间分别通过铜片以及软钎焊焊接工艺实现电气连接；各绝缘栅双极型晶体管芯片部分的信号端与注塑在塑料外壳中的信号端子通过铝线键合来实现电气连接；功率端子通过超声波焊接在绝缘基板导电铜层上；绝缘基板通过软钎焊直接焊接或集成在散热基板上。

公开(公告)号：CN104867888A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510220010.0

申请日：2015-05-04

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 贺姿 ,  吴晓诚

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L2224/32225

Abstract: 一种高散热性SiC的功率模块，它包括SiC芯片、金属片、覆铜陶瓷基板、焊料及铜基板，所述的SiC芯片通过焊料焊接在金属片上，该金属片则通过焊料焊接在覆铜陶瓷基板的上表面铜层上，所述覆铜陶瓷基板的下表面铜层通过焊料焊接在铜基板上；所述金属片为纯紫铜片、铜合金片或者其它导电性能好的金属片中的一种，且所述金属片具有与焊料有良好润湿性的特性；所述的覆铜陶瓷基板包括上表面铜层、陶瓷层、下表面铜层，所述上表面铜层、陶瓷层和下表面铜层之间通过烧结形成一体，且中间的陶瓷层面积大于上下层的铜层面积；它具有结构合理，安装使用方便，能满足SiC芯片的散热要求，提高SiC芯片功率模块的可靠性，操作简便易实现等特点。

公开(公告)号：CN103779316A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410034552.4

申请日：2014-01-25

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 李君

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/373

Abstract: 一种功率模块焊接结构，它包括有一块通过紧固件安装在一散热器上的散热基板，该散热基板上面焊接有一块带有芯片的覆铜陶瓷衬底，所述散热基板在与覆铜陶瓷衬底焊接成一体之前的正常态是：中间为向下呈一定外凸的弯曲变形，且所述散热基板的热膨胀系数大于其上焊连的覆铜陶瓷衬底2的热膨胀系数，并使所述散热基板在与覆铜陶瓷衬底焊接成一体后，散热基板下面与散热器接触的散热面为平整面；所述的覆铜陶瓷衬底通过焊料焊接于散热基板上面的焊接面；所述散热基板下面的散热面上涂覆一定厚度的导热脂，并通过紧固件安装在散热器上；功率模块在焊接后，其散热基板能够同散热器有良好接触，并使功率模块工作时产生的热量能有效的传导、散发，能有效提高功率模块的稳定性及使用寿命。

公开(公告)号：CN103769764A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410034621.1

申请日：2014-01-25

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: B23K35/28 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/262 ,  H01L25/072

Abstract: 一种软钎焊的焊片和功率模块组装结构，所述的软钎焊的焊片，它主要由片状焊料组成，其特征在于所述的片状焊料中含有熔点在软钎焊温度以上的金属或其合金颗粒；所述功率模块组装结构，所述功率模块包括：芯片，金属化陶瓷衬底（如DBC），散热基板，其特征在于所述芯片通过焊接在所述金属化陶瓷衬底的上表面铜层上，并形成功率模块的第一层焊接体；所述第一层焊接体通过软钎焊的焊片焊接到散热基板上，形成第二层焊接体，且所述软钎焊的焊片中的金属颗粒厚度或直径小于第一层焊接体与散热基板之间形成的焊接层厚度；由于焊料层中金属颗粒的存在，客观上起到了阻止焊料裂纹扩展的作用，将显著提高连接的质量和可靠性。

公开(公告)号：CN118335784B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202410307432.0

申请日：2024-03-18

Applicant: 浙江大学 ,  斯达半导体股份有限公司

Inventor： 盛况 ,  王珩宇 ,  周学磊 ,  沈华 ,  刘志红

IPC: H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D62/10

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种超级结IGBT半元胞结构、器件及制备方法，包括发射极结构、栅极结构和集电极结构，发射极结构与栅极结构并排接触设置，且并排接触设置的发射极结构和栅极结构，与集电极结构之间设置有漂移区结构，漂移区结构与栅极结构部分接触设置，漂移区结构与发射极结构之间设置有载流子储存层，且栅极结构与载流子储存层部分接触设置，栅极结构、漂移区结构以及载流子储存层之间设置有空穴通道区，解决了现有IGBT器件无法实现提高电导调制效应的同时，降低器件关断损耗的问题。

公开(公告)号：CN113471276B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202110806427.0

申请日：2021-07-16

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 汤艺 ,  沈华

IPC: H10D62/83 ,  H10D12/00 ,  H10D30/66 ,  H10D84/82 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明公开了一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法，该功率器件结构包括Bipolar部分及MOSFET部分，其具体包括N型衬底及设置在该N型衬底底部的集电极金属层，N型衬底的顶部设置有P‑base区，P‑base区上通过沟槽设置有若干栅极氧化层及竖直布置在对应栅极氧化层内的沟槽栅极；P‑base区内设置有若干N+注入区和P+注入区，P‑base区的顶部两侧对应于N+注入区和P+注入区的位置上设置有可浮动基级和发射极，且所述可浮动基级和发射极之间通过ILD外绝缘层进行隔离，该功率器件结构的制作包括生长外延层、生长场氧化层等步骤，工艺流程和普通碳化硅MOSFET的流程兼容，不需要增加新步骤。

公开(公告)号：CN119727332A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411791524.7

申请日：2024-12-06

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 孙焯 ,  戴志展 ,  王宇航

IPC: H02M1/088 ,  H02H7/12 ,  H02H3/087

Abstract: 本发明涉及智能功率模块技术领域，具体涉及一种智能功率模块驱动装置。包括，功率芯片；驱动芯片，驱动芯片的第一驱动极连接功率芯片的门极，驱动芯片的第二驱动极连接功率芯片的发射极，驱动芯片包括；无线信号接收部，用于采集无线信号获得原始驱动信号；施密特触发滤波部，用于对原始驱动信号进行波形转换，输出初步的方波信号；逻辑电平转换部，用于对触发信号进行边沿切换，输出方波信号；驱动部，用于将方波信号转换为驱动信号输出至功率芯片的门极；本发明通过无线信号接收部实现无线驱动信号的传输，解决现有技术中用于传输驱动信号的键合线多，容易发生塌线断线、模块容易报废等问题。

公开(公告)号：CN119199454A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411532106.6

申请日：2024-10-30

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 朱翔

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种功率循环快速测试方法，包括：步骤A1，根据功率器件的热阻曲线得到结温升降控制参数的初始估算值；步骤A2，基于初始估算值运行功率循环机器以对结温升降控制参数中的预定参数进行调试，得到结温升降控制参数的循环测试用值；步骤A3，将功率循环机器的结温升降控制参数设置成循环测试用值，并开始进行功率器件的功率循环测试。打破了传统的功率循环的测试方法，大大提高了测试效率，更好的模拟实际运行工况下的寿命，提高功率循环曲线的精度，得到更贴近实际的测试结果，完成寿命评估从估算到计算的质转变。

公开(公告)号：CN118069642A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410151810.0

申请日：2024-02-02

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 朱妍旭

IPC: G06F16/22 ,  G06F16/2455 ,  G06F8/41 ,  G06F8/30

Abstract: 本发明提供一种基于Python的测试数据检查方法和系统，读取测试数据文件，并对测试数据文件进行测试数据解析，得到解析结果，解析结果包括产品型号、产品批次号以及产品编号；创建第一字典，将产品批次号作为第一字典的第一键值，添加与第一键值关联的全部产品编号形成第一列表，以作为第一字典的第一字典元素；根据第一字典检查每个产品批次号的最大产品编号、重复测试情况以及测试缺少情况；将最大产品编号、测试重复情况以及测试缺少情况合并为检查结果并输出。快速获取大量测试数据的测试结果汇总，极大提高了工作效率。

公开(公告)号：CN117558704A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311637547.8

申请日：2023-12-01

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 倪佳悦

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/492

Abstract: 本发明提供一种半导体功率模块，涉及功率半导体技术领域，包括：碳化硅芯片，碳化硅芯片焊接于金属化陶瓷衬底的发射极上，碳化硅芯片的发射极上烧结形成银浆层，银浆层通过键合线与金属化陶瓷衬底的发射极相连，碳化硅芯片的门极与金属化陶瓷衬底的发射极通过键合线相连；功率端子，功率端子的底部焊接于金属化陶瓷衬底的发射极上。有益效果是通过在碳化硅芯片上烧结银浆层再键合银合金键合线可以解决银线直接与芯片结合的导通电阻不够低，功率损耗较高、使用寿命不长等问题；银合金键合线与银浆层属于同种材质，相互之间结合更可靠，相应的使银合金键合线与碳化硅芯片之间结合力更牢固。