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公开(公告)号：CN107251246B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201680010212.5
申请日：2016-07-21
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本公开内容公开了使用用于在高温下稳定地驱动热电模块的粘结技术的热电模块和制造所述热电模块的方法。根据本公开内容的热电模块包括：包含热电半导体的热电元件、包含金属材料并且连接在热电元件之间的电极、以及粘结层，所述粘结层介于热电元件与电极之间以使热电元件与电极粘结并且包含作为含有两种或更多种金属粉末的糊料的烧结体的含有两种或更多种金属的金属化合物。
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公开(公告)号：CN111048658A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911404960.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种SnI2掺杂CsGeI3钙钛矿型热电材料及其制备方法，属于新能源材料制备技术领域。具体包括以下步骤：粉体制备：将CsI、SnI2和GeI2按比例加入石英管中，抽真空后充入高纯氩气将管封严；将盛有原料的石英管放入烧结炉中，以2-5℃/min的速率升温到450-550℃保温12-24h，然后以2-5℃/min的速率降温到200-350℃；将所得块体取出在手套箱中研磨10-15min，即可得到SnI2掺杂CsGeI3的粉末。块体制备：将SnI2掺杂的CsGeI3粉末采用放电等离子工艺进行烧结，将粉末倒入石墨模具中，在温度为200-400℃，压强为5-40MPa的条件下，烧结时间为5-30min，得到块体材料。本发明所述方法制备出钙钛矿型热电材料SnI2掺杂的CsGeI3的块体，所得块体致密度高，制备温度较低、时间较短。
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公开(公告)号：CN108039403B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201711315655.8
申请日：2017-12-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法。该方法包括：以含有Bi元素和Se元素的化合物为原料，以单晶晶圆为生长基底，进行化学气相沉积，得到所述Bi2O2Se薄膜。本发明利用外延面对称性一致的共格外延方式生长取向一致的单晶Bi2O2Se，通过延长生长时间，制备得到了由取向一致的单晶Bi2O2Se晶粒拼接而成的连续单晶薄膜。该方法工艺流程简单，操作容易，成本低，薄膜尺寸大，并可有望应用于晶圆级Bi2O2Se单晶薄膜的批量化生产；为Bi2O2Se半导体薄膜在光电探测器或场效应晶体管等领域的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN110729392A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911014107.0
申请日：2019-10-23
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明公开了一种层状硅锗热电材料，包括：锗基板和设置在锗基板上的超薄GeO2薄膜层；在超薄GeO2薄膜层上形成微型阵列孔，微型阵列孔的孔径为0.8nm～1.2nm，间距为3nm～5nm；7～66层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层沉积、长大，形成球形纳米晶体，相邻的球形纳米晶体在交界处达到接触状态，形成纳米硅球层；纳米硅球层上沉积有13～123层的外延锗层，外延锗层上设置超薄GeO2薄膜层，超薄GeO2薄膜层上设置纳米硅球层，逐次累计，形成层状硅锗热电材料，热电转化效率高，结构稳定性好。
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公开(公告)号：CN107123729B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201610104599.2
申请日：2016-02-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米碳化硅/P型硅锗合金基热电复合材料及其制备方法，所述热电复合材料由P型硅锗合金和均匀分散在P型硅锗合金的晶界上和/或晶粒内部的纳米碳化硅颗粒两相组成，所述P型硅锗合金化学式为Si80Ge20Bx，其中x的取值范围为0.2≤x≤2.0，所述纳米碳化硅颗粒的体积百分含量为P型硅锗合金的0.3～2.0%。本发明采用上述方法将纳米碳化硅与P型硅锗合金进行复合，制备的热电复合材料在保持功率因子变化不大的前提下，可显著降低材料的晶格热导率，进而在整个温区范围内提高材料的热电性能。此外，本发明提供的制备方法简单、快速、原料利用率高，具有良好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN109904304A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910047300.8
申请日：2019-01-18
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种钙钛矿结构热电材料CsMX3的制备方法，属于新能源材料制备技术领域。本发明所述方法为将含Cs卤代物和含M金属卤代物加入石英管中，然后抽真空，或者抽真空后充入高纯氩气将管封严；将盛有原料的石英管放入烧结炉中，得到熔融态的CsMX3；将熔融态的CsMX3保温12-24h，然后以0.1-1℃/min的速率降温到280-320℃，即可得到CsMX3。本发明所述方法分别制备出钙钛矿结构热电材料CsMX3的块体或单晶，所得钙钛矿结构热电材料CsMX3纯度高、块体致密度高、所用设备要求简单。
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公开(公告)号：CN108028307A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680056060.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 中央硝子株式会社 , 东北泰克诺亚奇股份有限公司
CPC classification number: H01L35/26 , B81C1/00031 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01B33/039 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L29/06 , H01L29/0669 , H01L35/14 , H01L35/32 , H01L35/34
Abstract: 本发明使用硅系材料，得到能发挥良好的热电转换性能的热电转换材料。使用下述热电转换材料，其特征在于，直径20nm以下的柱状或球状的纳米点(1)以面密度为5×1010个/cm2以上、所述纳米点间的间隔为0.5nm以上且30.0nm以下的方式嵌入于嵌入层(3)，构成纳米点(1)的第1材料为包含30原子％以上的硅的材料，相对于构成嵌入层(3)的第2材料，第1材料的价带与第2材料的价带的能量之差、及第1材料的导带与第2材料的导带的能量之差中的任一个或两个处于0.1eV以上且0.3eV以下的范围。
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公开(公告)号：CN108014922A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711092520.X
申请日：2017-11-08
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明公开了一种摩擦电热电内搅拌除尘检测设备及其方法。该设备包括除尘设备及热电转换器。除尘设备包括设置有介质颗粒、圆筒电极的除尘腔体。除尘腔体的相对两端设置有用于向除尘腔体内引入含有废物颗粒的进气气流的进气管道及用于从除尘腔体内排出排气气流的排气管道。除尘腔体两端还设有分别用于检测进气气流及排气气流组分参数的进气检测器及排气检测器。圆筒电极用于吸附电离后的废物颗粒。电动马达设置在除尘腔体外表面并与伸入除尘腔体内部的内搅拌绳相连。热电转换器环绕设置在除尘腔体外表面。热电转换器包括环形散热器及位于除尘腔体与环形散热器之间并将两者之间温差转化为电能为电动马达、进气检测器及排气检测器供电的热电器件。
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公开(公告)号：CN107851705A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042154.4
申请日：2016-06-28
Applicant: 马自达汽车株式会社
Abstract: 就经由作为电绝缘体的热传导层(15)与半导体元件主体部(10)的表面热连接的珀耳帖型薄膜状的吸热元件部(20)而言，构成该吸热元件部(20)的物质的体热传导系数在50W/mK以上、塞贝克系数在300μV/K以上。
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