公开(公告)号：CN110724901A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201911014110.2

申请日：2019-10-23

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 刘英光 ,  任国梁 ,  韩中合

IPC: C23C8/12 ,  C23C8/80 ,  C25D9/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C28/04 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种硅锗热电材料的制备方法，包括：A.在清洁的锗基板进行表面氧化，形成超薄GeO2薄膜层；B.硅以离子束的形式冲击超薄GeO2薄膜层的上表面，产生化学反应：Si+GeO2→SiO↑+GeO↑；在超薄GeO2薄膜层上形成微型阵列孔；C.通过电沉积的方法，沉积7～11层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，电沉积的硅足以填平微型阵列孔；D.硅继续通过电沉积的方法，沉积26～66层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，继续沉积的硅原子被困在微型阵列孔的中，导致了球形纳米晶体的形成，继续沉积，球形纳米晶体长大，形成纳米硅球层；重复上述步骤形成多层超薄GeO2薄膜层和纳米硅球层的复合层，获得硅锗热电材料；上述工艺简单、结构稳定性好。

公开(公告)号：CN110724901B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201911014110.2

申请日：2019-10-23

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 刘英光 ,  任国梁 ,  韩中合

IPC: C23C8/12 ,  C23C8/80 ,  C25D9/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C28/04 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种硅锗热电材料的制备方法，包括：A.在清洁的锗基板进行表面氧化，形成超薄GeO2薄膜层；B.硅以离子束的形式冲击超薄GeO2薄膜层的上表面，产生化学反应：Si+GeO2→SiO↑+GeO↑；在超薄GeO2薄膜层上形成微型阵列孔；C.通过电沉积的方法，沉积7～11层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，电沉积的硅足以填平微型阵列孔；D.硅继续通过电沉积的方法，沉积26～66层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，继续沉积的硅原子被困在微型阵列孔的中，导致了球形纳米晶体的形成，继续沉积，球形纳米晶体长大，形成纳米硅球层；重复上述步骤形成多层超薄GeO2薄膜层和纳米硅球层的复合层，获得硅锗热电材料；上述工艺简单、结构稳定性好。