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公开(公告)号：CN117809711B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410089674.7
申请日：2024-01-22
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种存储器的读取电路，包括：参考电阻；开关模块，该开关模块的一侧与所述参考电阻及所述存储器的可变电阻连接，用于对所述参考电阻及所述存储器的可变电阻与钳位模块之间的通断进行控制；钳位模块，该钳位模块的一侧与所述开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对该钳位模块与所述开关模块之间的节点的电压进行钳位；交叉耦合输出模块，该交叉耦合输出模块的一侧与所述钳位模块的另一侧连接，用于通过正反馈将所述预充电步骤中形成的差值电流转化成差值为电源电压的输出信号和反相输出信号；以及预充电模块，该预充电模块与所述交叉耦合输出模块的其他侧连接，用于对所述存储器的读取电路进行预充电。
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公开(公告)号：CN119575747A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411643282.7
申请日：2024-11-15
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本申请公开了一种用于导向自组装版图拆分的方法。该方法可包括以下步骤：获取要形成的半导体特征结构的位置信息；根据导向自组装工艺能力确定的冲突规则和半导体特征结构之间的距离构建冲突关系；基于冲突关系，通过分配引导模版来组合所有符合导向自组装工艺规则的半导体特征结构；根据引导模版的分配，重构冲突关系；将存在冲突的引导模版塌缩成一个点以继承涉及存在冲突的引导模版的所有冲突关系，从而得到新的冲突关系；根据新的冲突关系，利用贪心染色算法进行染色；以及基于染色的结果拆分版图。
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公开(公告)号：CN119355914A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411790023.7
申请日：2024-12-06
Abstract: 本发明提供一种适用于超高真空低应力反射镜的夹持装置，涉及精密光机设备技术领域。本发明所提供的一种适用于超高真空低应力反射镜的夹持装置，包括反射镜基座、顶部压紧组件和多个底部支撑组件；反射镜基座的顶部设有反射镜开槽，反射镜开槽中适于放置反射镜，反射镜基座的底部设有多个支撑组件开槽，每个支撑组件开槽均与反射镜开槽相连通；每个支撑组件开槽中均设有一个底部支撑组件。本发明的夹持方式能够保证反射镜受到较小的夹持应力；另一方面，反射镜底部和反射镜凹槽底部之间还设有用于导热的导热片，导热片的上下表现分别接触反射镜底部和反射镜开槽底部，能够增大反射镜底部的导热接触面积，从而加强了反射镜的导热能力。
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公开(公告)号：CN119153558A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310715354.3
申请日：2023-06-15
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 张江国家实验室
Inventor： 姜超
IPC: H01L31/0236 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，光电探测器包括：设于衬底上的P型结区、N型结区，和设于所述P型结区与所述N型结区之间的本征吸收层；设于光入射面的所述本征吸收层上的光学超表面结构，所述光学超表面结构由通过不同亚波长结构周期性排列组成的基本单元的阵列形成。本发明能有效增强本征吸收层上的局域光场强度，从而能有效增加光电探测器的量子效率，同时还能够减小本征吸收层的厚度，进而增强响应速度，并可以增强对通信波段光谱的吸收范围。
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公开(公告)号：CN118588134A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410776753.5
申请日：2024-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器高可靠操作方法，包括：使用预操作调整存储单元的写疲劳状态；每次重新调整单元写疲劳状态后，将待测单元分别操作到需要对应的初始态，然后对存储单元执行读循环操作，并获取对应的电阻值；将收集的电阻值与对应的写、读操作条件进行匹配分析，以筛选可使半导体存储器具有超长读耐久性的读操作电压，最后优化并验证筛选条件。通过本发明，半导体存储器在特定读操作电压下表现出超长的读耐久性，实现了高可靠操作，为面向存算一体的神经网络领域的应用提供了候选器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118492638A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310127914.3
申请日：2023-02-16
Applicant: 张江国家实验室
IPC: B23K26/36 , B23K26/03 , B23K26/064
Abstract: 本申请涉及电极技术领域，公开了一种金属性短路修复方法、系统、电极制备方法及电极，该电极修复方法应用于激光控制器，包括：获取待修复电极的采集图像，根据所述采集图像确定所述待修复电极的修复区域，其中，所述修复区域中分布有金属残留物；基于修复区域，确定载物台的移动路径；针对所述待修复电极进行飞秒激光辐照，并控制载物台按照所述移动路径移动，以使飞秒激光汇聚于金属残留物；其中，待修复电极固定于载物台上。由于飞秒激光脉冲持续时间短、瞬时功率高、加工结构精细，能够精准、有效地对金属残留物进行烧蚀，即使在修复时聚焦错点位，也不会对绝缘层造成较大的损伤破坏，通过选择性烧蚀，精准地对电极进行金属性短路修复。
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公开(公告)号：CN118412269A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310637207.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 张江国家实验室
Inventor： 请求不公布姓名
IPC: H01L21/027 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体工艺的图案化方法及图案化系统，与以往的传统技术相比，能够以相对较低的制造成本、相对较小的制造难度以及相对较短的制造周期来实现基底材料上形成的图案密度的增加以及图案尺寸的微缩。
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公开(公告)号：CN118335133A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311828686.9
申请日：2023-12-27
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C11/22
Abstract: 本公开提供一种基于铁电存储器的读写均衡电路、方法及铁电存储器，能够抑制铁电存储器的电滞回线漂移，提高可靠性。包括：读电路；写电路；感测器件；控制电路；以及预读检测电路，在铁电存储器的原始逻辑状态是第一逻辑状态且要对铁电存储器进行第一写入操作的情况下，由预读检测电路控制写电路进行第二写入操作后，由控制电路控制写电路进行第一写入操作，从而对铁电存储器写入与第一逻辑状态对应的数据。
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公开(公告)号：CN118329942A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202310870906.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G01N23/201 , G01N23/20008
Abstract: 本发明涉及一种X射线散射量测装置及X射线散射量测方法，通过对X射线源、第一X射线聚焦镜、第二X射线聚焦镜、至少一个光阑的位置；第一X射线聚焦镜、第二X射线聚焦镜的姿态；以及至少一个光阑的尺寸进行调节，从而能够使得从X射线源发出的X射线入射到待测样品上而形成较小的光斑截面尺寸，因而能够获得更小的量测区域尺寸。
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公开(公告)号：CN118296366A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311517042.8
申请日：2023-11-14
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G06F18/214 , G01B15/00 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 机器学习中多解问题的训练方法、X射线测量方法及装置，应用在纳米测量技术领域，利用X射线获取待检测目标件的散射图谱；利用测量模型对散射图谱分析，得到待检测器件的关键尺寸；测量模型是通过将样本器件的数据集输入至待训练测量模型中，基于联合损失函数对待训练测量模型进行训练得到的；联合损失函数的损失因子包括基于样本器件的关键尺寸的预测值的损失因子、预测值的巴比涅互补损失因子、预测值的中心对称损失因子及预测值的巴比涅互补的中心对称损失因子。通过结合物理先验信息在模型训练过程中构建联合损失函数，计算同一散射图谱对应的所有可能结构的损失，解决了多解问题，训练好的测量模型可以实时且高精度的X射线散射测量计算。
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