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公开(公告)号：CN102136548A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010619487.3
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变材料的干法刻蚀方法，采用离子束干法刻蚀，该方法包括以下步骤：步骤一，在氧化硅衬底上磁控溅射生长相变材料薄膜；步骤二，经过清洗、涂胶、前烘、曝光、显影步骤后，得到刻蚀准备片；步骤三，利用含氟气体与辅助气体，在刻蚀气压为20~80mTorr、刻蚀功率为150~300W的条件下刻蚀后，得到流片；步骤四，将刻蚀完成的流片去胶后进入下一道工序。通过对各种气体配比、气压、功率、时间等刻蚀参数的控制及它们的不同组合，得到良好的刻蚀侧壁及表面形貌，为后续工艺做好准备，使器件达到更精准的水平。
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公开(公告)号：CN102082228A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010507542.X
申请日：2010-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为2-30％的介质材料TiO2和重量百分比为70-98％的相变材料Ge2Te3，由于Ge2Te3相变材料与TiO2在纳米尺度的均匀复合，相变材料分布在由介质材料TiO2形成的纳米框架结构中，一方面抑制了相变材料的结晶，提升了材料的晶化温度；另一方面相变材料的挥发得到了有效的抑制，组分偏析情况得到明显改善，增加了材料的稳定性。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，有利于实现高密度存储，提高相变存储器的编程过程中的加热效率，降低其功耗，提升数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。
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公开(公告)号：CN101329894B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810040948.4
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明涉及一种新型存储系统，它充分发挥相变存储器的优点，结合当今与未来擦、写速度更快与循环次数更高的存储器来实现低压、低功耗、高速与长寿命的功效。这种新型存储系统，对相变存储块进行实时的探测，以读写频率为依据，对不同的相变存储块采用不同的读写方式，通过设定读写操作频率的参考值以及主体存储器部分与副体存储器部分的容量比例来调节整个存储系统的读写次数、速度和功耗。它的另一个优点是仅仅只需修改少量的参数便可以设计出完全不同的相变存储芯片，同时也使不同应用领域的相变存储器设计纳入到一个体系中。
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公开(公告)号：CN101315811B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810040851.3
申请日：2008-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种动态相变存储器，所述存储器的存储介质采用具有较低熔点和较低结晶温度的相变材料；所述相变材料的熔点在200℃到640℃之间，且其结晶温度在40℃到120℃之间。所述存储器还包括定期刷新模块，用以定期地对存储有高电阻态的存储单元进行数据刷新，将电阻下降的存储单元重新设定到高电阻态。所述存储器用较低的功耗对器件进行编程。本发明提出的动态相变存储器使动态随机存储器件大大降低了所需要刷新的次数，并且与传统的PCRAM相比具有更低的功耗；同时由于采用小信号进行编程，所以动态相变存储器的疲劳特性大为改善。
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公开(公告)号：CN101262004B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810035939.6
申请日：2008-04-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L21/762 , H01L21/768 , G11C11/56 , G11C16/02
Abstract: 本发明提供了一种双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元结构及其制造方法。在p型或n型导电的第一导电类型的基底上，利用低电阻的第二导电类型位线作为双极型晶体管的集电极，位线相互之间用较深的浅沟道隔离(STI)隔开；在位线上方制备基极和第一导电类型的发射极，在同一位线上形成的双极型晶体管之间用较浅的STI隔开；最后在双极型晶体管上制备相变存储单元。主要通过离子注入和常规半导体工艺制造出上述双极型晶体管，并在双极型晶体管上制备存储单元，通过双极型晶体管对存储单元进行选通和操作。跟以往结构的相变存储单元相比，本发明提供的结构密度高，制造成本低廉，且一个双极型晶体管还可以对应着多个相变存储单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101984512A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010275460.7
申请日：2010-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种复合相变存储材料及其制备方法，所述复合相变存储材料由氮化物和相变材料复合而成，该复合相变存储材料能够在外部的能量作用下实现可逆的相变和可逆的电阻值转换；在所述复合相变存储材料内，氮化物和相变材料互相分散，使材料内存在两个以上的相。本发明提出的氮化物复合相变存储材料是由氮化物与相变材料复合而成，通过互不相溶的分散作用，氮化物的引入能够限制相变材料晶粒的生长，提高了材料的结晶温度，提升了数据保持能力。由于氮化物较高的电阻率和较好的绝热性，材料的加热效率显著提升，而热扩散比例显著减少，提高了器件工作的效率，从而降低了功耗。
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公开(公告)号：CN101976724A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010255203.7
申请日：2010-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器单元的SPICE模型系统，其包括：相变电阻模块、温度计算模块、状态存储模块和结晶率计算模块。相变电阻模块主要用于表述相变存储单元的电阻模型，温度计算模块用于计算相变存储单元在电压或电流作用下的温度情况，状态存储模块用于存储相变存储单元Set和Reset状态的变化，结晶率计算模块用于相变存储单元温度变化时的结晶率的变化情况。采用Verilog-A语言进行描述，对相变存储单元可以进行模拟，调节各个参数，可以得到和实际测试结果相吻合的结果，并提供给电路设计者使用。
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公开(公告)号：CN101593765B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910053998.0
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能不同存储模块的优势：对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储，对于长时间保存的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储，对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特性的模块进行存储。
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公开(公告)号：CN101504949B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810202824.1
申请日：2008-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C16/02 , G11C11/56
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，所述电阻转换存储器包括：基底、逻辑电路、字线、位线、若干分立的存储单元、隔离单元；通过扩散效应，使所述存储单元中存储材料的部分原子扩散到第一导电类型的半导体字线中，在接触界面形成对半导体字线的综合效应为第二导电类型的掺杂；经存储材料原子扩散掺杂形成的第二导电类型区域与第一导电类型半导体字线之间形成二极管，该二极管作为选通单元对上方的存储单元进行选通。电阻转换存储器所采用的存储材料在器件中具有多种功能，既作为高、低电阻转换的媒介材料，同时也是杂质材料，能通过扩散效应对与其接触的半导体进行掺杂，从而用简便的方法形成二极管作为逻辑单元选通存储器单元。
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公开(公告)号：CN101935596A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010281508.5
申请日：2010-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种相变材料抛光后清洗液，包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水；以清洗液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化剂总量0.01-10wt％，表面活性剂0.01-4wt％，金属防腐抑制剂0.0001-20wt％，酸性介质0.2-30wt％，余量为去离子水。本发明提供的抛光后清洗液，通过采用两种以上氧化剂的协同作用，大大提高了硫系化合物相变材料GexSbyTe(1-x-y)的抛光后清洗效率，其残留去除速率大大提高，可达9-70nm/min。
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