一种双馈电机定子合、分闸过电压抑制的控制方法及装置

    公开(公告)号:CN112736850B

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202011644707.8

    申请日:2020-12-30

    Abstract: 一种双馈电机定子合、分闸过电压抑制的控制方法及装置,该实时采集系统发出的双馈电机控制系统启、停命令;根据系统发出的启、停命令,控制双馈电机定子合闸过程中各开关的闭合顺序、分闸过程中各开关的断开顺序;所述开关包括定子电源开关、可控隔离单元开关;对双馈电机定子合、分闸过程的各开关状态进行监控,并判断各开关是否发生故障;所述故障包括定子电源开关工作异常故障、可控隔离单元开关工作异常故障;若发生故障,则系统停止工作。通过可控隔离单元开关有效的抑制了定子合闸过程中产生的尖峰电压,使之与转子侧的变频器进行隔离,避免了定子合闸尖峰电压对转子侧连接的变频器功率半导体器件的冲击。

    一种高压三相负荷不平衡补偿装置的控制方法及系统

    公开(公告)号:CN114336689A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111577112.X

    申请日:2021-12-21

    Abstract: 本发明公开了一种高压三相负荷不平衡补偿装置的控制方法及系统,方法包括,实时采集配电变压器二次侧电压和负荷电流;根据采集的二次侧电压和负荷电流,得出三相功率;通过三相功率,获得三相不平衡功率;对三相变换器的母线电压进行电压闭环控制,获取三相变换器损耗补偿功率;将三相不平衡功率减去三相变换器损耗补偿功率,作为三相变换器输出的不平衡补偿功率给定;根据三相变换器输出的不平衡补偿功率给定,对三相变换器的输出功率进行功率闭环控制,获取三相变换器的三相输出电压给定,进而实现配电变压器输出侧的三相负荷平衡。通过对变换器进行控制,以实现高压配电变压器的出线侧三相负荷功率的平衡,进而提高配电变压器的使用寿命。

    一种双馈电机定子合、分闸过电压抑制的控制方法及装置

    公开(公告)号:CN112736850A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011644707.8

    申请日:2020-12-30

    Abstract: 一种双馈电机定子合、分闸过电压抑制的控制方法及装置,该实时采集系统发出的双馈电机控制系统启、停命令;根据系统发出的启、停命令,控制双馈电机定子合闸过程中各开关的闭合顺序、分闸过程中各开关的断开顺序;所述开关包括定子电源开关、可控隔离单元开关;对双馈电机定子合、分闸过程的各开关状态进行监控,并判断各开关是否发生故障;所述故障包括定子电源开关工作异常故障、可控隔离单元开关工作异常故障;若发生故障,则系统停止工作。通过可控隔离单元开关有效的抑制了定子合闸过程中产生的尖峰电压,使之与转子侧的变频器进行隔离,避免了定子合闸尖峰电压对转子侧连接的变频器功率半导体器件的冲击。

    一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断系统及诊断方法

    公开(公告)号:CN109061431B

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN201810957220.1

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本发明提供一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断系统,SiC MOSFET栅极故障诊断系统包括:栅极电荷检测电路、逻辑控制单元、放大器、第一电阻R1、第二电阻R2。该系统在SiC MOSFET运行状态中,对栅极电荷进行在线检测,根据在发生栅极故障时栅极电荷的变化情况进行栅极故障诊断,并对栅极短路故障和栅极开路故障进行识别。当栅极发生短路故障时,检测到的栅极电荷值将迅速增大到检测电路所允许的最大值;而当栅极发生开路故障时,检测到的栅极电荷在开关瞬态始终保持为零。本发明能够快速检测到栅极故障,以便SiC MOSFET应用系统及时停机,从而保护SiC MOSFET驱动板并防止SiC MOSFET发生二次故障。

    一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路及方法

    公开(公告)号:CN110635792A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201911047961.7

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明提供一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路及方法,包括:逻辑单元、驱动单元、短路保护单元、VDS检测单元以及VG检测单元,本发明采用降低栅极电压VG的方法抑制短路电流,从而降低短路故障对器件的冲击,减小了短路损耗,增大了短路耐受时间。当SiC MOSFET发生一类短路时,漏极电压VDS将不会下降至导通压降,本发明通过判断漏极电压VDS是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压,使栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级;当SiC MOSFET发生二类短路时,栅极电压VG将会发生突变,形成电压尖峰,本发明通过判断导通状态时栅极电压VG是否出现电压尖峰来选择导通状态的栅极驱动电压,可在短路时将栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级;此外本发明电路不影响正常开通过程,确保了SiC MOSFET开通瞬态的快速性。

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