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公开(公告)号：CN111780606A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010655649.2
申请日：2020-07-09
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: F28D20/02
Abstract: 本发明涉及一种相变换热装置，包括换热器壳体，换热器壳体内设置有多个相变储热单元，换热器壳体设置有第一介质入口和第一介质出口，相变储热单元可更换设置，相变储热单元位于第一介质入口和第一介质出口之间的介质流道上；相变储热单元可以局部位移，四周不设置卡接结构，可以自由变形，在热胀冷缩过程中不会发生大的移位，但可以小范围位移，涨缩过程中不会受到限制，从而达到不使用换热管道，通过设置可更换、可局部位移的相变储热单元实现高效换热的效果，避免孔盘破损、换热管道破损等问题，避免换热介质污染等问题。
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公开(公告)号：CN104178657A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410449326.2
申请日：2014-09-05
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 一种纳米铜银复合材料，由铜粉和银粉组成，所述铜粉的粒径为15-20nm，所述银粉的粒径为5-10，其中铜粉的质量百分比为70%-90%，银粉的质量百分比为10%-30%。上述纳米铜银复合材料的制备方法包括配料、混匀、压制。本发明纳米铜银复合材料的伸屈服强度450-530MPa，延伸率可达40-50%，基于本发明复合纳米材料优良的综合力学性能，突破了现有纳米晶金属材料的强度和延伸率此消彼长的矛盾，实现了高强度、高塑性的统一，拓展了纳米晶金属材料的工程应用领域。本发明方法成本低、产量大、工艺简单，不存在气孔和结块，且能很好控制材料的晶粒尺寸及分布，制备的纳晶材料致密度高、纯度高，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110729392A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911014107.0
申请日：2019-10-23
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明公开了一种层状硅锗热电材料，包括：锗基板和设置在锗基板上的超薄GeO2薄膜层；在超薄GeO2薄膜层上形成微型阵列孔，微型阵列孔的孔径为0.8nm～1.2nm，间距为3nm～5nm；7～66层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层沉积、长大，形成球形纳米晶体，相邻的球形纳米晶体在交界处达到接触状态，形成纳米硅球层；纳米硅球层上沉积有13～123层的外延锗层，外延锗层上设置超薄GeO2薄膜层，超薄GeO2薄膜层上设置纳米硅球层，逐次累计，形成层状硅锗热电材料，热电转化效率高，结构稳定性好。
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公开(公告)号：CN110724901A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911014110.2
申请日：2019-10-23
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明公开了一种硅锗热电材料的制备方法，包括：A.在清洁的锗基板进行表面氧化，形成超薄GeO2薄膜层；B.硅以离子束的形式冲击超薄GeO2薄膜层的上表面，产生化学反应：Si+GeO2→SiO↑+GeO↑；在超薄GeO2薄膜层上形成微型阵列孔；C.通过电沉积的方法，沉积7～11层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，电沉积的硅足以填平微型阵列孔；D.硅继续通过电沉积的方法，沉积26～66层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，继续沉积的硅原子被困在微型阵列孔的中，导致了球形纳米晶体的形成，继续沉积，球形纳米晶体长大，形成纳米硅球层；重复上述步骤形成多层超薄GeO2薄膜层和纳米硅球层的复合层，获得硅锗热电材料；上述工艺简单、结构稳定性好。
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公开(公告)号：CN107579149B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201710777165.3
申请日：2017-09-01
Applicant: 华北电力大学(保定)
Inventor： 刘英光
Abstract: 本发明涉及一种纳晶镍的热电性能调控方法，包括：A.在铜箔上沉积一层厚度为5~15 nm的氧化锆薄膜，敲击氧化锆薄膜层，使氧化锆薄膜呈玻璃态；B.在氧化锆薄膜上沉积厚度为5~55 nm的纳晶镍层；C.蚀刻铜箔，使得铜箔层的厚度减薄到1000~3000 nm，获得包括铜箔层、纳晶镍层与氧化锆薄膜层的复合层结构；D.重复步骤A、B和C，获得多张复合层结构；沿同一方向，叠合各张复合层结构，获得包括多层纳晶镍层的膜结构；其中，通过控制铜箔层的减薄厚度，来控制各张复合层结构的热电性能。该制备方法，工艺简单，铜的导电率高，能够获得高的电导率，铜的熔点温度较低，便于多张复合层结构的压合，通过控制铜箔层的减薄厚度，能够实现薄膜型纳晶镍的热电性能的调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107565010B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710777149.4
申请日：2017-09-01
Applicant: 华北电力大学(保定)
Inventor： 刘英光
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种纳晶热电材料的制备方法，包括：步骤A. 在铜箔上沉积一层厚度为5~15 nm的氧化锆薄膜，采用表面为纳米结构的敲击锤敲击氧化锆薄膜层，使氧化锆薄膜呈玻璃态；步骤B. 在氧化锆薄膜上沉积厚度为5~55 nm的热电材料层，热电材料层的材料为纳晶结构；步骤C. 蚀刻铜箔，使得铜箔层的厚度减薄到3~8 μm，获得包括铜箔层、热电材料层与氧化锆薄膜层的复合层结构；步骤D. 重复步骤A、B和C，获得多张复合层结构；沿同一方向，叠合各张复合层结构，获得包括多层纳晶热电材料层的膜结构。该制备方法，工艺简单，铜的导电率高，能够获得高的电导率，铜的熔点温度较低，便于多张复合层结构的压合。
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公开(公告)号：CN110729392B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201911014107.0
申请日：2019-10-23
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H10N10/851 , H10N10/01
Abstract: 本发明公开了一种层状硅锗热电材料，包括：锗基板和设置在锗基板上的超薄GeO2薄膜层；在超薄GeO2薄膜层上形成微型阵列孔，微型阵列孔的孔径为0.8nm～1.2nm，间距为3nm～5nm；7～66层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层沉积、长大，形成球形纳米晶体，相邻的球形纳米晶体在交界处达到接触状态，形成纳米硅球层；纳米硅球层上沉积有13～123层的外延锗层，外延锗层上设置超薄GeO2薄膜层，超薄GeO2薄膜层上设置纳米硅球层，逐次累计，形成层状硅锗热电材料，热电转化效率高，结构稳定性好。
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公开(公告)号：CN110724901B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911014110.2
申请日：2019-10-23
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明公开了一种硅锗热电材料的制备方法，包括：A.在清洁的锗基板进行表面氧化，形成超薄GeO2薄膜层；B.硅以离子束的形式冲击超薄GeO2薄膜层的上表面，产生化学反应：Si+GeO2→SiO↑+GeO↑；在超薄GeO2薄膜层上形成微型阵列孔；C.通过电沉积的方法，沉积7～11层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，电沉积的硅足以填平微型阵列孔；D.硅继续通过电沉积的方法，沉积26～66层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，继续沉积的硅原子被困在微型阵列孔的中，导致了球形纳米晶体的形成，继续沉积，球形纳米晶体长大，形成纳米硅球层；重复上述步骤形成多层超薄GeO2薄膜层和纳米硅球层的复合层，获得硅锗热电材料；上述工艺简单、结构稳定性好。
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公开(公告)号：CN107579149A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710777165.3
申请日：2017-09-01
Applicant: 华北电力大学(保定)
Inventor： 刘英光
Abstract: 本发明涉及一种纳晶镍的热电性能调控方法，包括：A. 在铜箔上沉积一层厚度为5~15 nm的氧化锆薄膜，敲击氧化锆薄膜层，使氧化锆薄膜呈玻璃态；B. 在氧化锆薄膜上沉积厚度为5~55 nm的纳晶镍层；C. 蚀刻铜箔，使得铜箔层的厚度减薄到1000~3000 nm，获得包括铜箔层、纳晶镍层与氧化锆薄膜层的复合层结构；D. 重复步骤A、B和C，获得多张复合层结构；沿同一方向，叠合各张复合层结构，获得包括多层纳晶镍层的膜结构；其中，通过控制铜箔层的减薄厚度，来控制各张复合层结构的热电性能。该制备方法，工艺简单，铜的导电率高，能够获得高的电导率，铜的熔点温度较低，便于多张复合层结构的压合，通过控制铜箔层的减薄厚度，能够实现薄膜型纳晶镍的热电性能的调控。
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公开(公告)号：CN107565010A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710777149.4
申请日：2017-09-01
Applicant: 华北电力大学(保定)
Inventor： 刘英光
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种纳晶热电材料的制备方法，包括：步骤A.在铜箔上沉积一层厚度为5~15nm的氧化锆薄膜，采用表面为纳米结构的敲击锤敲击氧化锆薄膜层，使氧化锆薄膜呈玻璃态；步骤B.在氧化锆薄膜上沉积厚度为5~55nm的热电材料层，热电材料层的材料为纳晶结构；步骤C.蚀刻铜箔，使得铜箔层的厚度减薄到3~8μm，获得包括铜箔层、热电材料层与氧化锆薄膜层的复合层结构；步骤D.重复步骤A、B和C，获得多张复合层结构；沿同一方向，叠合各张复合层结构，获得包括多层纳晶热电材料层的膜结构。该制备方法，工艺简单，铜的导电率高，能够获得高的电导率，铜的熔点温度较低，便于多张复合层结构的压合。
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