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公开(公告)号：CN105439071A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510791836.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B81B3/0021 , B81C1/0019 , G01H11/00
Abstract: 本发明提供一种电磁式振动传感器及其制备方法，包括：正面设有凹槽的第一硅基底、与该第一硅基底键合以形成空腔的第二硅基底以及粘附于所述第一硅基底背面的磁铁；所述第二硅基底上依次设有第一绝缘层、第一金属线圈、第二绝缘层以及第二金属线圈，所述第一金属线圈与所述第二金属线圈在线圈内部终端贯通第二绝缘层形成接触；所述第一硅基底背面的磁铁与所述凹槽底部通过深反应离子刻蚀释放为可动结构或者所述第二硅基底以及设于该第二硅基底上的第一、二绝缘层、第一、二金属线圈通过深反应离子刻蚀释放为可动结构。本发明在没有外界交变磁场干扰条件下，传感器无零偏，采用MEMS工艺制作，体积小，适合规模化制造，且易于与信号调理电路集成。
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公开(公告)号：CN105245198A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510780724.7
申请日：2015-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微机械硅谐振器的温度补偿结构及其制作方法，包括微机械谐振器结构；设有空腔并用于支撑所述微机械谐振器结构的底层基底以及位于所述微机械谐振器结构与所述底层基底之间的绝缘层；所述微机械谐振器结构包括具有第一温度系数的结构层，所述结构层上具有周期分布的凹槽；填充满所述凹槽的具有第二温度系数的补偿材料；所述第一温度系数和所述第二温度系数相反。本发明通过在微机械振动谐振器中引入结构材料温度系数相反的另一种材料来对其进行温度补偿，能够有效控制谐振器的温度漂移；采用该温度补偿结构，可以大大提高微机械谐振器的温度稳定性，同时减少外部补偿电路的复杂性。
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公开(公告)号：CN103035833B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201110296180.9
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种平面型半导体热电芯片及制备方法，该方法包括：制备包括两端完全隔离的导热层（100）、位于导热层上的绝缘层（200）以及位于绝缘层上的发电层（300）的硅片，发电层包括热电偶对（302）及连接热电偶对的金属引线及电极（301）；制备设有凹部并采用绝热材料的支撑层（400）；将支撑层（400）与所述硅片键合，并且键合后对硅片背面进行减薄抛光；释放热电偶对（302），导热层的两端通过该热电偶对桥接。本发明极大的提高了单个平面型半导体热电发电芯片内的热电偶对数量和温差利用率，从而实现平面型半导体热电发电芯片高电压、大功率输出。本发明工艺简单，成本低廉，可实现批量化制作，具有应用前景。
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公开(公告)号：CN102910578B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210442236.1
申请日：2012-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，首先提供一硅基芯片与一PDMS芯片，采用丙酮和酒精对所述硅基芯片及所述PDMS芯片进行超声清洗，然后采用氧气及第二气体的混合等离子体对所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面进行处理，最后将所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面相互贴合并进行按压，以键合所述硅基芯片及PDMS芯片。具有以下有益效果：1）该方法在常温下进行，克服了高温键合带来的成品率低，操作耗时等缺点；2）该工艺过程简单，成品率高，键合速度快，强度高，不会发生漏液现象；3）由于硅基芯片加工工艺成熟，可以制作复杂结构，硅基芯片与PDMS芯片的键合有助于实现复杂结构的微流控芯片。
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公开(公告)号：CN104913852A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510341296.8
申请日：2015-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于键合技术的光学读出红外探测器阵列的制作方法，所述制作方法至少包括：1)提供一牺牲衬底和一玻璃衬底，将所述牺牲衬底与所述玻璃衬底键合，减薄所述牺牲衬底形成牺牲层；2)在所述牺牲层上制作形成像素结构阵列，所述像素结构阵列包括制作于所述牺牲层表面的悬浮结构和制作于牺牲层中且与所述玻璃衬底直接接触的锚；3)腐蚀所述牺牲层，释放所述像素结构阵列，形成光学读出红外探测器阵列。本发明提供的制作方法能同时满足器件对机械强度、热串扰、像素的无损释放和红外辐射利用率等各方面的要求，适用于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102963862B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210514737.6
申请日：2012-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C01B33/021 , B82Y40/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B33/005
Abstract: 本发明提供一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法，先于（111）晶面型硅片上制作抗氧化掩膜并形成掩膜窗口；采用ICP刻蚀法，将单晶硅刻蚀至一预设深度；对各该掩膜窗口下方的单晶硅进行各向异性湿法腐蚀，形成上下表面为六边形的多个腐蚀槽，相邻两腐蚀槽的侧壁间形成单晶硅薄壁；利用自限制氧化工艺进行热氧化，于所述单晶硅薄壁顶部中央区域形成单晶硅纳米线；去除抗氧化掩膜及氧化硅，形成单晶硅纳米线网状阵列结构。本发明工艺简单高效，核心步骤仅涉及常规光刻、腐蚀工艺，抗氧化掩膜和各向异性腐蚀，在常规的掩膜版制备条件和光刻条件下，利用（111）晶面型硅片内的晶面分布特点，可在硅片上制作大规模的单晶硅纳米线组合图形。
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公开(公告)号：CN103086321B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310028123.1
申请日：2013-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种在（111）型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法，包括：于硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；将各该刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；各向异性湿法腐蚀，使两两相邻的3个腐蚀槽的交界处形成由上锥部、下锥部及连接部组成的沙漏结构；采用自限制氧化工艺，形成氧化硅及藉由硅纳米线结构连接的上硅锥体结构及下硅锥体结构；去除氧化硅及上硅锥体结构，形成单晶硅纳米长针尖。本发明可用于制作纳米探针阵列，只需要常规的MEMS工艺，通过ICP干法刻蚀、各向异性湿法腐蚀和氧化工艺即可制作出针尖直径在10~100nm，长度在0.1~100μm，集成度高，可规模化生产的纳米探针，其成本低廉，制作方便，可应用于纳米探针领域。
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公开(公告)号：CN102674240B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210170049.2
申请日：2012-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微机械传感器及其制作方法，采用湿法硅腐蚀技术在硅衬底中刻蚀出两倒梯形结构的深腔以及其所夹的正梯形结构的硅块，通过圆片键合技术实现敏感膜和硅块的物理连接，然后通过对硅衬底底部进行刻蚀使所述硅块底部悬空作为质量块，接着采用真空键合实现质量块的密封，最后在敏感膜上制备敏感结构和电极以完成制备。采用湿法硅腐蚀技术有利于降低微机械传感器的制造成本；由于敏感膜和梯形质量块长度较短的一边连接，减少了敏感膜和质量块的连接长度，有利于微机械传感器的尺寸的减小；由于硅块为梯形结构，和传统制作工艺相比，本发明提出的微机械传感器的质量块重量得到提高，有利于提高传感器的性能。
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公开(公告)号：CN102701142B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210170139.1
申请日：2012-05-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种圆片集成微透镜光学系统制作方法，所述制作方法包括以下步骤：1）提供一硅衬底，在其上下表面沉积腐蚀掩膜层；通过光刻、刻蚀制作出腐蚀窗口图形；2）自所述腐蚀窗口腐蚀硅衬底；形成腐蚀腔体，同时形成悬浮薄膜；3）利用悬浮薄膜的塑性形变形成悬浮薄膜微结构；从而形成微透镜结构；4）将所述微透镜结构与光学系统进行圆片级键合组装，形成密封腔体。由于微透镜结构是凹陷在衬底内部，采用圆盘键合工艺将微透镜和光学器件进行圆片组装并不会导致微透镜结构破裂。由于采用了圆片级键合进行微透镜和光学器件的组装，最终光学系统的尺寸可以大大减小，系统组装效率也能得到大幅提高。
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公开(公告)号：CN102786023B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110128174.2
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种无盖板的碳纳米管器件结构及其制作方法。该结构包括：(100)单晶硅衬底、碳纳米管以及金属电极；在(100)单晶硅衬底上设有一贯穿整个(100)单晶硅衬底宽度的截面为近菱形的沟槽；碳纳米管跨越所述沟槽并在所述沟槽上保持悬空；金属电极位于所述沟槽两侧并分别覆盖着碳纳米管跨于沟槽两侧的部分，使悬空的碳纳米管与沟槽两侧的金属电极间形成电学连接。该器件结构用于碳纳米管电子器件和传感器中。由于省去了盖板，器件结构制作过程简单，成品率高，适合阵列化生产。
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