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公开(公告)号：CN101236780A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810033924.6
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56 , G11C16/02 , H01L27/115
Abstract: 本发明针对三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法。为了最大限度的利用存储器面积，本发明要求存储阵列布满整个存储芯片。提出的电路结构是针对存储阵列布满整个存储芯片这一特点的优化方案。存储阵列能够布满整个存储芯片是本发明最大的优势之处。为了实现上述优势，本发明首先对存储阵列下的外围电路作一合理分割，其次对分割后的外围电路相互控制问题提出一套解决方案，最后基于上述两点提出了外围电路的拼接方案。以此在电路设计层面彻底实现三维立体结构相变存储芯片。
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公开(公告)号：CN100397675C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410017747.4
申请日：2004-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种减小相变存储器工作电流的单元结构及改进方法，属于微电子领域。其特征在于：在加热电极与硫系化合物之间加入一层过渡层，过度层厚度为10nm-50nm。过渡层材料要求是电阻率比加热电极高，且熔点高于硫系化合物。可选择的有Pt、Ti、TiN等。其结构的改进的实现是采用溅射方法沉积底电极，在沉积一层电介质层，通过曝光刻蚀方法刻蚀小孔，依次沉积加热电极和过渡层，再在其上沉积电介质层，刻蚀较大孔，在孔中沉积硫系化合物，经化学机械抛光后再沉积上电极。经由结构上的改进并实施，由于过渡层材料电阻率高，发热效率就高，用较小的电流就可以达到所需要的温度。
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公开(公告)号：CN101110464A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710044476.5
申请日：2007-08-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法，属微电子领域。其特征在于：在底加热W电极与硫系化合物薄膜层之间加入一加热层，加热层厚度控制在2～3nm，可选择的加热层用的材料包括ZrO2、HfO2或Ta2O5等。单元结构改进的实现是通过在衬底上沉积各种所需薄膜后，通过微纳加工技术得到微米量级的相变操作单元，并引出可供测试性能用上下电极。由于氧化物加热层的良好热稳定性和提高器件单元热效应的显著效应，达到了有效降低单元功耗的目的。
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公开(公告)号：CN101071843A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710040829.4
申请日：2007-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法，其特征在于所述的器件单元结构由顶电极、存储介质层、底电极接触，底电极、绝缘介质薄膜、金属导电层和衬底组成，其中：①制作在绝缘介质薄膜上的底电极接触是采用空心或实心的管状结构；②底电极接触与存储介质间有TiN薄膜钝化层作阻挡层；③顶电极通过钝化层上的顶电极引出孔与存储介质相连；④底电极与采用空心或实心管状的底电极接触的底部通过金属导电层相连；⑤金属导电层沉积在衬底上。本发明针对目前RRAM的发展现状，以减少电极接触面积降低功耗，提高可靠的电阻存储器器件单元结构。
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公开(公告)号：CN101049934A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710040302.1
申请日：2007-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种无碲存储材料、制备方法及应用。其特征在于所述的存储材料为硅－锑混合物，组成通式为SixSb100－x，0＜x＜90，优先推荐组成为5≤x≤70。所述的材料在外部能量作用下为电驱动、激光脉冲驱动或电子束驱动。通过调整这种材料中两种元素的组份，可以得到具有不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。所提供的材料体系具备如下优点：较好的可调性、较强的数据保持能力、较简单的成份和制备工艺、对半导体设备没有污染、较好的可加工性、环境友好性等，具有广阔的应用前景。硅－锑合金材料是用于存储器的理想存储介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1300271C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410066674.8
申请日：2004-09-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。
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公开(公告)号：CN1866002A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610026520.5
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于爆炸物检测的自组装单分子层敏感膜及制备方法，特征在于所述的敏感膜的组成材料为6－巯基尼古丁酸(6－MNA)。它是以自组装的方法在贵金属基底上形成的单分子层。本发明制备的自组装单分子层能够对二硝基甲苯(DNT)、梯恩梯(TNT)、黑索金(RDX)和太安(PETN)等含硝基(－NO2)或硝酸酯基(－ONO2)的爆炸物敏感，可以在各类力和质量敏感元件上进行自组装修饰，形成灵敏检测器件。具有灵敏度高、响应时间快、特异性和重现性好等优点，在敏感性能方面明显优于国外使用的4－巯基苯甲酸(4－MBA)单分子层敏感膜，能够分辨几十ppt量级的TNT蒸气，可用于多种场合的安全检查和反恐的需求。
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公开(公告)号：CN1808706A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510111118.2
申请日：2005-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备相变存储器纳米加热电极的方法，首先通过微纳加工技术，在SiO2衬底上制备较大尺寸的孔洞，接着利用常规的CVD技术的良好台阶覆盖性能在该孔洞中和孔洞侧壁上淀积一层几个纳米厚的加热金属层，在孔洞里填充介质层，最后进行化学机械抛光，抛去孔洞上端的介质材料和加热电极材料，从而形成环状纳米加热电极。本发明避免了纳米小孔中填充电极材料、相变材料的困难，利用较大的环状纳米加热电极实现具有同样面积的小孔洞柱状加热电极的效果。不仅仅适用于解决相变存储器纳米加热电极问题，同样适用于其它电子器件特别是纳电子器件所需的纳米加热电极的制备，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN1780012A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510030637.6
申请日：2005-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法，属于微电子领域。本发明的特征在于，在硅基片上，先生长一层SiO2，然后在上面沉积一层底电极。接着在电极上面，均匀生长一些相变纳米点，最后沉积一层相变薄膜。退火处理后，可在电极上形成较高的纳米点。接着沉积一层SiO2，用CMP进行抛光使其平整，沉积顶电极。整个存储器的结构见图8。施加脉冲信号，并测量其I－V特性，电阻率有较大的变化。本发明通过生长硫系化合物纳米点，为制备相变存储器提供了一种新的方法。
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公开(公告)号：CN1731567A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510026996.4
申请日：2005-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/321 , B24B57/02
Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光，通过本发明的“一步抛光工艺”，单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机，实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈，对抛光液实施分段应用，有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题；以单头抛光机代替多头抛光机，降低了设备成本；同时抛光后表面损伤少、易清洗，抛光液不腐蚀设备、不污染环境。
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